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61. 发明申请

US20100169605A1 ARBITRARY PRECISION FLOATING NUMBER PROCESSING 有权
标题翻译：仲裁精度浮数代码处理
公开(公告)号：US20100169605A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：US12346061
申请日：2008-12-30
申请人： Xu Yang , Hao Wei , Gong Cheng , ZhangZhang Song , Dongmei Zhang , Jian Wang
发明人： Xu Yang , Hao Wei , Gong Cheng , ZhangZhang Song , Dongmei Zhang , Jian Wang
IPC分类号： G06F12/02 , G06F7/38
CPC分类号： G06F7/483 , G06F7/49957
摘要： Techniques for providing arbitrary precision floating number (APFN) processing are disclosed. In some aspects, an APFN store may be used to store a large number (i.e., an APFN) having many significant digits, which in turn may enable a high degree of precision in mathematical operations. An APFN module may be used to create and define the APFN store. The APFN module may enable a user to define a precision (significant digits) for the large number that corresponds to the size of an array of bytes in the APFN store that are allocated for storing the large number. In further aspects, the APFN store may be used to store additional intermediary data and a resultant.
摘要翻译：公开了提供任意精度浮动数（APFN）处理的技术。在一些方面，可以使用APFN存储来存储具有许多有效数字的大量（即，APFN），这又可以使数学运算中的高度精度。可以使用APFN模块来创建和定义APFN存储。 APFN模块可以使用户能够为与分配用于存储大数量的APFN存储中的字节数组的大小相对应的大数量定义精确度（有效数字）。在另外的方面，APFN存储可以用于存储附加的中间数据和结果。

62. 发明授权

US06311312B1 Method for modeling a conductive semiconductor substrate 有权
标题翻译：导电半导体衬底建模方法
公开(公告)号：US06311312B1
公开(公告)日：2001-10-30
申请号：US09405510
申请日：1999-09-23
申请人： Keh-Jeng Chang , Robert G. Mathews , Li-Fu Chang , Xu Yang
发明人： Keh-Jeng Chang , Robert G. Mathews , Li-Fu Chang , Xu Yang
IPC分类号： G06F1750
CPC分类号： G06F17/5081
摘要： A method models conductive regions of a semiconductor substrate in conjunction with conductors in the interconnect structures above the semiconductor substrate. Such a method allows highly accurate extraction of capacitance in planar (e.g., shallow trench isolation) and non-planar (e.g., thermal oxide isolation) semiconductor structures. This method is particularly applicable to modeling dummy diffusion regions prevalent in shallow trench isolation structures. An area-perimeter approach simplifies calculation of capacitance without using a 3-dimensional electric field solver. A method is also provided for extracting a capacitance associate with a contact, or a connecting conductor between two conductor layers.
摘要翻译：一种方法结合半导体衬底上的互连结构中的导体来模拟半导体衬底的导电区域。这种方法允许在平面（例如浅沟槽隔离）和非平面（例如，热氧化物隔离）半导体结构中高度精确地提取电容。该方法特别适用于对浅沟槽隔离结构中普遍存在的虚拟扩散区进行建模。区域周边方法简化了电容的计算，而不使用3维电场求解器。还提供了一种用于提取与触点或两个导体层之间的连接导体相关联的电容的方法。

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