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    • 2. 发明公开
    • 测试装置、控制设备系统和用于测试的方法
    • CN115362378A
    • 2022-11-18
    • CN202180028604.5
    • 2021-04-08
    • 罗伯特·博世有限公司
    • S·朗格A·施密德莱因
    • G01R31/28
    • 提出一种用于对电结构元件(40‑48)和/或印制导线结构(50‑58)进行测试的测试装置(10),其中所述测试装置(10)具有多个测试位置(20‑28),所述测试位置用于分别接纳电结构元件(40‑48)并且/或者分别接纳印制导线结构(50‑58),其中所述测试装置(10)还具有用于选择所述测试位置(20‑28)之一的选择机构,其中所述测试装置(10)具有成行(11‑13)布置的电导线和成列(16‑19)布置的电导线,以用于给布置在所选择的测试位置(20‑28)处的电结构元件(40‑48)和/或布置在所选择的测试位置(20‑28)处的印制导线结构(50‑58)供给交流电压,其中所述测试装置(10)具有Z二极管(30‑38)和信号发生器(50),其中所述Z二极管(30‑38)用于将在相应的测试位置(20‑28)处的相应的电结构元件(40‑48)和/或相应的印制导线结构(50‑58)经由所述Z二极管(30‑38)之一与电导线的排(11‑13)之一电连接起来,其中所述信号发生器(50)被构造用于产生测试信号,所述测试信号具有作为矩形信号和波形信号、尤其是正弦信号的和的电压信号,并且其中所述矩形信号的最大电压至少相应于所选择的测试位置(20‑28)的相应的Z二极管(30‑38)的击穿电压,其特征在于电迁移机构(90),所述电迁移机构用于将直流电压信号加载到所述电结构元件(40‑48)和/或印制导线结构(50‑58)上,以便在所述电结构元件(40‑48)和/或印制导线结构(50‑58)中产生电迁移,其中所述直流电压信号的电压大于所选择的测试位置(20‑28)的相应的Z二极管(30‑38)的击穿电压。