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1. 发明授权

CN110277395B 存储装置有权转让
公开(公告)号：CN110277395B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810847481.8
申请日：2018-07-27
申请人：铠侠股份有限公司
发明人：小宫怜子 , 泉达雄 , 山中贵哉 , 长友健 , 高木华梨
IPC分类号： H10B41/41 , H10B41/20 , H10B43/40 , H10B43/20
摘要：实施方式提供一种能够防止单元电流降低的存储装置。实施方式的存储装置具备导电层、多个第1电极层、第1半导体层、第1绝缘膜、第2电极层、及半导体基底。多个第1电极层积层在导电层的上方。第1半导体层沿着从导电层朝向多个第1电极层的第1方向贯通多个第1电极。第1绝缘膜以包围第1半导体层的方式，设置在多个第1电极层与第1半导体层之间，且包含沿着从第1半导体层朝向多个第1电极层中的1个第1电极层的第2方向依序设置的第1膜、第2膜及第3膜。第2电极层设置在多个第1电极层中最靠近导电层的第1电极层与导电层之间。半导体基底在导电层与第1半导体层之间连接在第1半导体层，且沿第1方向贯通第2电极层。与第1半导体层相接的半导体基底的表面和第2膜之间的第1方向上的间隔大于第2方向上的第3膜的膜厚。第1半导体层由第1绝缘膜包围的部分中的外周的第2方向上的最小宽度与第1半导体层贯通最靠近的第1电极的部分的外周的所述第2方向的第1宽度大致相同。第1半导体层位于半导体基底与第1绝缘膜之间的水平面的外周的第2方向上的第2宽度与第1宽度大致相同，或者大于第1宽度，且小于将第1半导体层贯通最靠近的第1电极的部分覆盖的第1绝缘膜的第2方向上的外周的第3宽度。

2. 发明授权

CN111989776B 半导体存储装置有权
公开(公告)号：CN111989776B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201980017141.5
申请日：2019-03-11
申请人：铠侠股份有限公司
发明人：长友健 , 泉达雄 , 铃木亮太 , 西川拓也 , 中岛康人 , 高山大希 , 内藤大明 , 川口元气
IPC分类号： H10B43/27 , H01L21/336 , H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：半导体存储装置(1)具有：多个第一电极层(SGS，WL1)，沿第一方向(Z)层叠；多个第二电极层(WL2，SGD)，沿所述第一方向层叠；第一柱状体(PB1)，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；第二柱状体(PB2)，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层；连接部(JP)，连接所述第一柱状体和所述第二柱状体；以及岛状的垫片膜所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。(20)，包围所述连接部。所述多个第一电极层和

3. 发明公开

CN111989776A 半导体存储装置有权
公开(公告)号：CN111989776A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980017141.5
申请日：2019-03-11
申请人：铠侠股份有限公司
发明人：长友健 , 泉达雄 , 铃木亮太 , 西川拓也 , 中岛康人 , 高山大希 , 内藤大明 , 川口元气
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：半导体存储装置(1)具有：多个第一电极层(SGS，WL1)，沿第一方向(Z)层叠；多个第二电极层(WL2，SGD)，沿所述第一方向层叠；第一柱状体(PB1)，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；第二柱状体(PB2)，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层；连接部(JP)，连接所述第一柱状体和所述第二柱状体；以及岛状的垫片膜(20)，包围所述连接部。所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。

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