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1. 发明专利

JP2004022224A Coating liquid and method for forming transparent conductive film, method of manufacturing thin film transistor for liquid crystal display, and liquid crystal display 审中-公开
公开(公告)号：JP2004022224A
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：JP2002172445
申请日：2002-06-13
申请人： Mitsubishi Materials Corp , Ulvac Corporate Center:Kk , Ulvac Japan Ltd , 三菱マテリアル株式会社 , 株式会社アルバック , 株式会社アルバック・コーポレートセンター
发明人： SAITO NORIYASU , KOSHIYAMA HIROSHI , TAKEI HIDEO , ISHIBASHI AKIRA , IWASHIGE HIROSHI , ODA MASAAKI
IPC分类号： G02F1/1343 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D7/12 , G02F1/1368 , H01B1/20 , H01B13/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide coating liquid for forming a transparent conductive film adaptable to various kinds of uses, a method of forming a transparent conductive film having prescribed physical properties by low temperature baking, a method of manufacturing a thin film transistor for a liquid crystal display, and the liquid display. SOLUTION: Coating liquid obtained by dissolving ultra-fine particles of an ITO compound oxide in an organic solvent obtained by dissolving an organic compound of indium and an organic compound of tin as essential components is prepared. After applying the coating liquid on a transparent substrate by a spin coating method to form a film, the transparent conductive film is formed by baking it under low temperatures, and the thin film transistor for the liquid crystal display is obtained by forming a picture element electrode on a layer insulating film by using the coating liquid. Thereby, the liquid crystal display using this thin film transistor is obtained. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

2. 发明专利

JPWO2021014675A1 真空処理装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2021014675A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020010586
申请日：2020-03-11
申请人：株式会社アルバック
发明人：田代征仁 , 杉山成
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/34
摘要：真空チャンバと処理ユニットとの間に連通管が存する場合でもメンテナンス性の良い構造を持つ真空処理装置を提供する。被処理基板Swの処理面に対して所定の真空処理を施す本発明の真空処理装置SMは、被処理基板が設置され、処理面が向く方向を上方として上壁に処理面を臨む取付開口12が形成された真空チャンバPc3と、真空処理を施すための処理ユニットCUと、真空チャンバと処理ユニットとの間に介設される所定長さの連通管3とを備え、真空雰囲気の真空チャンバ内の被処理基板に対して連通管を通して所定の真空処理を施すように構成され、処理ユニットに、上下方向に直交してのびる回転軸72回りに揺動する回動アーム74が連結され、真空チャンバと連通管とを、または、処理ユニットと連通管とを選択的に係合する係合手段41〜44,5を更に備える。

3. 发明专利

JP6983332B2 プラズマCVD装置、および、プラズマCVD法有权
公开(公告)号：JP6983332B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2020544973
申请日：2020-02-13
申请人：株式会社アルバック
发明人：小林忠正 , 座間秀昭
IPC分类号： C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C16/42

4. 发明专利

JP6982597B2 スパッタリング装置有权
公开(公告)号：JP6982597B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2019118165
申请日：2019-06-26
申请人：株式会社アルバック
发明人：大久保裕夫 , 小林大士 , 小野貴裕
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35

5. 发明专利

JP2021188940A 測定異常検出装置、および、測定異常検出方法有权
公开(公告)号：JP2021188940A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020091637
申请日：2020-05-26
申请人：株式会社アルバック
发明人：伊藤敦
IPC分类号： C23C14/52 , G01B17/02
摘要：【課題】膜厚の時間変化率における特異的な変化を検出可能にした測定異常検出装置、および、測定異常検出方法を提供する。【解決手段】水晶振動子に対する発信と水晶振動子からの受信との相関関係を用いて水晶振動子に堆積する膜厚の時間変化率を算出する際に水晶振動子における測定異常を検出する測定異常検出装置であって、制御装置20は、相関関係から導かれる位相または虚数部に基準を設け、測定異常に追従し得る標本を基準によって確定して、標本の時間変化量が前記測定異常によるものか否かを評価することによって測定異常を検出する。【選択図】図1

6. 发明专利

JPWO2021117302A1 アルミニウム合金ターゲット、アルミニウム合金配線膜、及びアルミニウム合金配線膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2021117302A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2020033412
申请日：2020-09-03
申请人：株式会社アルバック
发明人：若井雅文 , 半那拓 , 中台保夫 , 中村亮太
IPC分类号： C23C14/14 , H01L29/786 , H01L21/336 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/34
摘要：【課題】低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れたアルミニウム合金ターゲット、アルミニウム合金配線膜、及びアルミニウム合金配線膜の製造方法を提供する。【解決手段】上記目的を達成するため、一形態に係るアルミニウム合金ターゲットは、アルミニウムからなる主成分と、上記主成分に添加された元素群であり、0.005at%以上0.88%以下の鉄及び0.01at%以上0.05at%以下のバナジウムからなる元素群とを具備する。このようなアルミニウム合金ターゲットを用いれば、低抵抗であり、耐熱性、屈曲性に優れたアルミニウム合金配線膜が形成される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021182473A 薄膜リチウム二次電池及び薄膜リチウム二次電池の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021182473A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020086666
申请日：2020-05-18
申请人：株式会社アルバック
发明人：佐々木俊介 , 小野敦央
IPC分类号： H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M10/0585
摘要：【課題】信頼性が高い薄膜リチウム二次電池を提供することにある。【解決手段】薄膜リチウム二次電池において、正極層は、第1のリチウム複合酸化物を有する。負極層は、上記正極層から放出されるリチウムイオンを吸蔵または上記正極層にリチウムイオンを放出することができる。固体電解質層は、上記負極層と上記正極層との間に設けられ、第2のリチウム複合酸化物を有する。上記負極層のヤング率E1、上記負極層の厚みD1、上記負極層の充放電における体積変化率β、上記固体電解質層のヤング率E2、及び上記固体電解質層の厚みD2との間に、は、(E1×D1×β)/(E2×D2) 【選択図】図1

8. 发明专利

JP2021161054A 金ナノ粒子の凝集体、金ナノ粒子分散液、放射線治療用増感剤及び金ナノ粒子分散液の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021161054A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020062947
申请日：2020-03-31
申请人：株式会社アルバック , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：三澤雅樹 , 岡田朋子 , 橋本夏樹 , 大澤正人
IPC分类号： A61P35/00 , A61K51/02 , A61K9/10 , A61K47/34 , A61K33/242
摘要：【課題】長時間の濃縮調製を行うことなく製造できる、電解質溶液中で分散可能な金ナノ粒子凝集体、金ナノ粒子分散液、放射線治療用増感剤及び金ナノ粒子分散液の製造方法を提供する。【解決手段】電解質溶液中で分散可能な本発明の金ナノ粒子の凝集体は、金ナノ粒子の表面が被覆剤で被覆され、被覆剤が、ヒドロキシアルカンチオールと、ポリエチレングリコール鎖の末端にチオール基を有するポリエチレングリコールとを含み、電解質溶液中でポリエチレングリコールのポリエチレングリコール鎖が相互に絡み合うことにより金ナノ粒子が所定の間隔を維持して凝集したクラスタ状の凝集体をなす。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6942939B2 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法有权
公开(公告)号：JP6942939B2
公开(公告)日：2021-09-29
申请号：JP2020560509
申请日：2020-04-27
申请人：株式会社アルバック
发明人：和田優 , 追鳥宏 , 齋藤勝仁 , 田屋和美 , 高橋一寿
IPC分类号： C04B35/01 , H01L21/363 , C23C14/34

10. 发明专利

JPWO2021049175A1 イオンガン有权
公开(公告)号：JPWO2021049175A1
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020028200
申请日：2020-07-21
申请人：株式会社アルバック
发明人：湯瀬琢巳
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02
摘要：本発明のイオンガンは、アノードと、前記アノードに対向する内面と、前記アノードに対応する位置に設けられたスリットと、前記内面の一端から前記スリットに向けて延在しかつ前記スリットの一部を形成する内傾斜面とを有する磁極と、少なくとも前記内面及び前記内傾斜面を被覆し、導電性かつ非磁性の材料で構成され、前記磁極に対して脱着可能なカバーとを備える。

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