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1. 发明公开

EP4350439A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MOULE POUR LA FORMATION DE PIÈCES MÉTALLIQUES PAR CROISSANCE MÉTALLIQUE 审中-公开
公开(公告)号：EP4350439A1
公开(公告)日：2024-04-10
申请号：EP23202048.7
申请日：2023-10-06
申请人： Richemont International S.A.
发明人： CHABART, Mickaël , MONTINARO, Enrica , METREF, Syrim Samir
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/16
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un moule pour former une pièce métallique par galvanoplastie et/ou croissance métallique, comprenant les étapes consistant à :
a- se munir d'un substrat (10) présentant une surface de base et de préférence une surface conductrice de base (12),
b- former au moins une couche d'accroche (131) sur la surface de base,
c- déposer au moins une couche de résine photosensible (21) sur la couche d'accroche (131),
d- irradier la couche de résine photosensible (21) au travers d'un masque,
e- développer la couche de résine photosensible (21) de sorte à creuser des cavités (50) dans la couche de résine photosensible (21) pour définir une empreinte de moulage.

2. 发明公开

EP4350437A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MOULE POUR LA FORMATION DE PIÈCES MÉTALLIQUES PAR CROISSANCE MÉTALLIQUE 审中-公开
公开(公告)号：EP4350437A1
公开(公告)日：2024-04-10
申请号：EP22200412.9
申请日：2022-10-07
申请人： Richemont International S.A.
发明人： CHABART, Mickaël , MONTINARO, Enrica , METREF, Syrim Sarim
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/16
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un moule pour former une pièce métallique par galvanoplastie et/ou croissance métallique, comprenant les étapes consistant à :
a- se munir d'un substrat (10) présentant une surface de base et de préférence une surface conductrice de base (12),
b- former au moins une couche d'accroche (131) sur la surface de base,
c- déposer au moins une couche de résine photosensible (21) sur la couche d'accroche (131),
d- irradier la couche de résine photosensible (21) au travers d'un masque,
e- développer la couche de résine photosensible (21) de sorte à creuser des cavités (50) dans la couche de résine photosensible (21) pour définir une empreinte de moulage.

3. 发明公开

EP4350436A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MOULE POUR FORMER UNE PIÈCE MÉTALLIQUE PAR CROISSANCE MÉTALLIQUE 审中-公开
公开(公告)号：EP4350436A1
公开(公告)日：2024-04-10
申请号：EP22200410.3
申请日：2022-10-07
申请人： Richemont International S.A.
发明人： CHABART, Mickaël , MONTINARO, Enrica
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , C25D5/02 , C23C14/04
摘要： L'invention propose un procédé de fabrication d'un moule pour former au moins une pièce métallique (41) par galvanoplastie et/ou croissance métallique, comprenant les étapes consistant à :
a- se munir d'un substrat (10) présentant une surface de base et de préférence une surface conductrice de base,
b- déposer au moins une couche de résine photosensible (21) sur la surface de base du substrat (10),
c- irradier la couche de résine photosensible (21) au travers d'un masque (31),
d- développer la couche de résine photosensible (21) de sorte à creuser des cavités (50) dans la couche de résine photosensible (21) pour définir une empreinte de moulage,
caractérisé en ce que le procédé comprend, après l'étape d-, une étape consistant à amorcer le fond des cavités (50) pour la fabrication de la pièce métallique (41) par galvanoplastie et/ou croissance métallique.

4. 发明公开

EP4348349A1 METHOD OF REPLICATING A MICROSTRUCTURE PATTERN 审中-公开
公开(公告)号：EP4348349A1
公开(公告)日：2024-04-10
申请号：EP22816881.1
申请日：2022-06-02
申请人： Viavi Solutions Inc.
发明人： ALMEIDA, Riberet
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/11 , G03F7/26

5. 发明公开

EP4347107A1 FLOW CELLS AND METHODS FOR MAKING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：EP4347107A1
公开(公告)日：2024-04-10
申请号：EP22738772.7
申请日：2022-05-26
申请人： ILLUMINA, INC.
发明人： KODIRA CARIAPPA, Brinda , GEORGE, Wayne N. , HONG, Sahngki , KRAFT, Lewis J.
IPC分类号： B01J19/00 , G03F7/00 , G03F7/20

6. 发明授权

EP3010943B1 CURABLE COMPOSITION, FILM, AND METHOD OF PRODUCING FILM 有权
公开(公告)号：EP3010943B1
公开(公告)日：2024-04-03
申请号：EP14840642.4
申请日：2014-08-27
发明人： KITAGAWA, Kenji , ITO, Toshiki , YONEZAWA, Shiori , KAWASAKI, Youji
IPC分类号： C08F2/44 , H05K3/28 , C08K5/00 , C08F2/48 , C08K5/06 , G03F7/00 , G03F7/027

7. 发明公开

EP4336260A3 STAGE APPARATUS, PATTERN FORMING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE 审中-公开
公开(公告)号：EP4336260A3
公开(公告)日：2024-03-20
申请号：EP23192564.5
申请日：2023-08-22
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： OZAWA, Yuichi
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/68
摘要： The stage apparatus according to the present invention includes a first stage configured to be movable in a first direction, a first driving unit configured to generate a thrust force to move the first stage in the first direction, and a reaction force reducing unit configured to generate a thrust force to reduce a reaction force generated by the generation of the thrust force of the first driving unit. The reaction force reducing unit can generate the thrust forces with different magnitudes from each other at a plurality of positions in a second direction perpendicular to the first direction, and can generate the thrust forces with different magnitudes from each other at a plurality of positions in a third direction perpendicular to the first direction and the second direction.

8. 发明公开

EP4336259A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：EP4336259A1
公开(公告)日：2024-03-13
申请号：EP23178872.0
申请日：2023-06-13
申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.
发明人： LEE, SeungKyo , KIM, Hyuncheol , JUNG, Woojin
IPC分类号： G03F7/00 , H01L23/544
摘要： A semiconductor device may include a substrate including a chip region and an edge region enclosing the chip region, and at least one coarse key pattern divided into fine key patterns on the edge region, extend in a first direction and are spaced apart from each other in a second direction crossing the first direction. Each of the fine key patterns may include a first key pattern, extending in the first direction, and a second key pattern including a first portion extending along a side surface of the first key pattern, and a second portion extending along an opposite side surface of the first key pattern. A width of each of the first and second portions may be smaller than a width of the first key pattern, when measured in the second direction.

9. 发明公开

EP4335605A1 METHOD OF MANUFACTURING STRUCTURE 审中-公开
公开(公告)号：EP4335605A1
公开(公告)日：2024-03-13
申请号：EP23190629.8
申请日：2023-08-09
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： UMEZAWA, Tomokazu
IPC分类号： B29C33/00 , B29C59/02 , G03F7/00
摘要： Provided is a method of manufacturing a structure using a mold and having excellent transfer accuracy.
The method of manufacturing the structure includes: a step of providing a transfer material; a step of shaping the transfer material on a substrate by using a mold for structure shaping, which has a first member that has two main surfaces and a through-hole which penetrates through the main surfaces and a second member that blocks the through-hole, and in which the first member and the second member are combined such that a wall surface A, which is a part of a surface of the first member, and a wall surface B, which is a part of a surface of the second member, are made continuous to form a mold wall; a step of exposing a part of the structure on which the transfer material is shaped, or a part of the structure on which the transfer material is shaped and a part of the substrate by removing the second member from the mold; and a step of separating the first member and the structure from each other by pressing at least a part of an exposed part of the structure or an exposed part of the substrate.

10. 发明授权

EP3891489B1 SCATTEROMETRY MODELING IN THE PRESENCE OF UNDESIRED DIFFRACTION ORDERS 有权
公开(公告)号：EP3891489B1
公开(公告)日：2024-03-06
申请号：EP20742031.6
申请日：2020-01-16
发明人： ATKINS, Phillip R. , LEE, Lie-Quan Rich , KRISHNAN, Shankar , WU, David Wei-Chuan , CHIU, Emily
IPC分类号： G01N21/47 , G01B11/24 , G03F7/20 , G03F7/00

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