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1. 发明公开

CN118010117A 基于预埋腔绝缘体上硅制备的MEMS热式流量传感器审中-公开
公开(公告)号：CN118010117A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410182182.2
申请日：2024-02-19
申请人：东南大学
发明人：周再发 , 程凤 , 张宇
IPC分类号： G01F1/684 , G01F1/688 , B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , B81C99/00
摘要：本发明公开了一种基于预埋腔绝缘体上硅制备的MEMS热式流量传感器，该传感器包括第一硅衬底、第二硅衬底、隔热空腔、二氧化硅绝缘层、加热电阻、环境测温电阻、铬黏附层、氮化硅保护层。其中隔热空腔由预埋腔体绝缘体上硅工艺形成，位于第一硅衬底和第二硅衬底之间；四个加热电阻，其对称分布在传感器正面，在边缘处有环境测温电阻。当无风时，四个加热电阻形成的温度场对称分布，惠斯通电桥输出为零；当有风时，四个加热电阻形成的温度场不再对称，惠斯通电桥有输出，其输出和风速有关，风速越大，输出越大。本发明基于预埋腔体绝缘体上硅晶圆键合形成空腔，阻断了加热电阻向硅衬底的温度传递，提高了热量的利用率，同时降低的加热功率。

2. 发明公开

CN117999464A 用于测量流体的设备审中-公开
公开(公告)号：CN117999464A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280063106.9
申请日：2022-08-04
申请人：彼得罗菲奥伦蒂尼有限公司
发明人： N·考杜罗 , N·赞皮耶里
IPC分类号： G01F1/66 , G01F1/667 , G01F1/7082 , G01F1/40 , G01F1/684 , G01F1/692 , G01F1/7084 , G01F1/7086 , G01F15/00
摘要：用于测量流体的设备(1)，优选为气体，特别是适用于测量在管道内循环并通过设备本身的气体或液体的流量，包括：外壳结构(7)，设有供流体流入内部的第一开口(9)和用于流体出口的第二开口(11)；外壳结构(7)被配置为在其内部为第一开口(9)和第二开口(11)之间的流体限定通路(2)；通路(2)包括：内部管状部分(4)，其沿纵向轴线X以基本直线发展，并与用于流体入口的第一开口(9)或用于流体出口的第二开口(11)流体连通；至少一个外部腔室(3)，其围绕管状部分(4)定位并与用于流体出口的第二开口(11)或用于流体入口的第一开口(9)流体连通；至少一个外部腔室(3)与内部管状部分(4)流体连通，该连通与内部管状部分(4)的一区域相对应，该区域与管状部分和用于流体入口的第一开口(9)或用于流体出口的第二开口(11)流体连通的区域相对；传感器装置(5)，配置为检测通过内部管状部分(4)的流体的流量；该设备的特征在于，外壳结构(7)包括第一主体(30)，其中包括第一开口(9)和第二开口(11)，并被配置为机械连接在该设备(1)外部的上游管道和下游管道之间；第二主体(31)，其中安装有传感器装置(5)；并且，沿纵向轴线X基本直线延伸的内部管状部分(4)部分地在第一主体(30)中限定和/或形成并且部分地在第二主体(31)中限定和/或形成，该至少一个外部腔室(3)至少部分地限定和/或形成在第二主体(31)中。

3. 发明授权

CN113375740B 医用中心供氧流量监测系统有权
公开(公告)号：CN113375740B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202011605323.5
申请日：2020-12-30
申请人：南京瑞杨医用科技有限公司
发明人：杨彬
IPC分类号： G01F1/684 , G01F15/00 , G01F15/061 , F25D31/00 , F25D23/00 , H04L67/12
摘要：一种医用中心供氧流量监测系统，包括：设置在各科室的氧气流量计，所有的所述氧气流量计与监控室内的监控终端通信连接，所述监控终端还与监控人员的智能手机通信连接，所述监控终端还具有以太网口。所述氧气流量计包括热微桥式质量传感器，热微桥式质量传感器输出电压正比于流过热微桥式质量传感器内部的气体质量。有效避免了现有技术中医用中心供氧系统中需要核算流量时需要到安装氧气流量计处查看记录数据、通过人工计算出医院运用流量及成本、费时费力效率低下、降温设备均为设置在氧气流量计之外，此类降温模式不能对氧气流量计的里面执行实时降温、依然会对氧气流量计有消耗的缺陷。

4. 发明公开

CN117800283A 一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器审中-实审
公开(公告)号：CN117800283A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410141853.0
申请日：2024-02-01
申请人：青岛芯笙微纳电子科技有限公司
发明人：田伟 , 林玉哲
IPC分类号： B81C1/00 , G01F1/684 , B81B7/02 , B81B7/00
摘要：本发明公开了一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器，制作方法包括如下步骤：提供一衬底，于衬底上形成牺牲层，并在牺牲层上刻蚀出窗口；在衬底上形成具有圆弧形截面的内腔，随后去除牺牲层；于衬底及内腔的上表面形成支撑层，并在支撑层表面形成加热元件和感温元件；形成至少覆盖加热元件和感温元件的绝缘层，并在绝缘层上刻蚀出窗口；在衬底上形成隔热腔体，内腔位于隔热腔体的上方。通过本发明制作方法得到的流量传感器，不仅具有体积小、响应快、稳定性高等优点，还利用内腔结构，选择性地增大区域热阻，有利于减少该区域热量散失，提高整体热利用效率，可在不增大传感器尺寸或提高传感器功耗的前提下，有效提高其灵敏度。

5. 发明公开

CN117756053A 一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器审中-实审
公开(公告)号：CN117756053A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410142699.9
申请日：2024-02-01
申请人：青岛芯笙微纳电子科技有限公司
发明人：田伟 , 林玉哲
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , B81B7/00 , G01F1/684
摘要：本发明公开了一种MEMS流量传感器的制作方法及由此得到的流量传感器，制作方法包括如下步骤：提供一衬底，在衬底上形成多孔硅，通过热氧化使多孔硅形成多孔氧化硅；去除多孔氧化硅，以在衬底上形成内腔结构；于衬底及内腔的上表面形成支撑层，并在支撑层表面形成加热元件和感温元件；形成至少覆盖加热元件和感温元件的绝缘层，并在绝缘层上刻蚀出窗口；在衬底上形成隔热腔体，内腔位于隔热腔体的上方。通过本发明制作方法得到的流量传感器，不仅具有体积小、响应快、稳定性高等优点，还利用内腔结构，选择性地增大区域热阻，有利于减少该区域热量散失，提高整体热利用效率，可在不增大传感器尺寸或提高传感器功耗的前提下，有效提高其灵敏度。

6. 发明公开

CN117629327A 一种热线式气体流量传感器及其使用方法审中-实审
公开(公告)号：CN117629327A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311585730.8
申请日：2023-11-27
申请人：四川泛华航空仪表电器有限公司
发明人：李兵 , 刘剑涛 , 胡文韬 , 牛满江 , 邱遥远 , 唐文龙
IPC分类号： G01F1/684 , G01F1/69 , G01F1/696 , G01F15/14
摘要：本发明属于传感器技术领域，具体公开了一种热线式气体流量传感器及其使用方法。所述热线式气体流量传感器，包括探头组件、电路板组件，所述电路板组件主要由电路板和设置在电路板上的电阻Ra、电阻Rb、差分放大器A组成；所述探头组件由铂电阻RT1、铂电阻RT2和探头组成，电阻Ra、电阻Rb、铂电阻RT1、铂电阻RT2四个电阻组成惠斯通电桥后又与差分放大器A共同组成惠斯通电桥放大电路。本发明提供的传感器，采用结构极简的惠斯通电桥放大电路实现气体流量检测，避繁就简的电路结构依然保证了传感器的灵敏度、稳定性、准确性。

7. 发明公开

CN117606574A 一种具有动态补偿功能的热式气体流量传感器审中-实审
公开(公告)号：CN117606574A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311633722.6
申请日：2023-12-01
申请人：郑州炜盛电子科技有限公司
发明人：范宏强 , 高胜国 , 古瑞琴 , 李威 , 黄理君 , 张古衡
IPC分类号： G01F1/684 , G01F1/696 , G01F15/04
摘要：本发明提出了一种具有动态补偿功能的热式气体流量传感器，包括绑定板、MEMS芯片和信号调理电路，MEMS芯片和信号调理电路相连接，信号调理电路与电源相连接，信号调理电路与上位机相连接，MEMS芯片和信号调理电路均设置在绑定板顶部，MEMS芯片与信号调理电路固定连接，MEMS芯片包括流量测量单元、压力测量单元和温度测量单元，流量测量单元、压力测量单元和温度测量单元均与信号调理电路相连接，信号调理电路内设置有带有补偿算法的神经网络。本发明通过利用带有补偿算法的神经网络对收集到的流量信息、温度信息和压力信息进行分析，并实时进行校正，实现对热式气体流量传感器的动态补偿，避免传感器漂移造成测量数据存在较大误差。

8. 发明公开

CN117320530A 一种具有微针结构热源的流量芯片的制作方法审中-实审
公开(公告)号：CN117320530A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311438338.0
申请日：2023-11-01
申请人：无锡芯感智半导体有限公司
发明人：杨绍松 , 刘同庆
IPC分类号： H10N10/01 , B81C1/00 , G01F1/684
摘要：本发明涉及一种具有微针结构热源的流量芯片的制作方法。本发明包括提供一衬底；在所述衬底上制作多晶硅半导体层；以所述多晶硅半导体层为光刻图形化基础，在所述衬底上分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件和中心热源；所述中心热源的制作方法包括：对所述多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成中心热源层热电偶；在所述中心热源层热电偶表面制作一层单层有序PS球阵列层；将所述单层有序PS球阵列层表面通过磁增强反应离子刻蚀的方法蚀刻出一层微阵列微针微纳圆锥结构。本发明通过在热源上方刻蚀硅微针结构，避免了由于热源温度过度波动而引起的误差，从而提高了整体芯片的精度。

9. 发明授权

CN113663168B 用于测量输送剂量的系统和方法有权
公开(公告)号：CN113663168B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110941011.X
申请日：2017-08-02
申请人：贝克顿·迪金森公司
发明人： G·瑟尔 , A·伯克 , P·科斯特洛 , K·福赫特 , F·L·罗斯
IPC分类号： A61M5/168 , G01F1/38 , G01K7/22 , A61M5/20 , A61M5/32 , A61M5/48 , G01F1/684
摘要：提供了一种流量传感器，以使体积剂量数据能够通过对胰岛素流率进行采样而自动获取，所述胰岛素的流率由暴露于胰岛素流过通过的流动歧管的流量传感器来测量。流量传感器优选地在一端连接到标准胰岛素笔，而另一端连接到标准笔针。利用了特殊的几何结构和算法来适应注射事件期间胰岛素流量确定的独特要求。

10. 发明公开

CN117146914A 一种基于MEMS工艺的热温差式流量传感芯片及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117146914A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311043963.5
申请日：2023-08-16
申请人：西南交通大学
发明人：冯全源 , 何璇 , 李涛 , 王章闵
IPC分类号： G01F1/684 , B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00
摘要：本发明公开了一种基于MEMS工艺的热温差式流量传感芯片及其制备方法，包括硅基底；硅晶圆结构的中部设有空腔结构；硅晶圆结构的两侧开设有深孔结构；空腔结构的底部设有环境校准温感电阻；硅基底的上方设有硅晶体薄膜层，硅晶体薄膜层的上方设有陶瓷薄膜层；陶瓷薄膜层的中部开设有连接缝隙，陶瓷薄膜层上设有两组流量测量温感电阻、热源电阻和风速校准温感电阻；硅基底的背面两侧设有连接电极；连接电极通过深孔结构内的连接线将热源电阻、流量测量温感电阻、环境校准温感电阻和风速校准温感电阻并联设置。本发明制备得到的热温差式流量传感芯片，测量精度高，测量误差小，抗干扰性强，芯片成品率高，具有较强的实用性和推广性。

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