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1. 发明授权

CN102947942B 制造光伏太阳能电池的金属接触结构的方法失效
公开(公告)号：CN102947942B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180030191.0
申请日：2011-06-16
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
发明人： D·比罗 , B·泰德格斯曼 , F·克莱芒 , R·韦尔 , E·A·沃特凯
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/05 , Y02E10/50
摘要：本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的金属接触结构的方法，包括下述方法步骤：将非导电性绝缘层涂敷于半导体衬底表面上；将金属接触层涂敷于所述绝缘层上；并在半导体衬底和恰好穿过所述绝缘层的接触层之间产生多个局部的导电性连接。所述金属接触层用两种包含金属颗粒的浆料形成：将包含金属颗粒的第一浆料涂敷至多个局部区域；并将包含金属颗粒的第二浆料以平面方式涂敷，以至少覆盖被所述第一浆料覆盖的区域以及至少部分位于其间的区域。作为全面加热半导体衬底的结果，所述第一浆料渗入所述绝缘层，并直接与半导体衬底形成导电性接触；然而所述第二浆料不渗入绝缘层，并仅通过所述第一浆料间接地与所述半导体衬底导电性连接。

2. 发明公开

CN102947942A 制造光伏太阳能电池的金属接触结构的方法失效
公开(公告)号：CN102947942A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030191.0
申请日：2011-06-16
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
发明人： D·比罗 , B·泰德格斯曼 , F·克莱芒 , R·韦尔 , E·A·沃特凯
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/05 , Y02E10/50
摘要：本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的金属接触结构的方法，包括下述方法步骤：将非导电性绝缘层涂敷于半导体衬底表面上；将金属接触层涂敷于所述绝缘层上；并在半导体衬底和恰好穿过所述绝缘层的接触层之间产生多个局部的导电性连接。所述金属接触层用两种包含金属颗粒的浆料形成：将包含金属颗粒的第一浆料涂敷至多个局部区域；并将包含金属颗粒的第二浆料以平面方式涂敷，以至少覆盖被所述第一浆料覆盖的区域以及至少部分位于其间的区域。作为全面加热半导体衬底的结果，所述第一浆料渗入所述绝缘层，并直接与半导体衬底形成导电性接触；然而所述第二浆料不渗入绝缘层，并仅通过所述第一浆料间接地与所述半导体衬底导电性连接。

3. 发明授权

CN103155178B 在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法有权
公开(公告)号：CN103155178B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180036378.1
申请日：2011-06-16
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会 , 弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
发明人：乌尔里希·耶格尔 , D·比罗 , 安-克里斯汀·沃克 , 约翰尼斯·塞非 , 塞巴斯提安·麦克 , A·沃尔夫 , R·普罗伊
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要：本发明涉及一种用于在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法。该方法包括下列方法步骤：A)施加掺杂层(2)到该半导体衬底的发射侧上；B)局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，借助液-液扩散使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到熔融的该半导体衬底中，从而在该熔融混合物凝固后产生高掺杂区(3)；C)整体上加热该半导体衬底以产生面状低掺杂区；D)去除该掺杂层(2)；E)去除或转化该半导体衬底的在该掺杂侧的一层，使得该低掺杂区的和该高掺杂区的近表面部分被去除，或被转化为不导电层。

4. 发明公开

CN102986042A 制造光伏太阳能电池的方法无效
公开(公告)号：CN102986042A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180029784.5
申请日：2011-06-16
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
发明人：塞巴斯提安·麦克 , 乌尔里希·耶格尔 , A·沃尔夫 , D·比罗 , R·普罗伊 , G·卡斯特纳
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的方法，包括下列方法步骤：A对硅半导体基体(1)的前侧(2)进行纹理化，所述硅半导体基体掺杂有基极掺杂型；B在所述半导体基体(1)所述前侧(2)上生成至少一个选择性掺杂结构，其方式是，在所述前侧(2)上生成至少一个面式的低掺杂区域(4)，所述低掺杂区域在所述半导体基体(1)中具有第一掺杂分布，并在所述第一低掺杂区域内部生成至少一个局部的高掺杂区域(3)，所述高掺杂区域具有第二掺杂分布，其中所述低掺杂区域(4)和所述高掺杂区域(3)分别构成为具有一个发射极掺杂型，所述发射极掺杂型与所述基极掺杂型相反，并且所述高掺杂区域(3)与所述低掺杂区域相比被构成为具有较低的横向传导电阻；以及C至少部分地在局部高掺杂的区域上，将至少一个金属发射极接触结构施加在半导体基体的前侧(2)上，必要时施加在其他的中间层上，其中发射极接触结构导电地与所述高掺杂区域(3)相连接，以及将至少一个金属基极接触结构施加在所述半导体基体的后侧上，必要时施加在其他的中间层上，其中所述基极接触结构导电地与基极掺杂型的半导体基体的一个区域相连接。重要的是，在方法步骤B和方法步骤C之间，必要时在中间设置其他中间步骤的情况下，在方法步骤B1中，在所述半导体基体的前侧和后侧上，借助于热氧化同时分别生成一个氧化硅层(5a，5b)，其中至少前侧氧化硅层以小于150nm的厚度生成。

5. 发明公开

CN103370799A 光伏太阳能电池及其制造方法无效
公开(公告)号：CN103370799A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280007154.2
申请日：2012-01-26
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
发明人： B·泰德格斯曼 , F·克莱芒 , A·沃尔夫 , D·比罗
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L27/1421 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：本发明涉及用于将入射电磁辐射转化成电能的光伏太阳能电池，包括：至少一个在硅衬底内形成的基极掺杂型基极区；至少一个发射极掺杂型发射极区，该发射极掺杂型是与基极掺杂型相反的掺杂型；至少一个金属基极接触结构，该基极接触结构与基极区导电相连，和至少一个金属发射极接触结构，该发射极接触结构与发射极区导电相连，其中基极区和发射极区如此布置，在基极区和发射极区之间至少部分形成pn结。重要的是，在基极旁路区内该基极接触结构与发射极区重叠，并且在该重叠区内形成在基极接触结构和发射极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属-半导体触点形式或呈金属-绝缘子-半导体触点形式，和/或在发射极旁路区内该发射极接触结构与基极区重叠，并且在该重叠区内形成在发射极接触结构和基极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属-半导体触点或者金属-绝缘子-半导体触点形式。本发明还涉及太阳能电池制造方法。

6. 发明公开

CN103155178A 在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法有权
公开(公告)号：CN103155178A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180036378.1
申请日：2011-06-16
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会 , 弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
发明人：乌尔里希·耶格尔 , D·比罗 , 安-克里斯汀·沃克 , 约翰尼斯·塞非 , 塞巴斯提安·麦克 , A·沃尔夫 , R·普罗伊
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要：本发明涉及一种用于在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法。该方法包括下列方法步骤：A)施加掺杂层(2)到该半导体衬底的发射侧上；B)局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，借助液-液扩散使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到熔融的该半导体衬底中，从而在该熔融混合物凝固后产生高掺杂区(3)；C)整体上加热该半导体衬底以产生面状低掺杂区；D)去除该掺杂层(2)；E)去除或转化该半导体衬底的在该掺杂侧的一层，使得该低掺杂区的和该高掺杂区的近表面部分被去除，或被转化为不导电层。

7. 发明公开

CN103003951A 光伏太阳能电池和制造光伏太阳能电池的方法无效
公开(公告)号：CN103003951A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034672.9
申请日：2011-07-11
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
发明人： B·泰德格斯曼 , F·克莱芒 , D·比罗 , A·沃尔夫 , R·普罗伊
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/022425 , H01L31/022458 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的方法，所述太阳能电池具有构成为用于光耦合的前侧，该方法包括下述方法步骤：A在基极掺杂型的半导体基底中形成多个孔口；B至少在所述半导体基底的前侧上形成一个或多个发射极掺杂型的发射极区域，其中发射极掺杂型与基极掺杂型相反；C施加电绝缘的绝缘层；以及D：在所述孔口中形成金属的导通结构；在所述太阳能电池的背侧上形成金属的至少一个基极接触结构，所述基极接触结构构成为与基极掺杂区域中的半导体基底导电地相连；在所述太阳能电池的前侧上形成金属的至少一个前侧接触结构，所述前侧接触结构构成为与所述半导体基底前侧上的所述发射极区域导电地相连；以及在所述太阳能电池的背侧上形成至少一个背侧接触结构，所述背侧接触结构构成为与所述导通接触结构导电地相连。本发明的特征在于，在方法步骤B和/或在其它的方法步骤中，附加地在所述半导体基底中在所述孔口的壁上分别构成从前侧延伸到背侧的发射极掺杂型的导通发射极区域；在方法步骤C中，施加所述绝缘层，使所述绝缘层覆盖半导体基底的所述背侧，必要时覆盖其它的位于中间的中间层；在方法步骤D中：将背侧接触结构施加在绝缘层上，必要时施加在其它中间层上，使得背侧接触结构在半导体基底的具有基极掺杂的区域上延伸，并且在所述区域中，至少由于位于其间的绝缘层而在背侧接触结构和半导体基底之间形成电绝缘；并且将所述基极接触结构施加在所述绝缘层上，必要时施加在其它的中间层上，使得所述基极接触结构至少部分地透过所述绝缘层，从而在基极接触结构和半导体基底之间产生导电连接。此外本发明还涉及了一种光伏太阳能电池。

8. 发明公开

CN103887359A 聚光器系统无效
公开(公告)号：CN103887359A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310706034.8
申请日：2013-12-19
申请人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
发明人：托比亚斯·费尔默斯 , D·比罗 , F·克莱芒
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H02S40/22
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/022433 , H01L31/042 , H01L31/0504 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要：本发明涉及聚光器系统，包括聚光器单元和接收器，接收器具有承载基材和至少一个光伏太阳能电池，太阳能电池被构成为光伏半导体太阳能电池，其具有至少一个基极区、至少一个发射极区、与基极区导电相连并被构造用于外部的导电布线连接的至少一个金属基极接触结构和与发射极区导电相连并被构造用于外部的导电接通的至少一个金属发射极接触结构，其中，基极接触结构和发射极接触结构间接或直接设置在太阳能电池的正面，在太阳能电池的背面间接或直接设置与基极导电相连的至少一个基极背面金属化部，太阳能电池具有至少一个金属基极通路结构，其从基极背面金属化部延伸向基极接触结构，从而基极背面金属化部和基极接触结构通过基极通路结构导电相连。

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