专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2017041607A 樹脂基板の加工方法有权
标题翻译：处理的树脂基板的方法
公开(公告)号：JP2017041607A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015164005
申请日：2015-08-21
申请人：株式会社アルバック
发明人：佐藤宗之 , 森川泰宏 , 谷典明
IPC分类号： H05K3/00
摘要：【課題】レーザー加工により、予め非貫通孔が形成された樹脂基板を用い、奥行き方向においても、開口部と同様の面形状を有する非貫通孔が作製できる樹脂基板の加工方法を提供する。【解決手段】本発明に係る樹脂基板の加工方法は、レーザー・パターニング処理により、側断面方向から見て、一主面側からV字状をなす凹部11が形成された樹脂基板10に対して、ドライエッチング法を用いプラズマ処理を施すことにより、前記凹部の形状をV字状からU字状に変形させる工程αを含む。【選択図】図1
摘要翻译：通过激光加工，这是预先形成非贯通孔，即使在深度方向上的树脂基板，提供一种用于处理的树脂基板非穿透孔可以具有相同的表面形状和所述开口来制造的方法。形成有用于根据本发明，激光图案化工艺，如从凹部11的树脂基板10的侧横截面方向观察加工树脂基片的方法，以形成从所述一个主面的V形通过使用干蚀刻法进行等离子体处理，包括从所述V形凹部的U形的形状变形的工序α。点域1

2. 发明专利

JP2016084508A 金属膜成膜方法审中-公开
标题翻译：金属膜薄膜沉积方法
公开(公告)号：JP2016084508A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014217921
申请日：2014-10-27
申请人：株式会社アルバック
发明人：鈴木寿弘 , 齋藤敦史 , 赤松泰彦 , 谷典明
IPC分类号： C23C14/20 , H05K3/14 , C23C14/34
摘要：【課題】樹脂基材の表面全体に亘って密着性良く金属膜を成膜できる量産性に優れた金属膜成膜方法を提供する。【解決手段】金属製のターゲット2が配置された真空処理室B内に樹脂基材Wを配置し、真空処理室内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定電圧を印加して真空処理室内にプラズマを形成し、ターゲットをスパッタリングすることにより樹脂基材の少なくとも一方の表面に金属膜Mf1,Mf2を成膜する本発明の金属膜成膜方法は、前記電圧がパルス電圧であり、このパルス電圧の周波数が1kHz未満で、パルス幅が1μs〜1msの範囲である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了提供金属膜的成膜方法，该方法能够在树脂基板的整个表面上沉积具有良好粘附性的金属膜，并且具有良好的批量生产率。解决方案：膜沉积根据本发明的金属膜的方法将树脂基板W布置在其中布置有金属靶2的真空室B中，将溅射气体引入真空室中，通过向目标物施加预定电压来形成等离子体，并且将金属薄膜Mf1，Mf2在树脂基板的至少一个表面上溅射靶，电压为脉冲电压，脉冲电压具有小于1kHz的频率，脉冲宽度在1μs-1ms的范围内图3

3. 发明专利

JP2020132967A スパッタリングカソード审中-公开
公开(公告)号：JP2020132967A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019029828
申请日：2019-02-21
申请人：株式会社アルバック , アルバックコリアリミテッド , ULVAC KOREA,LTD.
发明人：沼田幸展 , 中牟田雄 , 遠藤洋平 , 松本昌弘 , 谷典明 , キムジュングン , ビョンドンボン , ソビョンホ
IPC分类号： C23C14/35
摘要：【課題】所望の成膜分布が得られる最適な成膜条件の探査、マグネトロンスパッタ装置のメンテナンス、或いは磁気回路の組立て作業において、多大な手間と時間がかかることを避けつつ、成膜分布を容易に調整することができるスパッタリングカソードを提供する。【解決手段】ターゲットTの平面に対する鉛直方向に沿って配置された第1磁気回路71と第2磁気回路72と、を備え、第1磁気回路71及び第2磁気回路72の少なくとも一方は、ターゲットTに平行に配置される支持板72Bと、支持板72Bに固定されかつ鉛直方向に延びる軸線AXの周りを囲む第1コイルC1と、支持板72Bに固定されかつ第1コイルC1の外側を囲む第2コイルC2とを備える。【選択図】図4

4. 发明专利

JPWO2017169448A1 成膜装置、および、成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017169448A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017007576
申请日：2017-02-27
申请人：株式会社アルバック
发明人：小林洋介 , 岩井治憲 , 藤長徹志 , 井堀敦仁 , 谷典明
IPC分类号： H01F41/18 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01F41/18 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3452
摘要：成膜装置は、磁性材料を含むターゲット(31)と、ターゲット(31)と対向する領域である配置領域(R)に基板(S)が位置するように基板(S)を支持する搬送部(14)と、配置領域(R)に対してターゲット(31)とは反対側に位置し、基板(S)に沿う1つの方向である揺動方向(Ds)と平行な水平磁場(HM)を配置領域(R)に対してターゲット(31)が位置する側に形成するとともに、揺動方向(Ds)における少なくとも配置領域(R)の一端と他端との間で揺動方向(Ds)に沿って水平磁場(HM)を揺動させる第1磁場形成部(20)とを備える。

5. 发明专利

JP6239359B2 液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法有权
公开(公告)号：JP6239359B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013249928
申请日：2013-12-03
申请人：株式会社アルバック
发明人：齋藤敦史 , 鈴木寿弘 , 赤松泰彦 , 谷典明 , 斎藤一也
IPC分类号： H01L21/208 , C30B19/04 , C30B29/38

6. 发明专利

JP2016092307A 樹脂基板の加工方法审中-公开
标题翻译：树脂基材的加工方法
公开(公告)号：JP2016092307A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014227423
申请日：2014-11-07
申请人：株式会社アルバック
发明人：坂尾洋介 , 森川泰宏 , 佐藤宗之 , 谷典明
IPC分类号： H05K3/00 , H05K1/03 , H05K3/42
摘要：【課題】樹脂基板に備えた導体に向けて、該樹脂基板の一方の主面から貫通孔を形成した際に、樹脂基板の主面や、貫通孔の内側面および内底面における表面形状を制御することが可能な、樹脂基板の加工方法を提供する。【解決手段】本発明に係る樹脂基板の加工方法は、フィラーをなす無機部材2aが有機部材2bに分散して含まれてなる樹脂基板2を用い、該樹脂基板に備えた導体3に向けて、該樹脂基板の一方の主面から貫通孔を形成する樹脂基板の加工方法であって、前記貫通孔を設ける領域に前記一方の主面から、予め非貫通孔が形成された樹脂基板に対して、ドライエッチング法により前記非貫通孔の内底面4を除去し、該樹脂基板の一方の主面は平坦性を保つ工程Aを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够控制树脂基板的主表面的表面形状的树脂基板的加工方法以及贯通孔的内侧面和内底面的表面形状，由树脂基板的一个主表面朝向包括在树脂基板中的导体形成。解决方案：根据本发明的树脂基板的加工方法是使用树脂基板2的树脂基板的加工方法，包括形成填料并分散在有机构件2b中的无机构件2a的树脂基板和通孔从树脂基板的一个主表面朝向包括在树脂基板中的导体3形成。处理方法包括步骤A，其通过干法蚀刻方法除去非通孔的内底面4，相对于树脂基板，其中在通孔的一个主表面上预先形成非通孔，并且保持树脂基板的一个主表面的平坦度。选择的图示：图1

7. 发明专利

JP6542466B2 成膜装置、および、成膜方法有权
公开(公告)号：JP6542466B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2018508815
申请日：2017-02-27
申请人：株式会社アルバック
发明人：小林洋介 , 岩井治憲 , 藤長徹志 , 井堀敦仁 , 谷典明
IPC分类号： C23C14/35 , H01F41/18 , C23C14/34

8. 发明专利

JP2019073756A 成膜装置、および、成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019073756A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017199455
申请日：2017-10-13
申请人：株式会社アルバック
发明人：井堀敦仁 , 藤長徹志 , 谷典明 , 岩井治憲 , 小林洋介
IPC分类号： H01F41/18 , H01L43/12 , C23C14/35
摘要：【課題】基板の面内において磁性膜における一軸磁気異方性のばらつきを抑えることを可能とした成膜装置、および、成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置は、一軸磁気異方性を発現することが可能な磁性材料を含むターゲット31と、ターゲット31と対向する領域に所定のピッチで並ぶ複数の磁石21を含み、ターゲット31と複数の磁石21との間に位置する基板Sに平行な水平磁場HMを基板Sとターゲット31との間に形成する第1磁気回路20と、基板Sに対する第1磁気回路20の位置を、第1方向D1に沿って、第1位置と第1位置から所定のピッチ以下だけ離れた第2位置との間で変える第1位置変更部18と、を備える。各磁石21は、第1方向D1に沿って所定のピッチで並ぶ。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2017020097A スパッタ装置及びスパッタ装置の駆動方法有权
标题翻译：溅射装置的驱动方法和溅射装置
公开(公告)号：JP2017020097A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015141191
申请日：2015-07-15
申请人：株式会社アルバック
发明人：岩田賢二 , 岩井治憲 , 谷典明 , 松本昌弘 , 藤長徹志 , 井堀敦仁
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/34
摘要：【課題】コリメータのメンテナンスに要する負荷を低減させることができるスパッタ装置及びスパッタ装置の駆動方法を提供する。【解決手段】スパッタ装置10は、スパッタ室13と、スパッタ室13に搭載されたターゲット22とを備える。基板1を含む第1の対象と、コリメータ60を含む第2の対象とが搬送対象であり、スパッタ室13の外部と、スパッタ室13の内部における搬送位置とを結ぶ経路が搬送経路であり、スパッタ装置10は、第1の対象と第2の対象とを共通する搬送経路で搬送する搬送レーン30と、ターゲット22と搬送位置の間の位置であって、搬送経路から外れた位置である取付位置と、搬送位置との間で、第2の対象を移動させる移動部とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供了一种溅射装置，并且可以降低维护准直器的所需的负荷的溅射装置的驱动方法。的溅镀装置10包括一个溅射室13中，安装在溅射室13中的靶22。包括基片1，一个第二物体，并且包括准直器60的传输对象，并且溅射室13的外侧的第一个目的，连接溅射室13内的运输位置的路径是载流子路径，溅射装置10包括用于输送其是共同的第一对象和第二对象，该运输位置和目标22之间的位置处的输送路径的载波车道30中，关闭输送路径的位置处附连位置时，运输位置，以及使所述第二对象的移动单元之间。 1点域

10. 发明专利

JP2016092308A 基板温度制御装置、基板処理システム、及び、基板温度制御方法审中-公开
标题翻译：基板温度控制器，基板处理系统和基板温度控制方法
公开(公告)号：JP2016092308A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014227424
申请日：2014-11-07
申请人：株式会社アルバック
发明人：坂尾洋介 , 森川泰宏 , 佐藤宗之 , 谷典明
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/458 , H01L21/683
摘要：【課題】ドライプロセスにおけるプラズマ処理により損傷が生じない温度に、テンション・フリーな状態で可撓性の基板を保持し、所望の膜形成や加工が可能となる、基板温度制御装置を提供する。【解決手段】本発明は、ドライプロセスが行われる処理室A内において、可撓性の基板13と接して、該基板の温度上昇を抑制する機能を備えた基板温度制御装置10であって、前記処理室の内外を移動可能な支持部11、及び、前記支持部と前記基板の非処理面との間に配置され、両者と接着する中間部12、から構成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基板温度控制器，其允许形成或加工所需的膜，同时将柔性基板保持在无干燥过程中由于等离子体处理引起的任何损坏的温度，无张力状态。解决方案：在进行干法处理的处理室A中，具有抑制柔性基板13的温度升高的功能的基板温度控制器10由可移动到处理室内的支撑体11构成，以及布置在基板的支撑体和未处理表面之间并与它们两者紧密接触的中间部分12.选择的图示：图1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式