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1. 发明公开

CN108292669A 扁平栅极换向型晶闸管有权转让
公开(公告)号：CN108292669A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680066270.X
申请日：2016-09-09
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： M.阿尔诺德 , U.维穆拉帕蒂
IPC分类号： H01L29/744 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/06
摘要：本发明涉及一种关断型功率半导体器件，该器件包含多个晶闸管单元（52），各个晶闸管单元（52）包含：阴极区（54a、54b）；基极层（55）；漂移层（56）；阳极层（58）；栅极电极（510），布置成横向于与基极层（55）接触的阴极区（54a、54b）；阴极电极（53a、53b）；以及阳极电极（59）。多个晶闸管单元（52）的基极层（55）与栅极电极（510）之间的交界面以及阴极区（54a、54b）与阴极电极（53a、53b）之间的交界面为扁平且共面的。另外，基极层（55）包括栅极阱区（522），栅极阱区（522）从它与栅极电极（510）的接触部延伸至深度（dW），深度（dW）是阴极区（54a、54b）的深度（dC）的至少一半，其中，对于任何深度，该深度处的栅极阱区（522）的最小掺杂浓度是该深度处且横向位置处的位于阴极区（54a、54b）与栅极阱区（522）之间的基极层（55）的掺杂浓度的1.5倍，其中，在到与第一主侧（530）平行的平面上的正交投影中，该横向位置具有从阴极区（54a、54b）起2µm的距离。基极层（55）包括第二传导性类型的补偿区（524），补偿区布置成与第一主侧（530）直接邻接，且位于阴极区（54a、54b、54c）与栅极阱区（522）之间，其中，第一传导性类型的杂质的密度在补偿区中相对于净掺杂浓度至少为0.4。

2. 发明授权

CN105226057B 反向导通功率半导体器件有权转让
公开(公告)号：CN105226057B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510360418.8
申请日：2015-06-26
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： M.拉希莫 , M.阿莫德 , J.沃贝基 , U.维穆拉帕蒂
IPC分类号： H01L27/08 , H01L29/06 , H01L29/861
摘要：提供反向导通功率半导体器件，包括多个二极管单元和多个GCT单元，每个GCT单元包括：晶闸管阴极电极、晶闸管阴极层、晶闸管基层、漂移层、晶闸管缓冲层、晶闸管阳极层以及晶闸管阳极电极。每个GCT单元还包括门电极。各二极管单元包括与二极管阳极层相接触的第一主侧上的二极管阳极电极、二极管漂移层、与晶闸管阳极层交替设置在第二主侧上的二极管阴极层和二极管阴极电极，该器件包括至少一个混合部分，其中二极管单元的二极管阳极层与GCT单元的第一阴极层交替。在各二极管单元中，二极管缓冲层设置在二极管阳极层与漂移层之间，使得二极管缓冲层覆盖从第一主侧至少到二极管阳极层的厚度的90%的深度的二极管阳极层的侧向面。

3. 发明授权

CN108292669B 关断型功率半导体器件及其制造方法有权转让
公开(公告)号：CN108292669B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201680066270.X
申请日：2016-09-09
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： M.阿尔诺德 , U.维穆拉帕蒂
IPC分类号： H01L29/744 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/06
摘要：本发明涉及一种关断型功率半导体器件，该器件包含多个晶闸管单元，各个晶闸管单元包含：阴极区；基极层；漂移层；阳极层；栅极电极，布置成横向于与基极层接触的阴极区；阴极电极；以及阳极电极。多个晶闸管单元的基极层与栅极电极之间的交界面以及阴极区与阴极电极之间的交界面为扁平且共面的。另外，基极层包括栅极阱区，栅极阱区从它与栅极电极的接触部延伸至深度，深度是阴极区的深度的至少一半，其中，对于任何深度，该深度处的栅极阱区的最小掺杂浓度是该深度处且横向位置处的位于阴极区与栅极阱区之间的基极层的掺杂浓度的1.5倍，其中，在到与第一主侧平行的平面上的正交投影中，该横向位置具有从阴极区起2µm的距离。

4. 发明公开

CN107680944A 功率半导体模块有权转让
公开(公告)号：CN107680944A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710652090.6
申请日：2017-08-02
申请人：奥迪股份公司 , ABB瑞士股份有限公司
发明人： J.舒德雷 , U.维穆拉帕蒂 , M.贝里尼 , J.沃贝基
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/62
CPC分类号： H01L23/147 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/535 , H01L23/5386 , H01L23/62 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L29/0634 , H01L29/0646 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1301 , H01L2924/1304 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L23/14 , H01L23/498
摘要：功率半导体模块（10）包含：至少一个功率半导体芯片（14），提供功率电子设备开关；和半导体晶圆（12），至少一个功率半导体芯片（14）结合至半导体晶圆（12）；其中，对半导体晶圆（12）进行掺杂，使得半导体晶圆（12）包含场阻塞区域（25）和场阻塞区域（25）上的导电区域（18），至少一个功率半导体芯片（14）结合至所述导电区域（18）。

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