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2. 发明专利

JP2021172534A 合成ダイヤモンドの製造装置有权
公开(公告)号：JP2021172534A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020075381
申请日：2020-04-21
申请人：宏碩系統股▲フン▼有限公司
发明人：曹明雄 , ▲トン▼ 亘皓 , 陳漢穎
IPC分类号： C30B25/02 , H05H1/46 , C30B29/04
摘要：【課題】合成ダイヤモンドの製造において、効率の向上とエネルギーの低減を図ることを目的とする。【解決手段】合成ダイヤモンドの製造装置に用いられるマイクロ波発射モジュールであって、その製造装置の反応チャンバー内に配置されるダイヤモンドホルダーへマイクロ波を発射するために利用され、反応チャンバーはマイクロ波窓を含み、ダイヤモンドホルダーにおけるマイクロ波窓に面する側に集束領域を有し、マイクロ波発射モジュールは反応チャンバーの外側に配置されると共にマイクロ波発生器と集束レンズと合焦機構を備え、マイクロ波発生器はマイクロ波をダイヤモンドホルダーに向けて発射し、集束レンズはダイヤモンドホルダーとマイクロ波発生器との間に配置され、マイクロ波発生器のマイクロ波を集束させ、合焦機構は集束レンズに連結されて集束レンズとマイクロ波発生器との間の距離を調節し、マイクロ波発生器のマイクロ波をダイヤモンドホルダーの集束領域に集束する。【選択図】図3

3. 发明专利

JP6936982B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6936982B2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：JP2020036317
申请日：2020-03-03
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人：人羅俊実 , 織田真也 , 高塚章夫
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , C30B29/16 , C30B25/02 , C23C16/40 , H01L29/872

4. 发明专利

JPWO2020004250A1 結晶性酸化物膜审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020004250A1
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2019024654
申请日：2019-06-21
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人： ▲高▼橋勲 , 四戸孝
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/40 , H01L21/205 , H01L21/368 , C30B29/16
摘要：本発明は、ファセット成長による転位などの欠陥が低減された半導体装置等に有用な結晶品質に優れたコランダム構造を有するエピタキシャル膜を提供する。コランダム構造の横方向成長領域を含む結晶性酸化物膜であって、前記横方向成長領域が、ファセット成長領域を実質的に含まず、結晶成長方向がc軸または略c軸方向であり、c軸または略c軸方向に伸びている転位線を含んでおり、c軸または略c軸方向に結晶成長が拡がった結晶性酸化物同士が互いに接合している。

5. 发明专利

JP2021111712A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021111712A
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2020003249
申请日：2020-01-10
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人： ▲高▼橋勲 , 則松和良 , 四戸孝
IPC分类号： C30B29/16 , C30B25/02 , C23C16/40 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/872
摘要：【課題】半導体特性、特に電気特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】コランダム構造を有すn−型半導体層101aと、半導体層の第1面側に配置された第1の電極105a(ショットキー電極)と、第1面側の反対側である第2面側に配置された第2電極105b(オーミック電極)とを少なくとも有する半導体装置(ショットキーバリアダイオード)であって、第2の電極が、第1の電極よりも少なくとも第1の方向に延びている。第1の方向は、半導体層のc軸方向またはm軸方向である。【選択図】図6

6. 发明专利

JP6902609B2 合成ダイヤモンド板有权
公开(公告)号：JP6902609B2
公开(公告)日：2021-07-14
申请号：JP2019533492
申请日：2017-12-15
申请人：エレメントシックステクノロジーズリミテッド
发明人：エリスジュリアン , ブランドンジョン , ライニンガーフランシスマーク
IPC分类号： C30B25/02 , C01B32/25 , G02B27/00 , G02B1/02 , H01L23/373 , C30B29/04

7. 发明专利

JP6876337B2 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス有权
公开(公告)号：JP6876337B2
公开(公告)日：2021-05-26
申请号：JP2018552571
申请日：2017-11-20
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：藤原康文 , 朱婉新 , 小泉淳 , ミッチェルブランドン , グレゴーキービックストム
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323 , C30B29/38

8. 发明专利

JP6857397B2 積層体、および薄膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6857397B2
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：JP2017161385
申请日：2017-08-24
申请人：地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
发明人：酒井雄樹 , 東正樹 , 重松圭 , 清水啓佑
IPC分类号： C30B25/02 , H01F10/18 , H01F10/28 , H01F41/20 , H01F1/03 , C30B29/22

9. 发明专利

JP2021034632A 窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021034632A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019155184
申请日：2019-08-28
申请人：学校法人名城大学
发明人：竹内哲也 , 平岩恵 , 岩山章 , 岩谷素顕 , 上山智 , 赤▲崎▼ 勇
IPC分类号： H01S5/183 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/38 , C23C16/34 , H01L33/10
摘要：【課題】良好な結晶品質の窒化物半導体多層膜反射鏡を製造することができる窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体多層膜反射鏡の製造方法は、屈折率が互いに異なるAlInN層10とGaN層11とを有するペアPを複数積層し、AlInN層10にInが含まれており、先に積層されたペアPにおけるAlInN層10の結晶成長条件よりも、後に積層されたペアPにおけるAlInN層10の結晶成長条件をInの取り込みが減少するように変化させて積層することによって、各ペアPにおけるAlInN層10のInモル分率の差を抑える第1温度変更工程を実行する。【選択図】図6

10. 发明专利

JP2021011424A 複数の高品質半導体単結晶を効率的に製造するシステム、およびそれを製造する方法有权
公开(公告)号：JP2021011424A
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：JP2020038473
申请日：2020-03-06
申请人：サイクリスタルゲーエムベーハー
发明人：エルヴィンシュミット , ミヒャエルフォーゲル
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/02
摘要：【課題】物理的気相輸送(PVT)によって半導体材料の2つ以上の単結晶を同時に製造するシステムおよび方法を提供すること。【解決手段】PVT成長システムは、各反応炉が単一半導体結晶の成長のためのPVT成長構造を収容するようになされた内側チャンバを有する、複数の反応炉を備え、複数の反応炉のうちの2つ以上の反応炉は、共通の真空チャネルによって互いに接続される。共通の真空チャネルは、接続された反応炉の内側チャンバ内の共通の気相条件を生成および/または制御するための真空ポンプシステムに接続可能である。気相条件は、気相の圧力および/または組成を含み得る。製造された単結晶は、少なくとも炭化けい素、4H−SiC、およびIII〜V族元素の半導体を含む群の半導体材料で作製される。【選択図】図6

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