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1. 发明公开

CN117897800A 带有至少一个功率半导体的电子模块和用于制造该电子模块的方法审中-实审
公开(公告)号：CN117897800A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280058887.2
申请日：2022-07-29
申请人：罗伯特·博世有限公司
发明人： T·基德罗斯基 , H·韦安德 , J·梅克巴赫 , L·勒伯尔 , A·S·费舍尔
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/373 , H01L23/473
摘要：本发明涉及一种电子模块(100)，其带有至少一个与接触布置结构(20)电连接的功率半导体(10)，并且带有至少一个用于至少间接地冷却至少一个功率半导体(10)的冷却元件(32、34、36)。

2. 发明公开

CN118019609A 空间光调制设备和用于运行空间光调制器的方法审中-公开
公开(公告)号：CN118019609A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280064958.X
申请日：2022-09-19
申请人：罗伯特·博世有限公司
发明人： T·基德罗斯基 , M·斯洛兹克 , D·米哈伊洛夫 , T·格拉夫
IPC分类号： B23K26/06 , G02B27/09 , G02B26/06
摘要：本发明涉及一种空间光调制设备，具有空间光调制器(30)，所述空间光调制器包括光调制像素的一维或多维场(32)；控制装置(34)，借助于所述控制装置可以借助于相应的控制参量(36)操控一维或多维场(32)的像素或像素组；和传感器装置(38)，借助于所述传感器装置可以测定相应像素或相应像素组的局部实际相移并且可以输出给所述控制装置(34)；其中所述控制装置(34)附加地被构造和/或编程用于根据在至少两个不同的时间为所述一维或多维场(32)的至少一个选定像素输出的实际相移测定特定相移关系，在所述至少两个不同的时间，所述空间光调制设备的接通时间、所输出的控制参量(36)中的至少一个和/或至少一个物理参量具有至少两个不同的值，所述特定相移关系根据所述接通时间、所述控制参量(36)和/或所述至少一个物理参量反映相应像素的可能局部相移(Φ)。

3. 发明公开

CN117882178A 带有在两个电路载体之间的功率半导体结构元件的电子布置结构及制造电子布置结构的方法审中-实审
公开(公告)号：CN117882178A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058880.0
申请日：2022-07-29
申请人：罗伯特·博世有限公司
发明人： T·基德罗斯基 , H·韦安德 , J·梅克巴赫 , L·勒伯尔 , A·S·费舍尔
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/498
摘要：本发明涉及一种带有功率半导体结构元件(10)和电路载体(14)的电子布置结构(100)，其中，功率半导体结构元件(10)在对置的侧面上分别具有至少一个接触区域(22、24、26)，并且其中，面向电路载体(14)的至少一个接触区域(22、24)与电路载体(14)的联接区域(28、30)电接触，其中，功率半导体结构元件(10)在背离电路载体(14)的侧面上在至少一个接触区域(26)的区域中与另外的电路载体(18)电接触，其中，在至少一个接触区域(22、24、26)上和/或电路载体(14、18)的联接区域(28、30、32)上布置有以增材式工艺所产生的连接层(36、38、40)，并且其中，至少一个连接层(36、38、40)借助于钎焊连接部与联接区域(28、30、32)和/或接触区域(22、24、26)连接。连接层(36、38、40)能够在垂直于功率半导体结构元件(10)的表面延伸的方向或平面中尤其由于连接层(36、38、40)具有人字型图案(44)的构造方式而具有比在平行于功率半导体结构元件(10)的表面延伸的方向或平面中更小的弹性模量。由此，沿双箭头(45)的方向延伸的热机械的应力被弹簧元件意义上的连接层(36、38、40)至少部分地吸收或抵消，并且减少了相应的应力到功率半导体结构元件(10)或电路载体(14、18)处的传递。连接层(36、38、40)能够由金属原材料的多个层形成，其中，所述层中的至少一些层在平行于功率半导体结构元件(10)的表面延伸的平面中能够具有缺口(42)或空隙，并且其中，所述连接层(36、38、40)的至少一个构造在接触区域(22、24、26)或联接区域(28、30、32)上的第一层能够构造成全面状的层。电路载体(14)和另外的电路载体(18)能够在必要时中间放置接触元件(46)的情况下在功率半导体结构元件(10)外的区域中与彼此电接触，其中，在接触的区域中布置有至少一个以增材式工艺所产生的连接层(54、56)。

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