专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2022002334A 基板処理方法、基板処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2022002334A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021160552
申请日：2021-09-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：佐野要平 , 川上真一路 , 榎本正志 , 塩澤崇博 , 吉田圭佑 , 鬼塚智也
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
摘要：【課題】金属含有材料を用いた基板処理において、熱処理中の金属汚染を抑制しつつ、金属含有膜を適切に形成する。【解決手段】基板に形成された金属含有膜に水分を供給して熱処理する熱処理方法であって、処理チャンバの内部に設けられた熱処理板に基板を載置した状態で、前記処理チャンバの内部に対する水分含有ガスの供給と共に、当該処理チャンバの内部を第1の排気量で排気する第1の工程と、その後、前記水分含有ガスの供給を停止し、前記第1の排気量よりも大きい第2の排気量で排気する第2の工程と、を有する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2022002312A 基板処理システム及び基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2022002312A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021135404
申请日：2021-08-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：田之上隼斗
IPC分类号： H01L21/02 , B24B7/00 , B23K26/53 , H01L21/304
摘要：【課題】基板同士が接合された重合基板において、一の基板の周縁部を適切に除去する。【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、第1の基板における除去対象の周縁部と前記第1の基板の中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成装置と、前記周縁部において、前記第1の基板と第2の基板とが接合される界面に所定の処理を行う界面処理装置と、前記改質層形成装置と前記界面処理装置を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記改質層形成装置が前記界面処理装置で処理された前記界面の端部に対応する位置よりも径方向内側に前記改質層を形成する制御、を実行する。【選択図】図8

3. 发明专利

JP2021197524A プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021197524A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020105107
申请日：2020-06-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：川上聡
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】プラズマを用いて基板の周縁のクリーニングを行う場合において、基板の周縁の上面と下面とで成膜状態が異なっていても、基板にダメージなく、基板の周縁の不要な膜を適切に除去する。【解決手段】基板の周縁をプラズマによりクリーニングするプラズマ処理装置であって、減圧可能に構成され、基板を収容する処理容器を有し、前記処理容器内に、基板を支持し、支持した基板の中央部分と対向する中央電極を含む基板支持台と、前記基板支持台に支持された基板の周縁の下面と対向するように環状に設けられた下部リング電極と、前記基板支持台に支持された基板の周縁の上面と対向するように設けられた上部リング電極と、を有し、前記中央電極は接地され、前記上部リング電極及び前記下部リング電極はそれぞれ高周波電力が供給され、前記上部リング電極及び前記下部リング電極の少なくともいずれか一方は、前記高周波電力の位相を調整する位相調整器を介して、前記高周波電力が供給される。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2021197489A 基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021197489A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020104219
申请日：2020-06-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阿部純一
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
摘要：【課題】供給配管内の腐食を抑制しつつ、より安全に処理チャンバを大気開放できる基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理チャンバと、ガス供給配管と、処理ガス配管と、パージガス配管と、連動開放部とを有する。処理チャンバは、内部において腐食性の処理ガスにより基板に処理を施す処理チャンバである。ガス供給配管は、処理チャンバに接続され、処理チャンバの内部まで連通している配管である。処理ガス配管は、ガス供給配管に第1のバルブを介して接続され、処理ガスをガス供給配管に導入する。パージガス配管は、第1のバルブの処理チャンバ側において、ガス供給配管に第2のバルブを介して接続され、パージガスをガス供給配管に導入する。連動開放部は、第1のバルブが閉じている状態で、処理チャンバの内部への大気導入と連動して第2のバルブを開放する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2021196218A 器具、及び器具を用いて視認する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021196218A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020101609
申请日：2020-06-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：永井健治 , 長▲崎▼ 秀昭 , 宮舘孝明
IPC分类号： H01L21/683 , G01B11/00
摘要：【課題】平坦な基準面上の目標位置に光が垂直に照射されることを視認するための技術を提供する。【解決手段】器具は、粗面加工された表面を有し、光を透過する材料で形成され、マーカが付与されるプレートと、基準面に面接触する平坦な底面、底面の垂直方向に並設された第1ステージ及び第2ステージ、並びに、底面、第1ステージ及び第2ステージを貫通するように形成された光路を有するホルダとを備え、第1ステージ及び第2ステージそれぞれは、ホルダの底面に平行であってプレートを支持する支持面と、プレートのマーカと光路との相対位置を固定するための位置決め面とを有し、第1ステージの位置決め面と第2ステージの位置決め面とは同一平面上に位置し、ホルダは、基準面の垂直方向において光路が目標位置と一致するように基準面上に配置される。【選択図】図5

6. 发明专利

JPWO2020184179A1 基板処理装置及び基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020184179A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020007699
申请日：2020-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：森弘明
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/683 , B23K26/53 , B23K26/046 , H01L21/304
摘要：基板処理装置は、保持部に保持された前記第1の基板を撮像する撮像部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部の境界に沿ってレーザ光を照射して改質層を形成する改質部と、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させる第1の移動部と、前記保持部、前記撮像部、前記改質部及び前記第1の移動部を制御する制御部と、を有する。前記撮像部は、前記第1の基板の複数点においてフォーカス調整を行った後、前記第1の基板の複数点を撮像する。前記制御部は、前記撮像部のフォーカス調整及び/又は前記撮像部による撮像を、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させながら行うように、前記保持部、前記撮像部及び前記第1の移動部を制御する。

7. 发明专利

JP6986397B2 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6986397B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2017176844
申请日：2017-09-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：難波宏光
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306

8. 发明专利

JP6984228B2 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6984228B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2017158737
申请日：2017-08-21
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：守屋光彦 , 友野勝 , 嶋田諒 , 早川誠 , 永原誠司
IPC分类号： G01J1/02 , G03F7/20

9. 发明专利

JP2021535617A 3次元ロジック機構内に積層型トランジスタを組み込んだロジックセルを垂直方向にルーティングする方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021535617A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021512578
申请日：2019-09-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , トーキョーエレクトロンユーエスホールディングス,インコーポレーテッド
发明人：スミス,ジェフリー , デヴィリアーズ,アントン , タピリー,カンダバラ
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/786 , H01L27/00 , H01L21/82
摘要：半導体デバイスは、実質的に平坦な表面を有する基板と、基板上に設けられ、第1のチャネルと第1のソース−ドレイン領域対とを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)を含む第1のロジックゲートと、基板の表面に対して垂直な垂直方向に沿って第1のロジックゲート上に積層された第2のロジックゲートであって、第2のチャネルと第2のソース−ドレイン領域対とを有する第2のFETを含む、第2のロジックゲートと、第1のロジックゲートと第2のロジックゲートとの間を流れる電流の少なくとも一部が前記垂直方向に沿って流れるように、第1のFETのソース−ドレイン領域を第2のFETのソース−ドレイン領域に電気的に接続するコンタクトと、を含む。

10. 发明专利

JP2021192425A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021192425A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021070834
申请日：2021-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：ジョンファジュン , 鈴木雅弘 , 保坂勇貴 , 大秦充敬
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】基板エッジにおけるチルティングを制御しつつ、基板の中央及び中間領域におけるプロセス変化を抑制できること。【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理容器と、プラズマ処理容器内に配置され、静電チャックを含む基板支持部と、静電チャック上の基板を囲むように静電チャック上に配置され、内側環状部分、中間環状部分及び外側環状部分を含む第1のリングであり、内側環状部分の上面は、中間環状部分の上面よりも高く、外側環状部分の上面は、内側環状部分の上面よりも高い、第1のリングと、第1のリングの中間環状部分の上面に配置される第2のリングと、第2のリングの上面を第1の高さに維持するように第2のリングを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータであり、第1の高さは、第1のリングの内側環状部分の上面の高さよりも大きく、且つ、第1のリングの外側環状部分の上面の高さよりも小さい、アクチュエータと、を有する。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式