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1. 发明授权

CN108136539B 激光加工方法及激光加工装置有权
公开(公告)号：CN108136539B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201680056478.3
申请日：2016-08-09
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：荻原孝文 , 近藤裕太
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/04 , B23K26/53 , H01L21/78
摘要：一种方法，具备：第1工序，将背面作为入射面而使激光聚光于具有表面及背面的加工对象物，将表面和激光的第1聚光点的距离维持为第1距离并沿着被设定成通过相邻的有效区域和非有效区域之间的切断预定线使第1聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第1改质区域；和第2工序，将上述背面作为入射面而使上述激光聚光于上述加工对象物，将上述表面和上述激光的第2聚光点的距离维持为较上述第1距离大的第2距离并沿着上述切断预定线使上述第2聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第2改质区域。

2. 发明授权

CN110945628B 层叠型元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN110945628B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201880048563.4
申请日：2018-07-18
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：坂本刚志 , 杉浦隆二 , 近藤裕太 , 内山直己
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53
摘要：层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。

3. 发明授权

CN110678965B 加工对象物切割方法有权
公开(公告)号：CN110678965B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201880033106.8
申请日：2018-05-17
申请人：协立化学产业株式会社 , 浜松光子学株式会社
发明人：朽木干春 , 金田秀文 , 栗田大亮 , 坂本刚志 , 荻原孝文 , 近藤裕太 , 内山直己
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/16 , B23K26/53
摘要：本发明的加工对象物切割方法包括：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，第1工序之后，沿着切割预定线对于加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序之后，从加工对象物的包含侧面的外缘部向间隙填充树脂；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。

4. 发明公开

CN110945629A 层叠型元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN110945629A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048622.8
申请日：2018-07-13
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：坂本刚志 , 杉浦隆二 , 近藤裕太 , 内山直己
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/322
摘要：层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。

5. 发明授权

CN110945630B 层叠型元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN110945630B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201880048624.7
申请日：2018-07-13
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：坂本刚志 , 杉浦隆二 , 近藤裕太 , 内山直己
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/53
摘要：层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板。

6. 发明授权

CN110945629B 层叠型元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN110945629B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880048622.8
申请日：2018-07-13
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：坂本刚志 , 杉浦隆二 , 近藤裕太 , 内山直己
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/322
摘要：层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。

7. 发明授权

CN108028189B 激光加工方法有权
公开(公告)号：CN108028189B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201680056475.X
申请日：2016-08-08
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：荻原孝文 , 近藤裕太
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/046 , B23K26/53
摘要：对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。

8. 发明公开

CN108136539A 激光加工方法及激光加工装置有权
公开(公告)号：CN108136539A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056478.3
申请日：2016-08-09
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：荻原孝文 , 近藤裕太
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/04 , B23K26/53 , H01L21/78
摘要：一种方法，具备：第1工序，将背面作为入射面而使激光聚光于具有表面及背面的加工对象物，将表面和激光的第1聚光点的距离维持为第1距离并沿着被设定成通过相邻的有效区域和非有效区域之间的切断预定线使第1聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第1改质区域；和第2工序，将上述背面作为入射面而使上述激光聚光于上述加工对象物，将上述表面和上述激光的第2聚光点的距离维持为较上述第1距离大的第2距离并沿着上述切断预定线使上述第2聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第2改质区域。

9. 发明公开

CN117381202A 激光加工装置审中-公开
公开(公告)号：CN117381202A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310838418.9
申请日：2023-07-10
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：荻原孝文 , 近藤裕太 , 山田丈史
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/06 , B23K26/046 , B23K26/064
摘要：激光加工装置(1)具备：激光光源部(3)，其输出激光(L)；空间光调制器(51)，其包含从激光光源部(3)输出的激光(L)入射的调制面(51a)，且用于通过将调制图案显示于调制面(51a)而根据调制图案调制激光(L)而出射；聚光透镜(54)，其用于将从空间光调制器(51)出射的激光(L)聚光于对象物(11)的内部；挡板(55)，其在空间光调制器(51)和聚光透镜(54)之间遮断激光(L)的一部分；以及控制部(9)。控制部(9)执行切换包含衍射图案(MP3)的调制图案的切换处理。挡板(55)遮断激光(L)中的通过衍射图案(MP3)生成的衍射光(Lg)以使其不入射于聚光透镜(54)。

10. 发明公开

CN112384324A 激光加工装置有权
公开(公告)号：CN112384324A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045035.8
申请日：2019-07-01
申请人：浜松光子学株式会社
发明人：福冈大岳 , 近藤裕太
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/046 , B23K26/064 , H01L21/301
摘要：一种激光加工装置，是通过沿着加工预定线向加工对象物照射激光，从而沿着上述加工预定线进行上述加工对象物的激光加工的激光加工装置，具备：激光光源，其输出上述激光；测定光源，其输出测定光；聚光单元，其将上述激光朝向上述加工对象物聚光而形成第1聚光点，并将上述测定光朝向上述加工对象物聚光而形成第2聚光点；测定部，其用于对应于上述加工对象物中的上述激光及上述测定光的入射面上的上述测定光的反射光来测定上述入射面的位移；调整部，其对应于上述入射面的位移的测定结果，调整关于与上述入射面交叉的方向的上述第1聚光点的位置；空间光调制器，其用于在上述激光光源与上述聚光单元之间，对应于调制图案来调制上述激光；以及控制部，其控制提示给上述空间光调制器的调制图案，上述控制部将包含用于对应于上述第1聚光点与上述第2聚光点之间的距离、以及从上述入射面起的上述激光加工的加工深度来变更关于与上述入射面交叉的方向的上述第1聚光点的位置的聚光位置变更图案的上述调制图案提示给上述空间光调制器。

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