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1. 发明公开

CN107532290A 用于生产涂覆的基板的方法有权
公开(公告)号：CN107532290A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024331.6
申请日：2016-03-31
申请人：布勒阿尔策瑙股份有限公司
发明人： J·皮斯特纳 , H·哈格多恩
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/0078 , C23C14/547 , H01J37/18 , H01J37/32036 , H01J37/32119 , H01J37/32155
摘要：本发明涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板的方法，该真空室具有用交流电操作的等离子体装置，该方法包含：借助于移动装置沿着曲线相对于该等离子体装置来移动基板，且借助于该等离子体装置沿着位于该基板的表面上的轨迹，在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上。在此设计以下方面：a)确定在该基板的移动方向上的该轨迹的至少部分上的所沉积涂层材料的层厚度的实际值，b)比较该轨迹的该至少部分上的该层厚度的该实际值与额定值，c)确定该等离子体装置的参数以用于取决于该基板的位置来改变每单位时间所沉积的涂层材料的量，使得所沉积的涂层材料的该层厚度的该实际值与该额定值偏离小于预定差，d)根据项目c)来设定该等离子体装置的参数以用于改变每单位时间所沉积的涂层材料的量，和e)借助于该等离子体装置用在项目d)中所设定的该参数来沉积涂层材料。本发明还涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板(10、100)的装置，该真空室具有用交流电操作的等离子体装置(31、32、150、180)，该装置包含：用于沿着曲线相对于该等离子体装置(31、32、150、180)来移动基板(10、100)的移动装置，其中借助于该等离子体装置(31、32、150、180)，沿着位于该基板(10、100)的表面(11、101)上的轨迹(12、105)，在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上；控制模块(140)，该控制模块经设计及设置以用于执行该方法。

2. 发明授权

CN103766001B 等离子体产生装置及CVD装置有权
公开(公告)号：CN103766001B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280043157.1
申请日：2012-04-19
申请人：东芝三菱电机产业系统株式会社
发明人：田畑要一郎 , 渡边谦资
IPC分类号： H05H1/24 , C23C16/452 , C23C16/505 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/503 , C23C16/452 , H01J37/32036 , H01J37/32348 , H01J37/32357 , H01J37/32559 , H05H1/2406 , H05H2001/2412 , H05H2001/2431
摘要：本发明提供一种能够高效且多量地输出在被处理件上成膜功能绝缘膜中所使用的金属功能物质粒子气体的等离子体产生装置。本发明所涉及的等离子体产生装置(100)具备：电极单元；围绕电极单元的框体(16)。电极单元具有：第一电极(3)；放电空间(6)；第二电极(1)；电介质(2a、2b)；在俯视观察下形成于中央部的贯通口(PH)。并且，圆筒形状的绝缘筒部(21)配设在贯通口(PH)的内部，在该圆筒形状的侧面部具有喷出孔(21x)。此外，等离子体产生装置(100)具备与绝缘筒部(21)的空穴部(21A)连接且用于供给金属前体的前体供给部(201)。

3. 发明公开

CN105074866A 用于产生等离子体的设备及方法有权
公开(公告)号：CN105074866A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480007287.9
申请日：2014-01-24
申请人： CAMVAC有限公司
发明人：大卫·安东尼 , 约翰·托平
IPC分类号： H01J37/32 , B05D3/06
CPC分类号： H01J37/32669 , B05D1/62 , B05D2252/02 , H01J37/32036 , H01J37/32422 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/3277 , H01J2237/3382 , Y02P20/582
摘要：一种用于产生等离子体的设备，包括：用于运送移动基材的支承件、用于产生等离子体的等离子体发生器、用于使所述等离子体中的离子偏转并射向所述移动基材以形成离子流的电极。所述离子流具有处于3.6电子伏特至250电子伏特之间的能级。可替代地，所述用于产生等离子体的设备具有多个间隔分布的跑道形离子聚集区。

4. 发明公开

CN103890229A 等离子体成膜装置失效
公开(公告)号：CN103890229A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180072547.7
申请日：2011-09-26
申请人：株式会社岛津制作所
发明人：铃木正康
IPC分类号： C23C16/503 , C23C16/448 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32036 , C23C16/4587 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H05H1/46
摘要：具备：腔室，搬入有基板固定器，基板固定器具有搭载面，该搭载面搭载着基板；阴极电极，以与搭载面相对向的方式而配置，上述搭载面于腔室内、在上下方向延伸地配置；气体供给装置，将工艺气体导入至腔室内的基板固定器与阴极电极之间；以及交流电源，将交流电力供给至基板固定器与阴极电极之间，使工艺气体于基板固定器与阴极电极之间达到等离子体状态，将以工艺气体中所含的原料作为主成分的薄膜形成于基板上。

5. 发明授权

CN104488065B 永久结合晶圆的方法及装置有权
公开(公告)号：CN104488065B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201280074902.9
申请日：2012-07-24
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
发明人： T.普拉赫 , K.欣格尔 , M.温普林格 , C.弗勒特根
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20
CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/0046 , H01J37/32036 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32339 , H01J37/32532 , H01J37/32798 , H01J2237/334 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092
摘要：本发明涉及一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一衬底的第一接触面与第二衬底的第二接触面结合的方法，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。

6. 发明授权

CN103037613B 全自动冷等离子体种子处理器控制系统失效
公开(公告)号：CN103037613B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210521682.1
申请日：2012-12-07
申请人：常州中科常泰等离子体科技有限公司 , 中国科学院南京土壤研究所
发明人：邵汉良 , 缪琴 , 董元华
IPC分类号： H05H1/46 , A01C1/00
CPC分类号： B01J19/0006 , A01C1/00 , B01J19/088 , B01J2219/00049 , B01J2219/00171 , B01J2219/0801 , B01J2219/0847 , H01J37/32036 , H01J37/32082 , H01J37/32926
摘要：本发明公开了一种全自动冷等离子体种子处理器控制系统，包括人机交互界面、PLC控制器、传输模块、真空度模块、电离模块和能量供应模块，人机交互界面与PLC控制器通过串口实现通信连接，能量供应模块提供系统其它模块所需的电源，PLC控制器通过传输模块来控制种子的传输速度，通过真空度模块来控制系统的真空度并达到动态平衡，最后通过电离模块来控制电离的时间和电离的功率，以适应不同种子的处理要求，达到最理想的处理效果。本发明能够自动处理各种粮食、油料、蔬菜、经济作物及花卉与苗木种籽，且处理时间短、成本低，经过处理后作物具有十分明显的促进生长和抗逆能力，最终达到提高作物品质和产量的效果，应用前景十分广泛。

7. 发明授权

CN102575349B 等离子体CVD装置失效
公开(公告)号：CN102575349B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201080045649.5
申请日：2010-10-01
申请人：株式会社神户制钢所
发明人：玉垣浩 , 冲本忠雄 , 濑川利规
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/42 , C23C16/50 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/503 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32513 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/485
摘要：本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域(P)，基材(W)以通过等离子体区域(P)的方式缠挂在一对成膜辊(2、2)上。

8. 发明公开

CN103597119A 用于等离子体处理的装置和方法有权转让
公开(公告)号：CN103597119A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080035257.0
申请日：2010-07-08
申请人：普拉斯玛斯公司
发明人： S·E·萨瓦斯 , C·盖尔维斯基 , A·B·威斯诺斯基 , S·曼特里普拉加达 , S·约
IPC分类号： C23F1/00 , H05H1/24 , B05D1/36
CPC分类号： H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/345 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/407 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/466 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069
摘要：用于基于等离子体的处理的装置和方法，很好地适合于半导体、导体或绝缘膜的沉积、刻蚀或处理。等离子体生成单元包括衬底的处理侧的一个或多个伸长的电极以及贴近衬底的相对侧的中性电极。气体可以贴近带电电极而注入，其电学上击穿并且产生流向衬底区域的激活的组分。然后，该气体流入在带电电极与衬底之间的延伸的处理区，以高速率提供与衬底的受控和连续的反应性，其中有效地利用了反应物给料。气体经由在一个或多个带电电极与分流器之间的通路而被排出。

9. 发明公开

CN102934208A 用脉冲等离子体进行的原子层蚀刻有权
公开(公告)号：CN102934208A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080026879.7
申请日：2010-12-14
申请人：休斯敦大学体系
发明人：文森特·M·唐纳利 , 多美崔·J·埃科诺穆
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32036 , H01J37/32045 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01L21/30655
摘要：本发明提供了一种快速原子层蚀刻(ALET)的系统和方法，该系统包括具有螺旋线圈电极的脉冲等离子体源、冷却法拉第屏蔽、设置在管顶部的对向电极、气体入口、以及包括衬底支撑件和边界电极的反应室。该方法包括：将可蚀刻的衬底设置在等离子体蚀刻室中；在衬底表面上形成产物层；通过脉动等离子体源来去除产物层的一部分；然后重复形成产物层的步骤和去除产物层的一部分的步骤，以形成经蚀刻的衬底。

10. 发明公开

CN101832928A 监控等离子放电的方法有权
公开(公告)号：CN101832928A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010118377.9
申请日：2010-03-03
申请人：史考特公司
发明人：迪普尔-菲斯-英哈特穆特·鲍赫 , 马蒂亚斯·比克尔
IPC分类号： G01N21/62
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32036 , H01J37/32348
摘要：本发明提出一种用于监控表面处理工艺期间的等离子放电的方法及装置(MON)，其中给气态介质内的电极提供交流电压(UHV)以用于产生等离子，其中所述装置(MON)包括用于检测测量信号的检测器构件(M1)，所述测量信号表示由所述交流电压(UHV)在所述介质内产生的电能的测量值(I)。此外，提供用于分离所述测量信号的信号分量的分离构件(M2)，所述分量高于预置频率，且还提供用于通过将所述测量信号(I)的所述分离的信号分量与至少一个预置参考进行比较来对所述测量信号(I)的所述分离的信号分量进行评价的评价构件(M3)。优选地，借助电介质势垒放电来实现所述等离子的所述产生，其中测量穿透所述介质的电流、明确地说电介质位移电流(I)作为测量值。

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