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1. 发明公开

CN113707782A 倒装发光二极管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN113707782A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110977427.7
申请日：2021-08-24
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：陈思河 , 黄禹杰 , 臧雅姝 , 韩涛 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 陈剑斌
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/00
摘要：本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。

2. 发明公开

CN114284411A 发光二极管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN114284411A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111455996.1
申请日：2021-12-01
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：韩涛 , 黄禹杰 , 陈剑斌 , 臧雅姝
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/32 , H01L33/00
摘要：本申请提供一种发光二极管，包括:半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及从所述第二半导体层经由所述有源层延伸到所述第一半导体层的一部分的多个通孔；其中，所述多个通孔包括第一组通孔和第二组通孔，所述第一组通孔包括形成在所述发光二极管第一边和/或第三边的多个所述通孔，所述第一组通孔在第一方向上间隔设置；所述第二组通孔包括形成在所述发光二极管第二边和/或第四边的多个所述通孔，所述第二通孔在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置；所述第一组通孔和所述第二组通孔对齐排列，被所述第一组通孔和所述第二组通孔围绕的内侧通孔在所述第一方向和/或所述第二方向上不对齐排列。

3. 发明公开

CN112993107A 发光二极管及其制作方法审中-实审
公开(公告)号：CN112993107A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911275147.0
申请日：2019-12-12
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：林素慧 , 何安和 , 彭康伟 , 夏章艮 , 黄禹杰
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/00
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。在一些实施例中，该发光二极管包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面，及连接该第一表面、第二表面的侧壁；发光外延叠层，形成于所述基板的第一表面之上，包括自所述基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。进一步地，所述基板的侧壁具有一切割面，所述切割面起始于所述基板的第一表面一侧，所述基板的厚度方向上的宽度为所述LED芯片的基板之厚度的三分之一以上。该切割面为在LED芯片单一化过程中，从LED晶圆的正面切割发光外延叠层并深入至基板内部形成，与所述基板的上表面形成相对一致的夹角，从而获得形状规则、尺寸统一的LED芯片。

4. 发明授权

CN112272870B 发光二极管有权
公开(公告)号：CN112272870B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202080003000.0
申请日：2020-03-19
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：林素慧 , 黄禹杰 , 王锋 , 何安和 , 王庆 , 朱秀山 , 彭康伟 , 洪灵愿
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/14
摘要：本发明提供了一种发光二极管。在一些实施中，该发光二极管包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极电连接至所述第一导电型半导体层，所述第二电极电连接至所述第二导电型半导体层，其特征在于：所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁覆盖有具有载流子俘获效应的绝缘层，所述绝缘层之上设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体发光叠层的侧壁及露出的第一表面、第一电极和第二电极的侧壁。

5. 发明公开

CN116053381A 倒装发光二极管及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN116053381A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310076627.4
申请日：2021-08-24
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：陈思河 , 黄禹杰 , 臧雅姝 , 韩涛 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 陈剑斌
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/00
摘要：本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。

6. 发明授权

CN113707782B 倒装发光二极管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN113707782B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110977427.7
申请日：2021-08-24
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：陈思河 , 黄禹杰 , 臧雅姝 , 韩涛 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 陈剑斌
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/00
摘要：本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。

7. 发明授权

CN111987200B 发光二极管模组、背光模组和显示模组有权
公开(公告)号：CN111987200B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010845753.8
申请日：2020-08-20
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：林素慧 , 王绘凝 , 何安和 , 彭康伟 , 黄禹杰
IPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L25/075
摘要：发光二极管模组，包括：位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；每个所述台面结构上还具有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述第二导电型半导体层上；第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述电流扩展层；第一并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层连接；第二并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述电流扩展层连接。所述LED模组能耗低，不易损坏，且实现多点发光。

8. 发明授权

CN114284411B 发光二极管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN114284411B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111455996.1
申请日：2021-12-01
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：韩涛 , 黄禹杰 , 陈剑斌 , 臧雅姝
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/32 , H01L33/00
摘要：本申请提供一种发光二极管，包括:半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及从所述第二半导体层经由所述有源层延伸到所述第一半导体层的一部分的多个通孔；其中，所述多个通孔包括第一组通孔和第二组通孔，所述第一组通孔包括形成在所述发光二极管第一边和/或第三边的多个所述通孔，所述第一组通孔在第一方向上间隔设置；所述第二组通孔包括形成在所述发光二极管第二边和/或第四边的多个所述通孔，所述第二通孔在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置；所述第一组通孔和所述第二组通孔对齐排列，被所述第一组通孔和所述第二组通孔围绕的内侧通孔在所述第一方向和/或所述第二方向上不对齐排列。

9. 发明公开

CN115642214A 发光二极管芯片及发光装置审中-实审
公开(公告)号：CN115642214A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211403064.7
申请日：2022-11-10
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：陈思河 , 林桂绮 , 林素慧 , 李俊贤 , 黄禹杰 , 黄文嘉
IPC分类号： H01L33/38
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片以及发光装置，发光二极管芯片包括：半导体叠层和半导体叠层上的一个台面；绝缘层，覆盖发光二极管芯片所述的侧面及上表面，包括第一通孔和第二通孔，所述的第一通孔位于台面上方，所述的第二通孔位于第二导电型半导体层的上方；焊盘，包括第一焊盘和第二焊盘，其中所述的第一焊盘和第二焊盘填入所述绝缘层的第一通孔和第二通孔以连接第一导电类型半导体层和第二导电性半导体层；所述的第二通孔的水平投影面积大于所述的台面的水平投影面积，通过上述设计，通过改变绝缘层的通孔的面积占比，可防止发光二极管芯片的歪斜，并且能维持既有发光效率，因此可提高芯片的安装稳定性。

10. 发明公开

CN113169259A 发光二极管及其制作方法无效
公开(公告)号：CN113169259A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980006016.4
申请日：2019-11-04
申请人：厦门三安光电有限公司
发明人：何安和 , 林素慧 , 王锋 , 王庆 , 黄禹杰 , 彭康伟
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/38
摘要：一种发光二极管及其制作方法，其扩大倒装型发光二极管芯片的固晶电极的表面积，改善芯片焊接特性。该发光二极管包括：透明基板（210），具有相对的第一表面（210A）和第二表面（210B）；透明基板（210）的第一表面（210A）的外周边具有台阶（211），该台阶（211）具有一介于第一表面（210A）和第二表面（210B）之间的第三表面（210D），及连接第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）；发光外延叠层，形成于所述透明基板（210）的第一表面（210A）之上，包括自所述透明基板（210）的第一表面（210A）堆叠的第一导电类型半导体层（221）、有源层（222）和第二导电类型半导体层（223）；绝缘层（230），至少覆盖所述发光外延叠层的顶表面（220B）及侧壁，并且具有第一开口（271）和第二开口（272）；第一电极（241），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第一开口（271）电连接到所述第一导电类型半导体层（221）；第二电极（242），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第二开口（272）电连接到所述第二导电类型半导体层（223）；其中所述第一电极（241）和/或第二电极（242）延伸至该台阶（211），至少部分覆盖连接所述第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）及第三表面（210D）。

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