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    • 1. 发明公开
    • 具有焊接到管芯或基板的重分布层的高纵横比互连的集成电路封装及对应制造方法
    • CN107690699A
    • 2018-02-13
    • CN201680028746.0
    • 2016-05-20
    • 高通股份有限公司
    • R·T·欧法拉度L·A·凯瑟T·崔
    • H01L23/498H01L21/48H01L21/60
    • 一种封装(例如,晶片级封装)(300,1102),该封装包括管芯(305)、耦合到管芯(305)的重分布部分(306)、耦合到封装(300,1102)的重分布部分(306)的第一高纵横比互连(308,1150,1152),其中第一高纵横比互连(308,1150,1152)包括大约至少1:2的宽度与高度比,以及耦合到第一高纵横比互连(308,1150,1152)和重分布部分(306)的第一焊料互连(380,1130,1132)。封装(1102)可由第二焊料互连(1180,1182)耦合到印刷电路板(1108),该第二焊料互连(1180,1182)耦合到第一高纵横比互连(1150,1152)和印刷电路板(1108)。在替换的实施例中,封装(1600)包括管芯(1604)、耦合到管芯(1604)的多个焊球(1606)、通过该多个焊球(1606)耦合到管芯(1604)的封装基板(1602)、耦合到封装基板(1602)的第一高纵横比互连(1608),其中,第一高纵横比互连(1608)包括大约至少1:2的宽度与高度比,以及耦合到第一高纵横比互连(1608)和封装基板(1602)的第一焊料互连(1610)。该封装可通过第一高纵横比互连(1608)耦合到印刷电路板(1700),高纵横比互连(1608)耦合到印刷电路板(1700)的互连(例如,焊盘)(1138)和焊料互连(1718)。第一高纵横比互连(700,900)可以是复合互连,该复合互连包括第一传导核心(702,902)以及至少部分地包封第一传导核心(702,902)的第一传导层(704,904)。第一传导层(704,904)可以是扩散阻挡。复合互连(900)可进一步包括第二传导层(906),该第二传导层(906)至少部分地包封第一传导层(904)。第二传导层(906)可包括焊料。