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1. 发明公开

CN110050339A 具有低栅极通路电感的功率半导体模块有权转让
公开(公告)号：CN110050339A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780077664.X
申请日：2017-12-14
申请人： ABB瑞士股份有限公司 , 奥迪股份公司
发明人： D.科泰特 , F.特劳布 , J.舒德雷尔 , A.阿佩尔斯迈尔 , J.阿萨姆
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/07
摘要：一种功率半导体模块(10)包括：壳体(60)；壳体(60)内的功率半导体芯片(14)；从壳体(60)突出且与半导体芯片(14)的功率电极(18)相互电连接的功率端子(24)；和从壳体(60)突出且与栅电极(16)和一个功率电极(18)相互电连接的辅助端子(46)；其中三个辅助端子(46a,46b)以同轴辅助端子组件(52)布置，同轴辅助端子组件(52)包括内辅助端子(46a)和布置在内辅助端子(46a)的相反侧部上的两个外辅助端子(46b)。内辅助端子(46a)与栅电极(16)或一个功率电极(18)相互电连接，且两个外辅助端子(46b)与栅电极(16)和一个功率电极(18)中的另一个电连接。

2. 发明授权

CN109417062B 带有堆叠功率电子组件的冷却电子封装有权
公开(公告)号：CN109417062B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780040613.X
申请日：2017-06-26
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： D.卡尼 , J.舒德雷尔 , S.基钦 , L.杜阿尔特
IPC分类号： H01L23/473 , H05K1/02
摘要：电子封装（10）包括导电支承层（20b）；至少一个导电外层（20a、20c）；至少两个功率电子组件（14），布置在支承层（20b）的不同侧上并与支承层（20b）和至少一个外层（20a、20b）电互连；隔离材料（18），在其中嵌入支承层（20b）和至少两个功率电子组件（14），其中支承层（20b）和至少一个外层（20a、20c）与隔离材料（18）层压在一起；以及冷却通道（26），用于传导冷却流体通过电子封装（10），其中冷却通道（26）通过支承层（20b）在至少两个功率电子组件（14）之间延伸。

3. 发明公开

CN110785842A 具有DC端子的同轴布置的半桥模块有权转让
公开(公告)号：CN110785842A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880044227.2
申请日：2018-04-30
申请人： ABB瑞士股份有限公司 , 奥迪股份公司
发明人： F.莫恩 , F.特劳布 , J.舒德雷尔
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/538
摘要：一种半桥模块（10）包括：基板（12），所述基板（12）具有被划分为第一DC传导区域（16）、第二DC传导区域（20）和AC传导区域（18）的底部金属化层（14）；至少一个第一功率半导体开关芯片（22），所述至少一个第一功率半导体开关芯片（22）接合到所述第一DC传导区域（16），并且与所述AC传导区域（18）电互连；至少一个第二功率半导体开关芯片（22），所述至少一个第二功率半导体开关芯片（22）接合到所述AC传导区域（18），并且与所述第二DC传导区域（20）电互连；同轴端子布置（35），所述同轴端子布置（35）包括至少一个内部DC端子（38）、至少一个第一外部DC端子（36）和至少一个第二外部DC端子（40）；其中所述至少一个内部DC端子（38）、所述至少第一外部DC端子（36）和所述至少一个第二外部DC端子（40）从所述模块（10）突出，并且被布置成排，使得所述至少一个内部DC端子（38）同轴地布置在所述至少一个第一外部DC端子（36）和所述至少一个第二外部DC端子（40）之间；其中所述至少一个内部DC端子（38）电连接到所述第二DC传导区域（20）；其中所述至少一个第一外部DC端子（36）和所述至少一个第二外部DC端子（40）电连接到所述第一DC传导区域（16）；并且其中所述至少一个第一外部DC端子（36）和所述至少一个第二外部DC端子（40）利用导电桥接元件（52、70）电互连，所述导电桥接元件（52、70）适于在所述至少一个第一外部DC端子（36）和所述至少一个第二外部DC端子（40）之间分配负载电流的至少一半。

4. 发明公开

CN109983574A 功率半导体模块的制造有权转让
公开(公告)号：CN109983574A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780072618.0
申请日：2017-11-23
申请人： ABB瑞士股份有限公司 , 奥迪股份公司
发明人： F.莫恩 , 柳春雷 , J.舒德雷尔
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L25/07
摘要：一种半制成的功率半导体模块（10）包括：用于接合至少一个功率半导体芯片（22）的衬底（12）；被接合到衬底并且提供功率端子（24）的第一引线框架（14）；以及被接合到衬底并且提供辅助端子（26）的第二引线框架（16）；其中第一引线框架（14）和/或第二引线框架（16）包括适于使第一引线框架（14）和第二引线框架（16）相对于彼此和/或相对于用于在衬底（12）、第一引线框架（14）和第二引线框架（16）周围模塑封装（38）的模具（40）对准的互锁元件（34）。

5. 发明公开

CN108475665A 功率半导体器件和用于生产功率半导体器件的方法有权转让
公开(公告)号：CN108475665A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680078059.X
申请日：2016-10-20
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： L.董策尔 , J.舒德雷尔 , J.多布青斯卡 , J.沃贝基
IPC分类号： H01L23/31 , H01L29/06
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件，该功率半导体器件包含衬底（12），该衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），第一侧（14）和第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，第一侧（14）包含阴极（18），且其中，第二侧（14）包含阳极（20），其中，p/n-结的结端提供在衬底的至少一个表面处，优选地，提供在第一侧（14）和第二侧中的至少一个处，其特征在于，结端被钝化涂层（26）涂覆，钝化涂层（26）包含从由无机-有机复合材料、聚对二甲苯以及包含聚合物颗粒的酚醛树脂组成的组选择的至少一个材料。如上所述的器件（10）因而解决结端的钝化的问题，且因而防止或至少降低重大缺陷（诸如，由膜性质的变化、不稳定性、渗水性、可移动的离子（诸如，钠）的渗透性、针孔和裂纹以及由于退化和应力而导致的铝金属断开或腐蚀所引起的不稳定的器件运行）的危害。

6. 发明公开

CN110268517A 具有短路失效模式的功率半导体模块有权转让
公开(公告)号：CN110268517A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201880009810.X
申请日：2018-02-01
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人：柳春雷 , J.舒德雷尔 , F.布雷姆 , M.拉希莫 , P.K.施泰默 , F.杜加尔
IPC分类号： H01L23/051 , H01L23/535 , H01L23/62 , H01L25/07 , H01L29/16 , H01L23/00
摘要：功率半导体模块（10）包括：基板（12）；包括Si衬底的Si芯片（16a），该Si芯片（16a）附接到基板（12）；利用第一压销（24a）紧压Si芯片（16a）的第一金属预制件（22a）；宽带隙材料芯片（16b），其包括宽带隙衬底和在该宽带隙衬底中提供的半导体开关（28b），该宽带隙材料芯片（16b）附接到基板（12）；以及利用第二压销（24b）紧压宽带隙材料芯片（16b）的第二金属预制件（22b）；其中Si芯片（16a）和宽带隙材料芯片（16b）经由基板（12）并且经由第一压销（24a）和第二压销（24b）并联连接；其中第一金属预制件（22a）适合于在被过电流加热时形成通过Si芯片（16a）的传导路径；并且其中第二金属预制件（22b）适合于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料芯片（16b）的暂时的传导路径或开路。

7. 发明公开

CN109417062A 带有堆叠功率电子组件的冷却电子封装有权
公开(公告)号：CN109417062A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040613.X
申请日：2017-06-26
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： D.卡尼 , J.舒德雷尔 , S.基钦 , L.杜阿尔特
IPC分类号： H01L23/473 , H05K1/02
摘要：电子封装（10）包括导电支承层（20b）；至少一个导电外层（20a、20c）；至少两个功率电子组件（14），布置在支承层（20b）的不同侧上并与支承层（20b）和至少一个外层（20a、20b）电互连；隔离材料（18），在其中嵌入支承层（20b）和至少两个功率电子组件（14），其中支承层（20b）和至少一个外层（20a、20c）与隔离材料（18）层压在一起；以及冷却通道（26），用于传导冷却流体通过电子封装（10），其中冷却通道（26）通过支承层（20b）在至少两个功率电子组件（14）之间延伸。

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