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    • 19. 发明授权
    • 저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자의제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자
    • 记录电阻开关元件的方法,电阻开关元件的制造方法及具有该电阻开关元件的电阻开关元件
    • KR101307253B1
    • 2013-09-11
    • KR1020070065754
    • 2007-06-29
    • 재단법인서울대학교산학협력재단
    • 황철성김경민
    • H01L21/8247H01L27/115
    • 저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자 제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자가 개시된다. 본 발명에 따른 저항변화기록소자의 정보기록방법은 하부전극, 하부전극 상에 형성된 전이금속 산화물 박막, 전이금속 산화물 박막 상에 형성된 상부전극의 구조를 포함하는 저항변화기록소자의 정보기록방법에 있어서, 전이금속 산화물 박막에 전압을 인가하여 전이금속 산화물 박막을 양극 저항 스위칭(bipolar resistance switching, BRS) 특성이 나타나도록 포밍(forming)한다. 그리고, 포밍된 전이금속 산화물 박막에 전이금속 산화물 박막의 단극 저항 스위칭(unipolar reseistance swtching, URS)의 셋(set) 전압의 크기보다 작고, 소프트셋(soft set)의 전압의 크기보다 큰 상호 반대되는 극성을 가지는 전압을 각각 인가하여, 전이금속 산화물 박막의 저항을 변화시킨다. 그리고, 전이금속 산화물 박막의 저항 크기에 따라 "0" 또는 "1"을 할당한다. 본 발명에 따르면, 양극 저항 스위칭 특성을 이용하여 저항변화기록소자의 전력소모를 줄일 수 있고, 저항 스위칭 시간을 짧게 하여 소자의 속도를 향상시킬 수 있다. 그리고 컴플라이언스 전류를 인가하여 "0", "1"의 두 개의 상태뿐만 아니라 복수의 상태를 갖는 자기변화기록소자를 구현할 수 있다.