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1. 发明专利

JP2021050411A ニッケルドープ酸化インジウムスズターゲットおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021050411A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2020019438
申请日：2020-02-07
申请人：光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人：柯伯賢 , 謝承諺 , 簡毓蒼 , 劉硯鳴
IPC分类号： C04B35/01 , C23C14/34
摘要：【課題】しばらくの間スパッタリングした後の表面のノジュール生成を効果的に抑制し、その結果、スパッタリングの安定性を高め、高品質の膜を得ることができる、ニッケルドープ酸化インジウムスズターゲットの提供。【解決手段】インジウム、スズ、ニッケル、および酸素からなるニッケルドープ酸化インジウムスズターゲットが提供される。インジウム、スズ、およびニッケルの総量に対するニッケルの量が、0原子%を超え、3原子%以下であってもよく、ニッケルドープ酸化インジウムスズターゲットの平均体積抵抗率が、2×10 −4 Ω・cm未満であり得る。【選択図】なし

2. 发明专利

JP6755910B2 Co−Pt−Re系スパッタリングターゲット、その製造方法及び磁気記録層有权
公开(公告)号：JP6755910B2
公开(公告)日：2020-09-16
申请号：JP2018159293
申请日：2018-08-28
申请人：光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人：黄威智 , 羅尚賢 , 呉天傑 , 謝昆宏
IPC分类号： C23C14/14 , G11B5/851 , G11B5/64 , C23C14/34

3. 发明专利

JP2020073715A Co−Pt−Re系スパッタリングターゲット、その製造方法及び磁気記録層审中-公开
公开(公告)号：JP2020073715A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2019223643
申请日：2019-12-11
申请人：光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人：黄威智 , 羅尚賢 , 呉天傑 , 謝昆宏
IPC分类号： G11B5/65 , G11B5/851 , H01F41/18 , H01F10/16 , C23C14/34
摘要：【課題】高い磁気記録密度及び優れた記録品質を有する磁気記録層を形成するCo−Pt−Re系スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】コバルト、プラチナ、レニウム並びにクロム、ルテニウム若しくはその組み合わせである添加成分を含み、Co−Pt−Re系スパッタリングターゲット全体の原子の総数を基準として、レニウムの含有量が0.2原子パーセント以上且つ3.5原子パーセント以下であり、添加成分の含有量が0原子パーセントより大きく且つ4.5原子パーセント以下であり、コバルト及びプラチナの含有量の和に対するプラチナの含有量の比が0.15以上且つ0.3以下であることを特徴とするCo−Pt−Re系スパッタリングターゲット。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2019135324A コバルト/クロム/プラチナ/ホウ素/レニウムを含むスパッタリングターゲット、コバルト/クロム/プラチナ/ホウ素/レニウムを含む層およびその製法审中-公开
公开(公告)号：JP2019135324A
公开(公告)日：2019-08-15
申请号：JP2018177326
申请日：2018-09-21
申请人：光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人：葉欲安 , 王▲彦▼淳 , 黄威智 , 鄭惠文
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/14 , C22C1/04 , B22F3/10 , B22F3/15 , C22C19/07 , G11B5/851 , C23C14/34
摘要：【課題】本発明は、コバルト/クロム/プラチナ/ホウ素/レニウムを含むスパッタリングターゲット、コバルト/クロム/プラチナ/ホウ素/レニウムを含む層およびその製法に関する。【解決手段】本発明のコバルト/クロム/プラチナ/ホウ素/レニウムを含むスパッタリングターゲットにおいて、その原子総数を基準として、コバルトの含有量は50原子パーセントより大きく、クロムの含有量は2原子パーセント以上かつ18原子パーセント以下、プラチナの含有量は9原子パーセント以上かつ30原子パーセント以下、ホウ素の含有量は2原子パーセント以上かつ14原子パーセント以下、レニウムの含有量は2原子パーセント以上かつ8原子パーセント以下である。コバルト/クロム/プラチナ/ホウ素/レニウムを含むスパッタリングターゲットの構成成分を制御することで、失火発生の確率を大幅に低減でき、さらにスパッタリング時の安定性を高めることができる。【選択図】図1

5. 发明专利

JP5746252B2 正方晶系結晶構造を有するインジウムターゲット有权
标题翻译：具有四方晶体结构铟靶
公开(公告)号：JP5746252B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2013068845
申请日：2013-03-28
申请人：光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人：林俊榮 , 張博欽 , 杜承▲キン▼ , 許舒惠
IPC分类号： C22C28/00 , C23C14/34

6. 发明专利

JP2014189877A Indium target having tetragonal crystal structure 有权
标题翻译：具有四面体结构的印度目标
公开(公告)号：JP2014189877A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：JP2013068845
申请日：2013-03-28
申请人： Solar Applied Materials Technology Corp , 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人： LIN CHUN JUNG , CHANG BOR CHIN , TU CHENG HSIN , HSU SHU HUI
IPC分类号： C23C14/34 , C22C28/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an indium target having a tetragonal crystal structure whose average crystal grain size is in the range of 10 μm-500 μm.SOLUTION: Since the indium target has a smaller average crystal grain size than a conventional indium target, the number of arcs induced into a sputtering process using the indium target is small, and therefor uniformity of a sputtering thin film obtained as a result is improved remarkably. Further, the sputtering thin film having improved uniformity, obtained as a result, can be applied to a copper indium gallium diselenide (CIGS) thin film solar cell in order to obtain excellent photovoltaic power generation performance.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有平均晶粒尺寸在10μm-500μm范围内的四方晶体结构的铟靶。解决方案：由于铟靶具有比常规铟靶更小的平均晶粒尺寸，使用铟靶引入溅射工艺的电弧数很少，因此获得的溅射薄膜的均匀性显着提高。此外，为了获得优异的光电发电性能，可以将获得的具有改善的均匀性的溅射薄膜应用于铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池。

7. 发明专利

JP2014005165A Indium gallium zinc oxide, production method and application thereof 有权
标题翻译：氧化锌，其生产方法和应用
公开(公告)号：JP2014005165A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：JP2012140815
申请日：2012-06-22
申请人： Solar Applied Materials Technology Corp , 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人： WANG SHENG-FEN , SU PAI YING , LIN HUNG CHIN , LIN WAN HUA , CHANG YU LUN
IPC分类号： C01G15/00 , C04B35/00 , C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To produce IGZO (indium gallium zinc oxide) target materials having a high quality and a high relative density by reducing uneven mixing of raw materials with using IGZO as a raw material for producing IGZO target materials.SOLUTION: First, the present invention provides an indium gallium zinc oxide production method in which raw materials comprising indium, gallium and zinc are mixed, dried and calcined and processed in other steps to produce homogenous and highly pure indium gallium zinc oxide. Additionally, the present invention provides a composition for producing indium gallium zinc oxide target materials which is a mixture comprising multielement metal oxides and comprising particularly the indium gallium zinc oxide produced in the prescribed producing method. Moreover, the present invention provides: a method for producing the indium gallium zinc oxide target materials, which comprise InGaZnOas a main ingredient substantially without ZnGaO, from the prescribed indium gallium zinc oxide; and the products thereby.
摘要翻译：要解决的问题：通过使用IGZO作为生产IGZO靶材料的原料，通过减少原料的不均匀混合来生产具有高质量和高相对密度的IGZO（铟镓锌氧化物）靶材料。解决方案：首先，本发明提供一种铟镓锌氧化物的制造方法，其中将包含铟，镓和锌的原料混合，干燥和煅烧并在其他步骤中进行处理以制备均匀且高纯度的铟镓锌氧化物。另外，本发明提供了一种用于制造铟镓锌氧化物靶材的组合物，其是包含多元素金属氧化物的混合物，特别包括在规定的制备方法中生产的铟镓锌氧化物。此外，本发明提供：一种制造铟镓锌氧化物靶材的方法，所述铟镓锌氧化物靶材料由规定的铟镓锌氧化物构成，所述铟镓锌氧化物靶材料包含基本上不含ZnGaO的主要成分的InGaZnO; 和产品。

8. 发明专利

JP5066136B2 High magnetic field transmittance cobalt-iron alloy sputtering target material 有权
公开(公告)号：JP5066136B2
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：JP2009136058
申请日：2009-06-05
申请人：光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人：侯尚杰 , 鄭惠文
IPC分类号： C23C14/34 , C22C19/07 , C22C38/00 , G11B5/667 , G11B5/851

9. 发明专利

JP2010159482A Refurbished sputtering target and method for making the same 审中-公开
标题翻译：再生溅射靶材及其制造方法
公开(公告)号：JP2010159482A
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：JP2009162353
申请日：2009-07-09
申请人： Solar Applied Materials Technology Corp , 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人： WANG TZU-WEN , CHAN CHIH-YAO , LIAO HAO-CHIA
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F7/06
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/12 , B22F7/062 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B22F3/15 , B22F1/0085 , B22F2201/20 , B22F3/02 , B22F3/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a refurbished sputtering target which gradually spends a spent sputtering material, and to provide a method for making the same.
SOLUTION: The method for making a refurbished sputtering target has steps of providing a spent sputtering material with a backside, an erosion side having at least one erosion side groove and a rim; mechanically pre-treating the backside of the spent sputtering material; and applying powder material that has the same composition as the spent sputtering material to the erosion side of the spent sputtering material, the erosion side groove and the rim, and sequentially pre-pressing and sintering the spent sputtering material. In this way, the refurbished sputtering target can be acquired.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供逐渐花费废溅射材料的翻新溅射靶，并提供其制造方法。解决方案：用于制造翻新的溅射靶的方法具有提供具有背面的废溅射材料的步骤，侵蚀侧具有至少一个侵蚀侧凹槽和边缘; 机械预处理废溅射材料的背面; 并且将与废溅射材料具有相同组成的粉末材料施加到废溅射材料的侵蚀侧，侵蚀侧槽和边缘，并且依次预压和烧结废溅射材料。以这种方式，可以获得翻新的溅射靶。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2010116580A Sputtering target of copper-gallium alloy, method for manufacturing the same, and related application 有权
标题翻译：铜合金的溅射靶，其制造方法及相关申请
公开(公告)号：JP2010116580A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2008288573
申请日：2008-11-11
申请人： Solar Applied Materials Technology Corp , 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司
发明人： HUANG WEI-CHIN , TU CHENG HSIN
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target of a copper-gallium alloy, which does not cause a macroscopic and microscopic segregation in a formed vapor-deposition thin film. SOLUTION: The sputtering target of the copper-gallium alloy includes 71-78 atom% Cu and 22-29 atom% Ga, and has 25% or less of a compound phase in its metallographic microstructure. The manufacturing method includes the steps of: preparing a raw target; subjecting the raw target to mechanical treatment including heat treatment in a temperature range between 500°C and 850°C at least once and annealing treatment for 0.5-5 hours, or subjecting the target to the treatment of combining the treatments. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在形成的气相沉积薄膜中不引起宏观和微观偏析的铜 - 镓合金的溅射靶。解决方案：铜 - 镓合金的溅射靶包括71-78原子％的Cu和22-29原子％的Ga，并且在其金相组织中具有25％或更少的化合物相。该制造方法包括以下步骤：准备原始目标; 对原始目标物进行机械处理，包括在500℃至850℃的温度范围内的热处理至少一次，退火处理0.5-5小时，或使靶处理结合处理。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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