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1. 发明公开

EP1664238A1 GRÜN EMITTIERENDE LED 有权转让
标题翻译：绿色发光LED
公开(公告)号：EP1664238A1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：EP04786852.6
申请日：2004-09-24
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH , Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH , Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert
IPC分类号： C09K11/79 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Disclosed is a luminous substance that belongs to the class of oxinitridosilicates, comprises a cation M which is doped with divalent europium, and is of general formula M(1-c)Si2O2N2:Dc, wherein M = Sr or M = Sr(1-x-y)BayCax with the stipulation x+y

2. 发明公开

EP4142074A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-实审
公开(公告)号：EP4142074A1
公开(公告)日：2023-03-01
申请号：EP22201865.7
申请日：2016-09-29
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： GERHARD, Dr. Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Dr. Clemens , LOEFFLER, Dr. Andreas
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/22
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur (2) mit einer aktiven Zone (9) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone (9) in einer Ebene angeordnet ist, wobei die Schichtstruktur (2) eine Oberseite (7) und vier Seitenflächen (3, 4, 5, 6) aufweist, wobei die erste und die dritte Seitenfläche (1,3) gegenüber liegend angeordnet sind, wobei die zweite und die vierte Seitenfläche (4,5) gegenüber liegend angeordnet sind, wobei eine streifenförmige Ridgestruktur (8) auf der Oberseite (7) der Schichtstruktur (2) angeordnet ist, wobei sich die Ridgestruktur (8) zwischen der ersten Seitenfläche (3) und der dritten Seitenfläche (5) erstreckt, wobei die erste Seitenfläche (3) eine Abstrahlfläche für elektromagnetische Strahlung darstellt, wobei seitlich neben der Ridgestruktur (8) in die Oberseite (7) der Schichtstruktur (2) eine erste Ausnehmung (11) eingebracht ist, wobei sich die erste Ausnehmung (11) über eine gesamte Länge der Laserdiode (1) von der ersten bis zur dritten Seitenfläche (3,5) entlang der zweiten Seitenfläche (4) erstreckt, wobei im Bereich der ersten Ausnehmung (11) die zweite Seitenfläche (4) seitlich zurückgesetzte Wandflächen (50,51) aufweist, wobei eine zweite Ausnehmung (12) seitlich in die erste Ausnehmung (11) und in die zurückgesetzten Wandflächen (50,51) der zweiten Seitenfläche (4) eingebracht ist, wobei die zweite Ausnehmung (12) in die Oberseite (7) der Schichtstruktur (2) eingebracht ist, wobei sich die zweite Ausnehmung (12) entlang der zweiten Seitenfläche (4,50,51) erstreckt, wobei die zweite Ausnehmung (12) beabstandet von der ersten Seitenfläche (3) und beabstandet von der dritten Seitenfläche (5) ausgebildet ist.

3. 发明公开

EP3745474A1 OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOE-LECTRONIC DEVICE 审中-实审
公开(公告)号：EP3745474A1
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：EP19177109.6
申请日：2019-05-28
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BEHRINGER, Martin , LORENZO, Zini , WANG, Xue
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/44
摘要： An optoelectronic device (10) comprises a carrier layer (11) and a p-n diode layer (12) arranged over the carrier layer (11) and provided in a mesa structure, wherein the p-n diode layer (12) comprises a main surface (16) and side walls (18, 19) with the main surface (16) facing the carrier layer (11), and wherein at least a portion of at least one of the side walls (18, 19) of the p-n diode layer (12) forms an angle with the main surface (16) in the range from 88° to 92°.

4. 发明公开

EP3745471A1 METHOD OF LASER TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR WAFER COMPRISING ALGAINP-LEDS TO INCREASE THEIR LIGHT GENERATING EFFICIENCY 审中-实审
公开(公告)号：EP3745471A1
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：EP19177581.6
申请日：2019-05-31
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： EBBECKE, Jens , KREUTER, Philipp , KLEMP, Christoph , BIEBERSDORF, Andreas , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/18
摘要： A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs,
wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area,
the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

5. 发明公开

EP3703201A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM GEHÄUSE 审中-实审
公开(公告)号：EP3703201A1
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：EP20163678.4
申请日：2011-09-13
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： MÖLLMER, Frank , ARZBERGER, Markus , SCHWIND, Michael , HÖFER, Thomas
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/024 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit einem Gehäuse (1) angegeben. Das Gehäuse (1) weist einen Gehäusekörper (2), einen ersten Anschlussleiter (31) und einen zweiten Anschlussleiter (32) auf, wobei sich der erste Anschlussleiter (31) und der zweite Anschlussleiter (32) in einer vertikalen Richtung jeweils durch den Gehäusekörper (2) hindurch erstrecken. Ein Halbleiterchip (6) ist an dem ersten Anschlussleiter (31) befestigt und eine elektrische Steuerschaltung (65) für den Halbleiterchip (6) ist innerhalb des Gehäuses (1) angeordnet.

6. 发明授权

EP3430085B1 MATERIALIEN FÜR DIE LED-VERKAPSELUNG 有权转让
公开(公告)号：EP3430085B1
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：EP17713175.2
申请日：2017-03-08
申请人： Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. , OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： DOMANN, Gerhard , COLLIN, Daniela , CRONAUER, Carola
IPC分类号： C08L83/04

7. 发明公开

EP3660988A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权
公开(公告)号：EP3660988A1
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：EP20153892.3
申请日：2015-11-19
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： GERHARD, Sven , LELL, Alfred
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/22 , H01L33/00 , H01L33/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer ersten Ebene angeordnet ist, wobei in die Oberfläche der Schichtstruktur eine Ausnehmung eingebracht ist, wobei die Ausnehmung an eine Endfläche des Bauelementes angrenzt, wobei die Endfläche in einer zweiten Ebene angeordnet ist, wobei die zweite Ebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene angeordnet ist, wobei die Ausnehmung eine Bodenfläche und eine Seitenfläche aufweist, wobei die Seitenfläche im Wesentlichen senkrecht zur Endfläche angeordnet ist, wobei die Seitenfläche in einem Winkel geneigt ungleich 90° zu der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist, wobei die Bodenfläche im Bereich der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist.

8. 发明授权

EP2474031B1 VERGOSSENES OPTOELEKTRONISCHES MODUL MIT MEHREREN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN MODULS 有权转让
公开(公告)号：EP2474031B1
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：EP10772990.7
申请日：2010-08-25
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BARTH, Andreas , BRICK, Peter , WITTMANN, Michael
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54

9. 发明授权

EP3304662B1 HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE 有权
公开(公告)号：EP3304662B1
公开(公告)日：2020-03-25
申请号：EP16725514.0
申请日：2016-05-25
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： EBBECKE, Jens
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/02 , H01S5/022

10. 发明授权

EP1906461B1 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement 有权转让
公开(公告)号：EP1906461B1
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：EP07016389.4
申请日：2007-08-21
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： Härle, Volker, Dr. , Höß, Christine , Lell, Alfred , Strauß, Uwe, Dr.
IPC分类号： H01L33/44 , H01S5/028 , H01L33/00

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