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    • 6. 发明授权
    • 반응성 이온-빔 에칭에 의한 표면의 구조화 방법, 구조화된 표면 및 용도
    • 通过反应离子束蚀刻,结构化表面和用途来构建表面的方法
    • KR101799121B1
    • 2017-11-17
    • KR1020127016917
    • 2010-11-24
    • 쌩-고벵 글래스 프랑스
    • 손더가드엘린르로이세바스티앙르테이외알방마뉴콩스탕스
    • C03C15/00C03C14/00C03C21/00
    • C03C21/005C03C14/004C03C15/00C03C2214/08C03C2217/77Y10T428/24479
    • 본발명은표면의구조화방법, 즉반응성이온-빔에칭에의해, 물질(1), 특히유리의표면상에서브마이크로미터크기의높이(H) 및마이크로미터또는서브마이크로미터크기의폭으로지칭되는하나이상의특징적측방향치수(W)를갖는특징부또는요철부(2)의하나이상의세트를형성하기위한표면의구조화방법에관한것이며, 상기방법은하기단계를포함하는것을특징으로한다: 두께가 100 nm 이상인상기물질 - 상기물질은고체혼성물질이며, 물질중 산화물의몰%가 40 % 이상, 특히 40 % 내지 94 %인단일또는혼합된 Si 산화물, 및물질중 종의몰%가 1 % 내지 50 % 범위이고상기산화물의 % 미만이며, 종의적어도대부분이 50 nm 미만의최대특징적치수를갖는, 산화물의 Si와는별도의하나이상의종, 특히금속을포함하고, 상기혼성물질은특히상기에칭전에준안정성임 - 을제공하는단계; 선택적으로상기에칭전에상기혼성물질을가열하는단계; 및상기패턴세트가형성될때까지 1 cm초과의에칭표면상에 1 시간미만의에칭시간으로상기혼성물질의표면을구조화하는단계 - 구조화단계는선택적으로혼성물질의가열을포함함 -.
    • 本发明涉及一种结构化表面的方法,即通过反应离子束蚀刻在材料(1)的表面上形成亚微米尺寸(H) 更具体地涉及一种构造用于形成具有至少一个特征横向尺寸W的至少一组特征或凹部2的表面的方法,所述方法包括以下步骤: 所述材料为至少100nm,所述材料为固体杂化材料,所述单一或混合氧化硅为至少40摩尔%,特别是至少40摩尔%,最优选至少94摩尔% 50%和小于所述氧化物的%,至少大部分所述物质具有小于50nm的最大特征尺寸,并且其中所述混合材料 特别是亚稳被到所述蚀刻的提供步骤之前; 在蚀刻之前选择性地加热混合材料; 并且1厘米