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    • 92. 发明授权
    • 금속유도 측면 결정화를 이용한 하부 게이트 구조를 갖는다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
    • 具有使用金属诱导横向结晶的底栅结构的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
    • KR100958826B1
    • 2010-05-24
    • KR1020070120088
    • 2007-11-23
    • 재단법인서울대학교산학협력재단
    • 주승기
    • H01L29/786
    • 본 발명은 MIC 및 MILC를 이용하여 활성화 영역 및 소스/드레인 영역의 비정질
      실리콘층을 동시에 결정화시킴에 의해 공정시간과 공정단가를 단축시키고, 활성화 영역과 게이트 절연막 사이의 계면 특성을 향상시킬 수 있는 하부 게이트 구조를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
      본 발명은 기판 위에 형성된 게이트 전극 위에 게이트 절연막과, 비정질 실리콘층과, n
      + 실리콘층을 연속적으로 형성한 후, n
      + 실리콘층과 비정질 실리콘층을 패터닝하여 소스 영역 및 드레인 영역용 n
      + 실리콘층과 활성화 영역을 정의한다. 이어서, 소스 영역 및 드레인 영역이 형성될 위치에 제1 및 제2 결정화 유도금속막을 형성하고, 이를 식각 마스크로 사용하여 식각함에 의해, 소스 영역 및 드레인 영역을 정의하고 채널 영역을 갖는 활성화 영역을 형성한다. 그후, 기판을 열처리하여 제1 및 제2 결정화 유도금속막의 하부에 위치한 소스 영역 및 드레인 영역과, 활성화 영역은 MIC에 의해 결정화시키고, 채널 영역은 MILC에 의해 결정화시킨다.
      박막 트랜지스터, 하부 게이트, MIC, MILC