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1. 发明专利

TW202030828A 高溫RF加熱器座审中-公开
简体标题：高温RF加热器座
公开(公告)号：TW202030828A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108133168
申请日：2019-09-16
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴秀南 , PARK SOONAM , 班傑明森大衛 , BENJAMINSON, DAVID , 王熹坤 , WANG, XIKUN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要：說明一種半導體處理系統，此系統可以包括具有基板支撐表面的基板支撐組件。示例性的基板支撐組件可包括界定基板支撐表面的陶瓷加熱器。組件可包括接地板，陶瓷加熱器位於接地板上。組件可包括與接地板耦接的桿。組件可包含電極，電極嵌入陶瓷加熱器於距離基板支撐表面的一深度處。腔室或系統亦可包含RF匹配器，RF匹配器經配置以透過桿提供AC電流與RF功率至電極。RF匹配器可沿著桿與基板支撐組件耦合。基板支撐組件和RF匹配器可以在半導體處理系統內垂直平移。
简体摘要：说明一种半导体处理系统，此系统可以包括具有基板支撑表面的基板支撑组件。示例性的基板支撑组件可包括界定基板支撑表面的陶瓷加热器。组件可包括接地板，陶瓷加热器位于接地板上。组件可包括与接地板耦接的杆。组件可包含电极，电极嵌入陶瓷加热器于距离基板支撑表面的一深度处。腔室或系统亦可包含RF匹配器，RF匹配器经配置以透过杆提供AC电流与RF功率至电极。RF匹配器可沿着杆与基板支撑组件耦合。基板支撑组件和RF匹配器可以在半导体处理系统内垂直平移。

2. 发明专利

TW202030802A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW202030802A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140051
申请日：2019-11-05
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要：本發明提供一種可防止於加熱時基板翹起之熱處理方法及熱處理裝置。於矩形之光源區域將40根鹵素燈HL遍及上下2段而呈格子狀排列。於矩形之光源區域之四角中，鹵素燈HL最密地配設。以半導體晶圓W之結晶方位之＜100＞方向與棒狀之鹵素燈HL之長度方向一致的方式，將半導體晶圓W保持於基座。於利用鹵素燈HL進行之預加熱時，沿著半導體晶圓W之結晶方位之＜100＞方向產生之溫度梯度，小於沿著＜110＞方向產生之溫度梯度。藉由使沿著更容易產生翹曲之＜100＞方向之溫度梯度小於沿著＜110＞方向之溫度梯度，可防止於光照射加熱時半導體晶圓W翹起。
简体摘要：本发明提供一种可防止于加热时基板翘起之热处理方法及热处理设备。于矩形之光源区域将40根卤素灯HL遍及上下2段而呈格子状排列。于矩形之光源区域之四角中，卤素灯HL最密地配设。以半导体晶圆W之结晶方位之＜100＞方向与棒状之卤素灯HL之长度方向一致的方式，将半导体晶圆W保持于基座。于利用卤素灯HL进行之预加热时，沿着半导体晶圆W之结晶方位之＜100＞方向产生之温度梯度，小于沿着＜110＞方向产生之温度梯度。借由使沿着更容易产生翘曲之＜100＞方向之温度梯度小于沿着＜110＞方向之温度梯度，可防止于光照射加热时半导体晶圆W翘起。

3. 发明专利

TW202030769A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW202030769A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108136969
申请日：2019-10-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：斎藤道茂 , SAITO, MICHISHIGE , 金子彰太 , KANEKO, SHOTA , 山邊周平 , YAMABE, SHUHEI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要：本發明之目的在於提供一種提高熱回應性的基板處理裝置。本發明提供之基板處理裝置包含：處理容器；載置台，配置於該處理容器的內部，用於載置基板；及零件，配置於該處理容器與該載置台之間，並形成陽極；該零件具有熱交換媒體所流動的流道。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种提高热回应性的基板处理设备。本发明提供之基板处理设备包含：处理容器；载置台，配置于该处理容器的内部，用于载置基板；及零件，配置于该处理容器与该载置台之间，并形成阳极；该零件具有热交换媒体所流动的流道。

4. 发明专利

TWI701756B 承載裝置及半導體加工設備有权
简体标题：承载设备及半导体加工设备
公开(公告)号：TWI701756B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107116465
申请日：2018-05-15
申请人：大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：常青 , 李冰 , 趙夢欣
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/683 , H05B1/00

5. 发明专利

TWI701223B 積層體、半導體封裝體及其製造方法、以及電子設備有权
简体标题：积层体、半导体封装体及其制造方法、以及电子设备
公开(公告)号：TWI701223B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105140552
申请日：2016-12-08
申请人：日商日本電氣硝子股份有限公司 , NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD.
发明人：鈴木良太 , SUZUKI, RYOTA , 村田哲哉 , MURATA, TETSUYA , 藤井美紅 , FUJII, MIKU
IPC分类号： C03C10/14 , H01L21/683

6. 发明专利

TWI699853B 基板支撐裝置、基板處理設備以及用於沉積薄膜的基板處理方法有权
简体标题：基板支撑设备、基板处理设备以及用于沉积薄膜的基板处理方法
公开(公告)号：TWI699853B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW107118271
申请日：2018-05-29
申请人：荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：鄭相桭 , JEONG, SANG JIN , 韓政勳 , HAN, JEUNG HOON , 崔永錫 , CHOI, YOUNG SEOK , 朴柱赫 , PARK, JU HYUK
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/36

7. 发明专利

TWI699419B 膜狀接著劑用組成物、膜狀接著劑、膜狀接著劑之製造方法、使用膜狀接著劑之半導體封裝及其製造方法有权
简体标题：膜状接着剂用组成物、膜状接着剂、膜状接着剂之制造方法、使用膜状接着剂之半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI699419B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105143887
申请日：2016-12-29
申请人：日商古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：森田稔 , MORITA, MINORU , 切替徳之 , KIRIKAE, NORIYUKI , 佐野透 , SANO, TORU
IPC分类号： C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/04

8. 发明专利

TW202027214A 具有電荷消散塗層之靜電卡盤审中-公开
简体标题：具有电荷消散涂层之静电卡盘
公开(公告)号：TW202027214A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108141980
申请日：2019-11-19
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：劉研 , LIU, YAN , 萊辛斯基雅各 , RYBCZYNSKI, JAKUB , 唐納史蒂芬 , DONNELL, STEVEN , 陳俊泓 , CHAN, CHUN WANG
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00
摘要：本發明揭示一種靜電卡盤，其藉由在升高凸起上提供導電路徑來解決晶圓黏附之問題，該等升高凸起橋接在一起且連接至接地以便將晶圓基板支撐在該靜電卡盤之表面之上。此外，橫向隔開之電極圖案以及遠離該等升高凸起橫向且縱向隔開之電極元件減少或消除晶圓夾持期間經導電塗佈凸起與該等電極元件之間的電耦合，藉此形成用於在解除夾持之後使保持在該晶圓上之電荷迅速地行進至接地之一低電阻路徑。該導電橋及電極圖案組態亦實質上減少或消除在夾持期間堆積於該(等)導電橋上之任何電荷以便堆積於「島狀部」(主磁場區域之絕緣體層之磨損部分)中之電荷不影響自該晶圓基板穿過該導電橋至接地之電荷消散。
简体摘要：本发明揭示一种静电卡盘，其借由在升高凸起上提供导电路径来解决晶圆黏附之问题，该等升高凸起桥接在一起且连接至接地以便将晶圆基板支撑在该静电卡盘之表面之上。此外，横向隔开之电极图案以及远离该等升高凸起横向且纵向隔开之电极组件减少或消除晶圆夹持期间经导电涂布凸起与该等电极组件之间的电耦合，借此形成用于在解除夹持之后使保持在该晶圆上之电荷迅速地行进至接地之一低电阻路径。该导电桥及电极图案组态亦实质上减少或消除在夹持期间堆积于该(等)导电桥上之任何电荷以便堆积于“岛状部”(主磁场区域之绝缘体层之磨损部分)中之电荷不影响自该晶圆基板穿过该导电桥至接地之电荷消散。

9. 实用新型

TWM598516U 用於電漿處理腔室的邊環和電漿處理腔室有权
简体标题：用于等离子处理腔室的边环和等离子处理腔室
公开(公告)号：TWM598516U
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108214825
申请日：2017-08-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：德安柏亞倫L , D'AMBRA, ALLEN L. , 突世巴偉立虛沙傑L , TULSHIBAGWALE, SHESHRAJ L.
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/687

10. 发明专利

TWI698729B 閥裝置、流體控制裝置、流體控制方法、半導體製造裝置及半導體製造方法有权
简体标题：阀设备、流体控制设备、流体控制方法、半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TWI698729B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108125005
申请日：2019-07-16
申请人：日商富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED
发明人：佐藤龍彥 , SATO, TATSUHIKO , 中田知宏 , NAKATA, TOMOHIRO , 篠原努 , SHINOHARA, TSUTOMU , 三浦尊 , MIURA, TAKERU
IPC分类号： G05D16/02 , H01L21/683

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