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2. 发明授权

CN101346829B 使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法失效
公开(公告)号：CN101346829B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200680049326.7
申请日：2006-12-29
申请人：林明农 , 陈崇钦
发明人：林明农
IPC分类号： H01L47/00 , H01L29/06
CPC分类号： C23C14/044 , B82Y10/00 , C23C14/042 , C23C14/225 , G03F7/40 , H01L29/66439 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/771 , Y10S977/774 , Y10S977/938
摘要：本发明提供一种使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其步骤包含：(a)在既定成型于基材(substrate)上的纳米结构筒状细孔(pore)的顶部开口上，以原子或分子态的材料堆积黏着于该顶部开口，使其顶部开口的口径逐渐缩小而形成一较原有顶部开口口径为小的纳米缩小口(reduced nano-aperture)；(b)将基材固定在水平方向，再以气体分子或原子型态的镀源材料垂直正对于该纳米缩小口，使该镀源材料穿透该纳米缩小口后，即会直接在纳米结构筒状细孔的底部基材表面上，镀着形成一个与该纳米缩小口的口径尺度相同的浮栅纳米量子点；(c)先令基材以纳米缩小口为中心向右倾斜一倾斜角度，且镀源材料输出方向不变，再次将该镀源材料穿透该纳米缩小口，即会在该浮栅纳米量子点的右侧位置的基材表面上，镀着出一漏极纳米量子点；(d)再令基材以纳米缩小口为中心向左倾斜一倾斜角度，且镀源材料输出方向不变，再次将该镀源材料穿透该纳米缩小口，即会在该浮栅纳米量子点的左侧位置的基材表面上，镀着出一源极纳米量子点；(e)以纳米缩小口的中心线作为轴心，并配合一倾斜角度而旋转一旋转角度，且镀源材料输出方向不变，即会在该浮栅的前侧位置的基材表面上，镀着出一栅极纳米量子点；(f)最后以溶剂洗涤(即湿式蚀刻wet etching)或气体腐蚀(即干式蚀刻dry etching)等方式将基材阻剂上的纳米结构筒状细孔消除，即可在基材上制备出具有纳米尺度的浮栅纳米量子点、漏极纳米量子点、源极纳米量子点与栅极纳米量子点结构的单电子晶体管。

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