专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2021153051A 荷電粒子ビーム源审中-公开
公开(公告)号：JP2021153051A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2021048709
申请日：2021-03-23
申请人：エフイーアイカンパニ , FEI COMPANY
发明人：クンリウ , スティーブンジェイ.ランドルフ
IPC分类号： H01J37/28 , H01J1/148 , H01J1/18 , H01J9/02 , H01J9/04 , H01J9/18 , H01J37/06
摘要：【課題】重大な劣化なしに、かつ構造の他の要素によって加えられる圧縮力でエミッタを所定の位置にクランプまたは保持する必要なしに、ビーム生成エミッタと荷電粒子ビーム(CPB)システムの光軸との改善された位置合わせ、ならびに高温での長期の安定した信頼性のある動作をする荷電粒子ビーム(CPB)源の提供。【解決手段】荷電粒子ビーム源は、ベースに連結された導電性支持部材208と、支持部材208に連結されボアを画定する取り付け部材216と、ボア内に受容されたエミッタ部材224であって、エミッタ部材224はボア内のエミッタ部材224の周りに流される固定材料層242によって保持される。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6922054B2 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6922054B2
公开(公告)日：2021-08-18
申请号：JP2020135113
申请日：2020-08-07
申请人：株式会社コベルコ科研
发明人：古賀健治 , 高木敏晃 , 工藤史晃 , 草道龍彦
IPC分类号： C30B29/52 , C30B13/22 , C01G55/00 , H01J19/24 , H01J19/064 , C22C5/04 , H01J1/144 , H01J9/02 , H01J9/04 , H01J1/304

3. 发明专利

JP6826310B2 放電ランプ用電極およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6826310B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2016217085
申请日：2016-11-07
申请人：ウシオ電機株式会社
发明人：森和之 , 富永健二
IPC分类号： H01J9/02 , H01J61/073

4. 发明专利

JP6818394B2 放電ランプ、放電ランプ用電極および放電ランプ用電極の製造方法有权
公开(公告)号：JP6818394B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2016188070
申请日：2016-09-27
申请人：株式会社オーク製作所
发明人：早川壮則 , 小平宏 , 芹澤和泉
IPC分类号： H01J9/02 , H01J61/073

5. 发明专利

JPWO2019107113A1 エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019107113A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018041601
申请日：2018-11-09
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：唐捷 , 元金石 , 秦禄昌
IPC分类号： H01J9/02 , H01J37/073 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J1/304
摘要：本発明は、電子を高効率に安定して放出する炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなるエミッタ、その製造方法およびそれを用いた電子銃および電子機器を提供することを目的とする。本発明のナノワイヤを備えたエミッタは、ナノワイヤが、炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなり、ナノワイヤの長手方向は、炭化ハフニウム単結晶のの結晶方向に一致し、ナノワイヤの電子を放出すべき端部は、炭化ハフニウム単結晶の(200)面と{311}面とからなり、(200)面を中心とし、{311}面が(200)面を包囲している。

6. 发明专利

JP6694515B2 電子線装置有权
公开(公告)号：JP6694515B2
公开(公告)日：2020-05-13
申请号：JP2018544636
申请日：2016-10-13
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：糟谷圭吾 , 荒井紀明 , 楠敏明 , 大嶋卓 , 橋詰富博 , 酒井佑輔
IPC分类号： H01J37/06 , H01J9/02 , H01J37/073

7. 发明专利

JP6685341B2 電子放出素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6685341B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2018069646
申请日：2018-03-30
申请人：シャープ株式会社
发明人：中松健一郎 , 田口登喜生 , 新川幸治 , 高崎まい , 岩松正
IPC分类号： H01J1/312 , H01J9/02

8. 发明专利

JPWO2018105559A1 炭素材料、その製造方法及び電子放出材料审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018105559A1
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2017043491
申请日：2017-12-04
申请人：国立大学法人東北大学 , ステラケミファ株式会社
发明人：田路和幸 , 佐藤義倫 , 尾本洋次 , 佐藤良憲 , 石丸慧 , 松下浩典 , 山本雅士 , 西田哲郎
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/168 , C01B32/159 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J9/02 , H01B1/04 , C01B32/158
摘要：電気伝導性に優れた炭素材料、その製造方法及び電子放出材料を提供する。本発明にかかる炭素材料は、炭素六員環ネットワークを有する炭素材料であって、前記炭素六員環ネットワーク中に、再配列構造である炭素五員環構造と炭素七員環構造がそれぞれ組み込まれていることを特徴とする。

9. 发明专利

JP2019145443A エミッターの作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145443A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018030577
申请日：2018-02-23
申请人：株式会社日立ハイテクサイエンス
发明人：中島陽子 , 川浪義実 , 守谷宏範 , 大庭弘
IPC分类号： H01J9/02
摘要：【課題】エミッターの素材が種々多様な場合であっても、エミッターの先端を好ましい形状に成形することができるエミッターの作製方法を提供すること。【解決手段】エミッターの作製方法は、導電性のエミッター素材の先端部を電解研磨加工し、先端に向かって漸次縮径するように加工する工程と、当該工程により加工されたエミッター素材における加工部位に荷電粒子ビームを照射してエッチング加工を行い、先端を頂点とした角錐状の先鋭部を形成する工程と、当該工程により当該先鋭部が形成されたエミッター素材の表面をスパッタリング加工し、荷電粒子ビームによるエッチング加工の痕跡を取り除く工程と、当該工程により当該痕跡を取り除かれたエミッター素材の当該先鋭部における先端の結晶構造を電界イオン顕微鏡で観察しながら、当該先端を電界誘起ガスエッチング加工によりさらに先鋭化させ、その最先端を構成する原子数を一定数以下とさせる工程とを有する。【選択図】図5

10. 发明专利

JP2019071260A 電子源及び電子線照射装置並びに電子源の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019071260A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2017197923
申请日：2017-10-11
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：村上勝久 , 長尾昌善
IPC分类号： H01J9/02 , H01J61/06 , H01J61/067 , H01J1/30
摘要：【課題】多方向に電子を放出可能で電子放出効率の優れた電子源、及びこれを用いた電子線照射装置、並びに電子源の製造方法を提供する。【解決手段】第1の電極と、絶縁膜からなる電子加速層と、第2の電極とが積層された構造を備える電子源であって、表面が電子放出面を構成する前記第2の電極は、グラフェン膜又はグラファイト膜であり、前記第1の電極及び前記第2の電極の一部又は全部が、曲面を有し、前記電子放出面が曲面である電子源とすることにより、多方向に電子を放出可能とする。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式