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1. 发明公开

CN105378844A 非易失性随机存取存储器有权转让
公开(公告)号：CN105378844A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480016748.9
申请日：2014-03-11
申请人：株式会社东芝 , SK海力士公司
发明人：白井丰 , 清水直树 , 土田贤二 , 渡边阳二 , J·H·辈 , Y·H·金
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/1039 , G11C7/222 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C8/18 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
摘要：根据一个实施例，存储器包括具有存储体的存储器单元阵列，每个存储体包括行；对应于行提供的第一字线；锁存第一行地址信号的地址锁存电路；激活第一字线中的一个第一字线的行译码器；以及控制电路，该控制电路被配置为执行当加载第一命令时基于存储体地址信号激活存储体中的一个存储体的第一操作，以及在地址锁存电路中锁存第一行地址信号的第二操作，并且执行当在第一命令之后加载第二命令时，基于第二行地址信号和被锁存在地址锁存电路中的第一行地址信号，通过行译码器激活第一字线中的一个第一字线的第三操作。

2. 发明公开

CN1658327A 半导体存储器失效
公开(公告)号：CN1658327A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510054330.X
申请日：2002-06-04
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 吉田宗博 , 渡边阳二
IPC分类号： G11C11/34 , G11C7/00 , G11C8/00 , H01L27/105
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/785
摘要：半导体存储器具有：单元阵列及布置在其中的用于沿其第一方向选择存储单元的若干第一标准元件，布置在该单元阵列内以与对应的第一标准元件一起工作，从而沿其第二方向选择存储单元的第二标准元件，用于替换缺陷第一标准元件的第一冗余元件，及用于替换第二标准元件的第二冗余元件。在单元阵列内还规定允许借助各第一冗余元件替换的一组第一标准元件作为第一修复或“解除”区，以及允许利用各个第二冗余元件替换的一组第二标准元件作为第二解除区。独立控制是否用第一冗余元件替换同时激活的两个第一标准元件；另外，包含所述两个第一标准元件中的一个的第一解除区内的缺陷第二标准元件被和所述两个第一标准元件中的另一个协同的第二冗余元件替换。

3. 发明公开

CN1366308A 为优化测试技术和冗余技术而形成的半导体存储器件失效
公开(公告)号：CN1366308A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN02101900.2
申请日：2002-01-17
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 平隆志 , 石冢研次 , 渡边阳二 , 吉田宗博
IPC分类号： G11C11/4063 , H01L27/10
CPC分类号： G11C29/785 , G11C29/26 , G11C29/787 , G11C2029/2602
摘要：提供的一种半导体存储器件是其中只是缺陷元件由行冗余元件替换以补偿缺陷,条件是如果多个元件中至少有一个在存储单元阵列中的多个元件同时启用的场合是有缺陷的,其构成包括配置成为可通过根据一个确定行冗余替换是否执行的信号(HITL,HITR)来防止字线状态信号(WLE)被接收而中断缺陷元件的操作的阵列控制电路(12),其中字线状态信号是经单信号线(13－1)输入到单元阵列部件(11A,11B)中的多个存储块(11A－1至11A－31,11B－1至11B－31)中。

4. 发明授权

CN1265457C 具有冗余系统的半导体存储器件失效
公开(公告)号：CN1265457C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02101810.3
申请日：2002-01-11
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 渡边阳二
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： G11C29/787
摘要：一种半导体存储器件，它具有存储器系统和包括用来消除存储器系统中的多个缺陷的冗余元件的冗余系统，其中的冗余系统具有多个各包括用来对存储器系统中的有缺陷地址进行编程的地址熔丝以及用来防止冗余元件在不使用时被选择的主熔丝的熔丝组，且至少一个主熔丝被多个熔丝组中的至少二个熔丝组共用。

5. 发明授权

CN1249725C 为优化测试技术和冗余技术而形成的半导体存储器件失效
公开(公告)号：CN1249725C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02101900.2
申请日：2002-01-17
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 平隆志 , 石冢研次 , 渡边阳二 , 吉田宗博
IPC分类号： G11C11/4063 , H01L27/10
CPC分类号： G11C29/785 , G11C29/26 , G11C29/787 , G11C2029/2602
摘要：提供的一种半导体存储器件是其中只是缺陷元件由行冗余元件替换以补偿缺陷，条件是如果多个元件中至少有一个在存储单元阵列中的多个元件同时启用的场合是有缺陷的，其构成包括配置成为可通过根据一个确定行冗余替换是否执行的信号(HITL，HITR)来防止字线状态信号(WLE)被接收而中断缺陷元件的操作的阵列控制电路(12)，其中字线状态信号是经单信号线(13-1)输入到单元阵列部件(11A，11B)中的多个存储块(11A-1至11A-31，11B-1至11B-31)中。

6. 发明公开

CN1389916A 半导体存储器失效
公开(公告)号：CN1389916A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02122455.2
申请日：2002-06-04
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 吉田宗博 , 渡边阳二
IPC分类号： H01L27/00 , G11C11/34
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/785
摘要：一种半导体存储器具有:一个单元阵列,布置在该单元阵列内用于沿单元阵列的第一方向选择存储单元的若干第一标准元件,布置在所述单元阵列内用来和对应的一个或多个第一标准元件一起工作,从而沿单元阵列的第二方向选择存储单元的第二标准元件,用于替换单元阵列内的缺陷第一标准元件的第一冗余元件,以及用于替换单元阵列内的缺陷第二标准元件的第二冗余元件。在单元阵列内还规定第一修复或“解除”区和第二解除区,所述第一修复或“解除”区是允许借助各个第一冗余元件替换的一组第一标准元件,所述第二解除区是允许利用各个第二冗余元件替换的一组第二标准元件。独立控制是否用第一冗余元件替换同时激活的两个第一标准元件;另外,包含同时激活的两个第一元件中的任意一个的第一解除区内的缺陷的第二标准元件被和同时激活的两个第一标准元件中的另一个第一标准元件协同的用于选择存储单元的第二冗余元件替换。

7. 发明授权

CN100541655C 半导体存储器失效
公开(公告)号：CN100541655C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200510054330.X
申请日：2002-06-04
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 吉田宗博 , 渡边阳二
IPC分类号： G11C11/34 , G11C7/00 , G11C8/00 , H01L27/105
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/785
摘要：半导体存储器具有：单元阵列及布置在其中的用于沿其第一方向选择存储单元的若干第一标准元件，布置在该单元阵列内以与对应的第一标准元件一起工作，从而沿其第二方向选择存储单元的第二标准元件，用于替换缺陷第一标准元件的第一冗余元件，及用于替换第二标准元件的第二冗余元件。在单元阵列内还规定允许借助各第一冗余元件替换的一组第一标准元件作为第一修复或“解除”区，以及允许利用各个第二冗余元件替换的一组第二标准元件作为第二解除区。独立控制是否用第一冗余元件替换同时激活的两个第一标准元件；另外，包含所述两个第一标准元件中的一个的第一解除区内的缺陷第二标准元件被和所述两个第一标准元件中的另一个协同的第二冗余元件替换。

8. 发明授权

CN1199275C 半导体存储器失效
公开(公告)号：CN1199275C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02122455.2
申请日：2002-06-04
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 吉田宗博 , 渡边阳二
IPC分类号： H01L27/00 , G11C11/34
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/785
摘要：一种半导体存储器，包括：具有若干存储单元的单元阵列；在所述单元阵列内，各自被定义为沿第一方向排列的一组存储单元并且具有用于存储单元选择的第一选择线的若干第一标准元件；在所述单元阵列内，各自被定义为沿第二方向排列的一组存储单元并且具有用于存储单元选择的第二选择线的若干第二标准元件，每个所述第二标准元件选择操作上与对应的一个所述第一标准元件相关的一个或多个存储单元；用于替换所述单元阵列内的缺陷第一标准元件的若干第一冗余元件；用于替换所述单元阵列内的缺陷第二标准元件的若干第二冗余元件；在所述单元阵列内，各自被定义为允许用每个所述第一冗余元件来替换的一组第一标准元件的第一修复区；和在所述单元阵列内，各自被定义为允许用每个所述第二冗余元件来替换的一组第二标准元件的第二修复区，其中：所述若干第一标准元件中的至少两个第一标准元件被同时激活，相互独立地控制是否用所述第一冗余元件来替换如此被同时激活的至少两个第一标准元件中的每一个，以及修复在包括所述被同时激活的至少两个第一标准元件之一的一个所述第一修复区内具有缺陷的第二标准元件的至少一个所述第二冗余元件不和所述同时激活的至少两个第一标准元件的所述一个相交。

9. 发明公开

CN1365148A 具有冗余系统的半导体存储器件失效
公开(公告)号：CN1365148A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN02101810.3
申请日：2002-01-11
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤大辅 , 渡边阳二
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： G11C29/787
摘要：一种半导体存储器件,它具有存储器系统和包括用来消除存储器系统中的多个缺陷的冗余元件的冗余系统,其中的冗余系统具有多个各包括用来对存储器系统中的有缺陷地址进行编程的地址熔丝以及用来防止冗余元件在不使用时被选择的主熔丝的熔丝组,且至少一个主熔丝被多个熔丝组中的至少二个熔丝组共用。

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