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1. 发明授权

CN110867485B 半导体装置和电源转换装置有权
公开(公告)号：CN110867485B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910615173.7
申请日：2019-07-09
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：古川智康 , 守田俊章 , 川濑大助 , 田畑利仁
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/861
摘要：本发明提供一种半导体装置和电源转换装置，该半导体装置具有包含化学镀Ni层的电极，且化学镀Ni层中裂纹的产生少，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备半导体元件和形成于前述半导体元件的第一表面的第一电极，前述第一电极为包含第一化学镀Ni层的层叠结构，前述第一化学镀Ni层含有Ni(镍)和P(磷)作为组成，前述第一化学镀Ni层的P(磷)浓度为2.5wt％以上6wt％以下，且前述第一化学镀Ni层中的Ni3P的结晶化率为0％以上20％以下。

2. 发明公开

CN117253912A 半导体装置和电源转换装置审中-实审
公开(公告)号：CN117253912A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311274137.1
申请日：2019-07-09
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：古川智康 , 守田俊章 , 川濑大助 , 田畑利仁
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/861
摘要：本发明提供半导体装置和电源转换装置。半导体装置具备半导体元件和形成于所述半导体元件的第一表面的第一电极，所述第一电极包含第一化学镀Ni层，所述第一化学镀Ni层含有Ni(镍)和P(磷)作为组成，所述第一化学镀Ni层的P(磷)浓度为2.5wt％以上6wt％以下，所述第一化学镀Ni层的X射线衍射图形中具有Ni(111)和Ni(200)的衍射峰，并且在镀膜形成后的400℃以下的热处理后，所述第一化学镀Ni层中的Ni3P的结晶化率为不因所述热处理的热负荷而产生裂纹的0％以上20％以下，所述第一化学镀Ni层在镀膜形成后的400℃以下的热处理后的Ni(镍)的结晶化率为70％以上95％以下。

3. 发明公开

CN116457938A 半导体模块审中-实审
公开(公告)号：CN116457938A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180076704.5
申请日：2021-10-15
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：芦田喜章 , 川濑大助 , 佐佐木康二
IPC分类号： H01L23/28
摘要：本发明提供一种具有功率半导体芯片的半导体模块，其为粘接于基底的树脂制壳体的粘接位置的偏差小且能够降低壳体与基底粘接部的应力的组装品质及可靠性高的半导体模块。该半导体模块具有：基底；绝缘基板，其接合于上述基底；半导体芯片，其接合于上述绝缘基板；以及壳体，其通过粘接材料粘接于上述基底，该半导体模块的特征在于，上述基底由板状的第一材料和覆盖上述第一材料且线膨胀系数比上述第一材料的线膨胀系数大的第二材料构成，在俯视上述基底的情况下，上述第二材料具有：第一区域，其配置于上述基底的角部；以及第二区域，其配置于上述基底的外周部且宽度比上述第一区域的宽度窄，上述壳体覆盖上述基底的侧面的至少一部分，至少在上述基底的上表面通过上述粘接材料与上述基底粘接，并且，上述壳体的线膨胀系数比上述第一材料的线膨胀系数大，在将从上述基底的边的中央到上述基底的端部的长度设为L1，将从上述基底的边的中央到上述第一区域与上述第二区域的边界的长度设为L2时，L1‑L2比上述基底的板厚厚，在将从上述基底的边的中央到上述基底的侧面上的粘接上述基底和上述壳体的上述粘接材料的上述基底的上述角部侧的端部的长度设为L3，且在上述基底的侧面没有上述粘接材料的情况下，在设定为L3＝0时，满足L3≥L2或L2‑L3≥L1‑L2。

4. 发明公开

CN117461131A 功率半导体模块以及使用其的电力变换装置审中-实审
公开(公告)号：CN117461131A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280040718.6
申请日：2022-05-10
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：新井大夏 , 川濑大助 , 三间彬 , 齐藤克明
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/00 , H01L23/552
摘要：提供一种功率半导体模块，将栅极端子和发射极感测端子相互相邻地配置、并且在它们的附近配置主电路布线，该功率半导体模块可靠性高，能够有效地抑制由于在主电路布线中流过的电流发生的感应磁场对栅极端子以及发射极感测端子造成的影响。其特征在于，具备：栅极端子，被输入控制信号；基准电位端子，与所述栅极端子隔开预定的间隙而相邻地配置；主电路布线，配置于所述栅极端子以及所述基准电位端子的附近；以及电磁屏蔽部，配置于所述栅极端子与所述基准电位端子之间，遮蔽由于在所述主电路布线中流过的电流发生的感应磁场，所述电磁屏蔽部与所述栅极端子以及所述基准电位端子的至少某一方一体地形成，在所述栅极端子与所述基准电位端子之间，从所述感应磁场的磁通与所述电磁屏蔽部交链的方向观察时的未被所述电磁屏蔽部遮蔽的间隙是1mm以下。

5. 发明公开

CN117355939A 功率半导体模块以及电力转换装置审中-实审
公开(公告)号：CN117355939A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280036273.4
申请日：2022-05-10
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：三间彬 , 新井大夏 , 川濑大助 , 齐藤克明 , 竹内悠次郎
IPC分类号： H01L25/07
摘要：本发明提供一种具有能够降低在内部配线中产生的电振动的内部配线结构的功率半导体模块以及电力转换装置。本发明的功率半导体模块具备上臂和下臂，上臂具有：第一基板，其搭载有包含第一开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第二基板，其搭载有包含与第一开关元件并联连接的第二开关元件的至少一个功率半导体芯片，下臂具有：第三基板，其搭载有包含第三开关元件的至少一个功率半导体芯片；以及第四基板，其搭载有包含与第三开关元件并联连接的第四开关元件的至少一个功率半导体芯片，上臂具有第一配线，该第一配线连接第一基板与第二基板，且将第一开关元件的发射极或源极与第二开关元件的发射极或源极连接，第一配线配置在与上臂的功率半导体芯片中的位于离下臂最远的位置的功率半导体芯片的离所述下臂远的一侧的端部相比更远离下臂的位置。

6. 发明公开

CN113725279A 半导体装置及电力转换装置审中-实审
公开(公告)号：CN113725279A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110541791.9
申请日：2021-05-18
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：古川智康 , 川濑大助
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/739
摘要：本发明提供半导体装置及电力转换装置，在具有利用护圈包围半导体有源区域的终端构造的半导体装置中，可抑制连接于护圈的金属层的腐蚀，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备形成于半导体基板的主面的有源区域和以包围有源区域的方式形成于主面的护圈区域，护圈区域具有：护圈，其形成于半导体基板；层间绝缘膜，其以覆盖护圈的方式形成于半导体基板上；场板，其配置于层间绝缘膜上，经由贯通层间绝缘膜的触头与护圈电连接；以及保护膜，其覆盖场板，场板由与护圈接触的第一金属和接触地配置于第一金属上且标准电位比第一金属低的第二金属的层叠构造构成，第一金属的与保护膜的接触面积相对于第二金属的与保护膜的接触面积的比例为0.05以下。

7. 发明公开

CN117480719A 半导体模块的过电流检测装置以及使用它的半导体模块、半导体模块的过电流检测方法审中-实审
公开(公告)号：CN117480719A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040719.0
申请日：2022-05-10
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：三间彬 , 景山宽 , 新井大夏 , 齐藤克明 , 川濑大助 , 和田崇
IPC分类号： H02M7/5387
摘要：提供在将多个逆变器电路并联连接而构成的半导体模块中，能够用比较简单的电路结构高精度地检测功率半导体元件的短路电流的半导体模块的过电流检测装置。一种半导体模块的过电流检测装置，检测并联连接结构的半导体模块的过电流，该半导体模块具有：第1逆变器电路，搭载有第1上支路和第1下支路；以及第2逆变器电路，与所述第1逆变器电路并联连接，搭载有第2上支路和第2下支路，其特征在于，所述第1逆变器电路在所述第1上支路的发射极与所述第1下支路的集电极之间具有第1输出端子，所述第2逆变器电路在所述第2上支路的发射极与所述第2下支路的集电极之间具有第2输出端子，用布线连接所述第1输出端子和所述第2输出端子，并且在所述第1输出端子和所述第2输出端子的中点安装有向外部的输出布线，所述第1输出端子与所述中点之间的布线电感和所述第2输出端子与所述中点之间的布线电感大致相等，检测所述第1输出端子与所述第2输出端子之间的电位差，在该检测的电位差超过预定的阈值的情况下，判定为发生过电流。

8. 发明公开

CN110867485A 半导体装置和电源转换装置有权
公开(公告)号：CN110867485A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910615173.7
申请日：2019-07-09
申请人：株式会社日立功率半导体
发明人：古川智康 , 守田俊章 , 川濑大助 , 田畑利仁
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/861
摘要：本发明提供一种半导体装置和电源转换装置，该半导体装置具有包含化学镀Ni层的电极，且化学镀Ni层中裂纹的产生少，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备半导体元件和形成于前述半导体元件的第一表面的第一电极，前述第一电极为包含第一化学镀Ni层的层叠结构，前述第一化学镀Ni层含有Ni(镍)和P(磷)作为组成，前述第一化学镀Ni层的P(磷)浓度为2.5wt％以上6wt％以下，且前述第一化学镀Ni层中的Ni3P的结晶化率为0％以上20％以下。

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