专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6986729B2 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス有权
公开(公告)号：JP6986729B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2017041147
申请日：2017-03-03
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：陳嘉民 , 桜庭裕弥 , 宝野和博
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/32 , G11B5/39 , H01L43/10

3. 发明专利

JP6968449B2 平衡磁気抵抗周波数ミキサ有权
公开(公告)号：JP6968449B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2019508945
申请日：2017-08-17
申请人：江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 , MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：ディーク、ジェイムズゲーザ , チョウ、チーミン
IPC分类号： G11B5/39 , H01L43/02 , H01L43/08 , G01R33/09 , H03D7/14

4. 发明专利

JP2021176183A 面内磁化膜多層構造、ハードバイアス層、および磁気抵抗効果素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021176183A
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2020081598
申请日：2020-05-01
申请人：田中貴金属工業株式会社
发明人：櫛引了輔 , タムキムコング , 鎌田知成
IPC分类号： H01F10/30 , H01F10/32 , H01F1/047 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11B5/39 , H01F10/16
摘要：【課題】保磁力Hcが2.00kOe以上で、かつ、単位面積当たりの残留磁化Mrtが2.00memu/cm 2 以上であるという磁気的性能を、加熱成膜を行わずに達成することができる面内磁化膜多層構造を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子20のハードバイアス層22として用いられる面内磁化膜多層構造10であって、複数の面内磁化膜12と、非磁性中間層14と、を有してなり、非磁性中間層14は、面内磁化膜12同士の間に配置されており、かつ、非磁性中間層14を挟んで隣り合う面内磁化膜12同士は強磁性結合をしており、面内磁化膜12は、金属Coおよび金属Ptを含有してなり、面内磁化膜12の金属成分の合計に対して、金属Coを45at%以上80at%以下含有し、金属Ptを20at%以上55at%以下含有し、複数の面内磁化膜12の合計の厚さは30nm以上である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6958587B2 磁束吸収体とこれを備える磁気センサ有权
公开(公告)号：JP6958587B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2019044489
申请日：2019-03-12
申请人： TDK株式会社
发明人：牧野健三
IPC分类号： G11B5/39 , G01R33/09 , H01L43/08 , G01R33/02

6. 发明专利

JP2021174808A 磁気抵抗効果デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2021174808A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020074966
申请日：2020-04-20
申请人： TDK株式会社
发明人：山根健量
IPC分类号： H03B15/00 , H01L43/08 , G11B5/39 , H01L29/82
摘要：【課題】周波数選択性を向上させることができる磁気抵抗効果デバイスを提供する。【解決手段】この磁気抵抗効果デバイスは、第1ポートと、第1強磁性層と、第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層とに挟まれたスペーサ層と、を備える磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と前記第1ポートとの間の高周波信号の経路である第1高周波経路と、前記磁気抵抗効果素子に接続され、前記磁気抵抗効果素子に直流電流又は直流電圧を印加するための電源を接続できる直流印加端子と、を備え、前記第1高周波経路又は前記第1高周波経路から分岐した第2高周波経路は、前記磁気抵抗効果素子と離間して配置された高周波磁場印加部を有し、前記高周波磁場印加部の内部を流れる高周波電流が生み出す高周波磁場が前記第1強磁性層に印加される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021128814A SOT(スピン軌道トルク)MTJ(磁気トンネル接合)デバイス、MAMR(マイクロ波アシスト磁気記録)書き込みヘッド、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2021128814A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020212229
申请日：2020-12-22
申请人：国立大学法人東京工業大学 , ウェスタンデジタルテクノロジーズインコーポレーテッド
发明人：ファムナムハイ , クアンレイ , チャーニーファン , ブライアンアールヨーク , タオエーグエン , ジェンガオ , クオックサンホ
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , G11B5/02 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , G11B5/31
摘要：【課題】高いスピンホール角と高い導電率を備えたBiSb層を有するデバイスを提供する。【解決手段】スピン軌道トルク(SOT)磁気トンネル接合(MTJ)デバイスは、基板、基板上に形成されたバッファ層10、およびバッファ層10上に形成されたビスマスアンチモン(BiSb)層20を含み、BiSb層20は(012)配向を有する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2021125273A 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021125273A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020015565
申请日：2020-01-31
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：村田悠人 , 金子裕亮 , 笠田成人
IPC分类号： G11B5/78 , G11B5/738 , G11B5/735 , G11B5/73 , G11B23/30 , G11B15/43 , G11B5/39 , G11B5/584 , G11B5/70
摘要：【課題】磁気テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって磁気テープの幅方向の寸法を制御して良好に記録および/または再生を行うことができる磁気テープの提供。【解決手段】TDSage+TDSenv−TC≦0.30μm、を満たす磁気テープ。この磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置。TDSageは、所定の保存の前に求められたサーボバンド間隔と上記保存の後に求められたサーボバンド間隔との差分の絶対値の最大値、TDSenvは所定の5環境下でそれぞれ求められたサーボバンド間隔の中の最大値と最小値との差分に1/2を掛け合わせて算出される値、TCはTDStensに0.5Nを掛け合わせて算出される値、TDStensは磁気テープの長手方向に複数の異なるテンションをかけて所定の5環境下でそれぞれ求められたサーボバンド間隔から算出されるテンションの変化に対するサーボバンド間隔の変化の割合である。【選択図】なし

9. 发明专利

JP2021118018A 磁気記録再生装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021118018A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020010317
申请日：2020-01-24
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：武者敦史 , 松山想 , 笠田成人
IPC分类号： G11B5/706 , G11B5/708 , G11B5/735 , G11B5/738 , G11B5/78 , G11B5/84 , G11B5/127 , G11B5/39 , G11B5/70
摘要：【課題】良好なオフトラックマージン特性でのデータ再生を可能にするための新たな手段の提供。【解決手段】磁気記録媒体と記録素子と再生素子とを含む磁気記録再生装置。上記記録素子は、磁界を発生させる第一の磁極とライトギャップを挟んで第一の磁極と離隔する第二の磁極とを有するインダクティブ型記録素子であり、第一の磁極の先端部幅は第二の磁極の先端部幅と略同一幅である。上記再生素子の再生素子幅は0.8μm以下である。上記磁気記録媒体では、磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により加速電圧5kVで撮像して得られた二次電子像の二値化処理済み画像における複数の明部領域の円相当径の個数分布Aおよび磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により加速電圧2kVで撮像して得られた二次電子像の二値化処理済み画像における複数の暗部領域の円相当径の個数分布Bがそれぞれ所定の個数分布を満たす。【選択図】なし

10. 发明专利

JPWO2019193871A1 面直電流巨大磁気抵抗素子、その前駆体、及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2019193871A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2019007261
申请日：2019-02-26
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：中谷友也 , 佐々木泰祐 , 古林孝夫 , 宝野和博
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , G11B5/39 , H01L43/12
摘要：強磁性金属層/非磁性金属層/強磁性金属層の積層構造を有する面直電流巨大磁気抵抗素子の前駆体であって、非磁性金属と酸化物を所定割合で含有すると共に、これらの非磁性金属と酸化物を原子レベルで大略均一に含有する非磁性中間層を有することを特徴とし、強磁性金属層と非磁性中間層の積層構造を所定温度で熱処理した導電性の合金よりなる電流狭窄構造領域と、この電流狭窄構造領域を囲うように形成された酸化物を含む高抵抗金属合金領域を有する電流狭窄構造(CCP)を構成することを特徴とする面直電流巨大磁気抵抗素子。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式