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1. 发明公开

CN101784891A 气体传感器无效
公开(公告)号：CN101784891A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880103727.5
申请日：2008-08-14
申请人：罗伯特.博世有限公司
发明人： D·利梅斯多夫 , R·菲克斯
IPC分类号： G01N27/414 , G01N33/00
CPC分类号： G01N27/129 , G01N27/4141 , G01N33/0037 , Y02A50/245
摘要：本发明涉及一种用于测定气体混合物特别是内燃机废气中气体成分的气体传感器(10)，其具有涂于由半导体材料制成的基板(13)上的和曝露于待测气体混合物的气敏层(17)，该气敏层(17)含银。

2. 发明公开

CN106814109A 采用p‑n半导体氧化物异质结构的传感器及其使用方法无效
公开(公告)号：CN106814109A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610335029.4
申请日：2016-05-19
申请人：俄亥俄州创新基金会
发明人： P·K·杜塔 , 孙晨虎
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N33/0054 , G01N27/129 , G01N27/30 , G01N27/403 , G01N33/497 , G01N2033/4975 , Y02A50/246 , G01N27/12 , G01N27/128
摘要：本文公开基于p‑n金属氧化物半导体(MOS)异质结构的传感器和系统。本文描述的传感器和系统可以包括感测元件，所述感测元件包括：第一区域，所述第一区域包括p型MOS材料(例如，NiO)；以及第二区域，所述第二区域包括n型MOS材料(例如，In2O3)。这些传感器和系统可以展现对ppb水平下的NH3的敏感性和选择性，而同时辨别千倍以上浓度(ppm)下并且在相当大范围(0至20ppm)内散布的CO、NO或其组合。这些传感器和系统可以用来检测和/或量化样本中的NH3，所述样本包括生物样本(例如，呼吸样本)和燃烧气体。

3. 发明公开

CN1802758A 具有集成的掺杂沟道的参数确定的半导体复合结构、用于其生产和应用的方法无效
公开(公告)号：CN1802758A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015110.X
申请日：2004-05-18
申请人：哈恩-迈特纳研究所柏林有限公司
发明人：迪特马尔·芬克 , 屈特·霍佩 , 亚历山大·彼得罗夫 , 沃尔夫冈·法尔纳 , 亚历山大·乌利亚申 , 伯恩哈德·斯坦斯基 , 乌尔里希·桑德库勒
IPC分类号： H01L51/05 , G01N27/12
CPC分类号： H01L51/0508 , B82Y10/00 , G01N27/129 , H01L21/31695 , H01L29/772 , H01L29/86 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/428 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：已公开的参数确定的半导体复合结构单一功能地工作。为了在同时最大的一致性下实现更大的灵活性，根据本发明的参数确定的半导体复合结构(TEMPOS)具有作为掺杂沟道的纳米级的孔隙(VP)以及在由电绝缘的材料构成的层(EIL)的表面上的孔隙(VP)之间的、由导电的材料(ECM)构成的高阻的覆层，其中形成电阻，它支持附加的载流子在半导体复合结构(PSC)中垂直的迁移，然而阻止在同一侧的电极(o，w)之间的水平迁移。用于半导体复合结构(TEMPOS)的功能调节的基本参数涉及孔隙(VP)的构造以及导电的材料(ECM)的构造，其中该半导体复合结构(TEMPOS)还可以包括差分负电阻(NERPOS)。优选的是孔隙(VP)可以通过离子辐射借助随后的蚀刻而产生，其中蚀刻持续时间决定了孔隙深度和孔隙直径。导电的材料(ECM)可以优选地由导电的纳米团簇(DNC)或者湿度敏感的富勒烯(MOSBIT)构成。应用涉及在模拟和数字实施形式中的、电子的、光电的、湿电子的以及传感器的半导体元器件，这些半导体元器件具有有源的和无源的、热学的、电阻性的、电容性的、频率相关的、化学的和/或抗辐射的特性。

4. 发明公开

CN106546635A 基于p-n异型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法无效
公开(公告)号：CN106546635A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610930445.9
申请日：2016-10-27
申请人：扬州大学
发明人：张超 , 郑兵兵 , 耿欣 , 罗一凡
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/129 , G01N27/127
摘要：本发明涉及基于p-n异型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法。本发明将单晶硅片Si作为绝缘基体，在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端，分别称取硝酸锌和硝酸铜的混合粉末溶于去离子水或有机溶剂中，搅拌得到均匀溶液作为前驱体，通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流，经过蒸发、分解、成核、加热和加速，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。本发明克服了过去润滑涂层中存在的因晶粒长大而导致的涂层性能下降和失效等缺陷。本发明快速制备纳米、多孔结构p-n异型异质结半导体气敏层，重复性好，可以实现多种p-n型半导体材料复合，对低浓度NO2的响应具有灵敏度高、响应速度较快等优点。

5. 发明公开

CN102395878A 气体传感器有权
公开(公告)号：CN102395878A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200980158548.6
申请日：2009-04-06
申请人：森西克有限公司
发明人： M·安德森
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/129 , G01N27/4141 , G01N33/0059
摘要：一种用于在包括氢或含氢物质的气体中检测至少一种非含氢物质的场效应气体传感器(1)。该场效应气体传感器包括：半导体层(2，3)，其具有一个表面；至少一个欧姆接触(8)，其接触该半导体(3)；第一电子绝缘层(7)，其覆盖该半导体层的该表面的至少一部分；第二绝缘层(11)，其包括一种对氢或含氢物质基本呈化学惰性的材料，该第二绝缘层接触该第一电子绝缘层(7)和该半导体层(3)至少之一；至少一个电气接触(12)，其接触该第二绝缘材料(11)且包括一个导电、半导电和/或离子传导层。该场效应气体传感器被配置为使得所述至少一种非含氢物质与所述至少一个电气接触的至少一部分的相互作用影响该导电、半导电和/或离子传导层(12)的功函以及/或者该半导体层(3)中的电场，由此该场效应气体传感器的电流-电压(I-V)或电容-电压(C-V)特性被改变，其中I-V或C-V特性的改变提供了关于所述至少一种非含氢物质在该气体中的存在的信息。该场效应气体传感器在EGR(废气再循环)应用中的用途。一种对氢基本呈化学惰性的材料在场效应气体传感器中的用途。

6. 发明公开

CN101180534A 用于运行气体传感器阵列的电路装置失效
公开(公告)号：CN101180534A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017199.2
申请日：2006-05-02
申请人：罗伯特·博世有限公司
发明人： S·施坦莱奇纳 , B·舒曼 , T·奥克斯 , B·坎普
IPC分类号： G01N33/00 , G01N27/12
CPC分类号： G01N27/129 , G01N33/0031
摘要：在用于运行传感器阵列、特别是探测气体的气体传感器阵列的电路装置中，其中所述传感器阵列具有至少一条信号线(100)，规定：信号线(100)分支成两条并行的线路分支(110，115)，并且在所述两条并行的线路分支(110，115)中分别布置传感器(130，135)和二极管(140，155)，优选地分别为肖特基二极管，其中所述两个二极管(140，155)分别在电气上以相反的方式被极化。借助不同极化的二极管(140，155)能够只通过唯一的一条信号线(100)来使所述两个传感器(130，135)动作。单独通过相应地在信号线上所施加的电势的极化可以确定，测量电流是流经一个还是另一个传感器。

7. 发明公开

CN109030578A 一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法无效
公开(公告)号：CN109030578A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810852258.2
申请日：2018-07-30
申请人：清华大学
发明人：李正操 , 王亚子 , 李明阳 , 冯一盟
IPC分类号： G01N27/12 , G01N21/63 , G01N23/2251
CPC分类号： G01N27/12 , G01N21/63 , G01N23/2251 , G01N27/127 , G01N27/129
摘要：本发明公开了一种基于CdTe/ZnO纳米异质结结构的NO2气敏传感器的制备方法。该方法首先通过射频磁控溅射法在单晶硅基底上溅射ZnO晶种层，然后利用水热法在ZnO晶种层上生长ZnO纳米线阵列，随后再通过连续离子层吸附反应法合成CdTe纳米颗粒并将其修饰在一维的ZnO纳米线上构建CdTe/ZnO纳米异质结结构。在此异质结结构的表面涂覆Ag薄膜电极并连接导线，制备出具有高灵敏度、良好稳定性、低成本的NO2气敏传感器。本方法制备的NO2气敏传感器可利用异质结效应、纳米效应、费米能级效应等，降低传统ZnO气敏传感器的工作温度，提升气敏性能，且响应值最高能达30％以上，具有重要的研究意义与可观的应用前景。

8. 发明授权

CN102395878B 气体传感器有权
公开(公告)号：CN102395878B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980158548.6
申请日：2009-04-06
申请人：森西克有限公司
发明人： M·安德森
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/129 , G01N27/4141 , G01N33/0059
摘要：一种用于在包括氢或含氢物质的气体中检测至少一种非含氢物质的场效应气体传感器（1）。该场效应气体传感器包括：半导体层（2，3），其具有一个表面；至少一个欧姆触点（8），其接触该半导体（3）；第一电子绝缘层（7），其覆盖该半导体层的该表面的至少一部分；第二绝缘层（11），其包括一种对氢或含氢物质基本呈化学惰性的材料，该第二绝缘层接触该第一电子绝缘层（7）和该半导体层（3）至少之一；至少一个电气触点（12），其接触该第二绝缘材料（11）且包括一个导电、半导电和/或离子传导层。该场效应气体传感器被配置为使得所述至少一种非含氢物质与所述至少一个电气触点的至少一部分的相互作用影响该导电、半导电和/或离子传导层（12）的功函以及/或者该半导体层（3）中的电场，由此该场效应气体传感器的电流-电压（I-V）或电容-电压（C-V）特性被改变，其中I-V或C-V特性的改变提供了关于所述至少一种非含氢物质在该气体中的存在的信息。该场效应气体传感器在EGR（废气再循环）应用中的用途。一种对氢基本呈化学惰性的材料在场效应气体传感器中的用途。

9. 发明授权

CN101180534B 用于运行气体传感器阵列的电路装置失效
公开(公告)号：CN101180534B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200680017199.2
申请日：2006-05-02
申请人：罗伯特·博世有限公司
发明人： S·施坦莱奇纳 , B·舒曼 , T·奥克斯 , B·坎普
IPC分类号： G01N33/00 , G01N27/12
CPC分类号： G01N27/129 , G01N33/0031
摘要：在用于运行传感器阵列、特别是探测气体的气体传感器阵列的电路装置中，其中所述传感器阵列具有至少一条信号线(100)，规定：信号线(100)分支成两条并行的线路分支(110，115)，并且在所述两条并行的线路分支(110，115)中分别布置传感器(130，135)和二极管(140，155)，优选地分别为肖特基二极管，其中所述两个二极管(140，155)分别在电气上以相反的方式被极化。借助不同极化的二极管(140，155)能够只通过唯一的一条信号线(100)来使所述两个传感器(130，135)动作。单独通过相应地在信号线上所施加的电势的极化可以确定，测量电流是流经一个还是另一个传感器。

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