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1. 发明授权

US08476707B2 Method for manufacturing semiconductor device 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US08476707B2
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：US13296919
申请日：2011-11-15
申请人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
发明人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device comprises including a insulating pattern and a silicon film over a SOI substrate, thereby increasing a reduced volume of a floating body after forming a floating body fin transistor so as to secure a data storage space. The method comprises: forming a insulating pattern and a first silicon film over an upper silicon film of a SOI substrate; and forming a fin structure in the first silicon film.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括在SOI衬底上包括绝缘图案和硅膜，从而在形成浮体鳍式晶体管之后增加浮体的体积减小以确保数据存储空间。该方法包括：在SOI衬底的上硅膜上形成绝缘图案和第一硅膜; 以及在所述第一硅膜中形成翅片结构。

2. 发明授权

US08115255B2 Method for manufacturing semiconductor device 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US08115255B2
公开(公告)日：2012-02-14
申请号：US12495702
申请日：2009-06-30
申请人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
发明人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device comprises including a insulating pattern and a silicon film over a SOI substrate, thereby increasing a reduced volume of a floating body after forming a floating body fin transistor so as to secure a data storage space. The method comprises: forming a insulating pattern and a first silicon film over an upper silicon film of a SOI substrate; and forming a fin structure in the first silicon film.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括在SOI衬底上包括绝缘图案和硅膜，从而在形成浮体鳍式晶体管之后增加浮体的体积减小以确保数据存储空间。该方法包括：在SOI衬底的上硅膜上形成绝缘图案和第一硅膜; 以及在所述第一硅膜中形成翅片结构。

3. 发明申请

US20090294851A1 Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：US20090294851A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：US12326285
申请日：2008-12-02
申请人： Joong Sik Kim
发明人： Joong Sik Kim
IPC分类号： H01L29/788 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/66636
摘要： A method for fabricating a semiconductor device comprises: performing a thermal process to expanding a local doped region formed between gate patterns on a semiconductor substrate; and etching a central region of an expanded local doped region so that the expanded local doped region remains at the total area of sidewalls of floating bodies isolated from each other.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：执行热处理以扩展形成在半导体衬底上的栅极图案之间的局部掺杂区域; 并且蚀刻扩展的局部掺杂区域的中心区域，使得扩展的局部掺杂区域保持在彼此隔离的浮体的侧壁的总面积上。

4. 发明授权

US08164143B2 Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：US08164143B2
公开(公告)日：2012-04-24
申请号：US13091860
申请日：2011-04-21
申请人： Joong Sik Kim
发明人： Joong Sik Kim
IPC分类号： H01L27/01 , H01L27/12 , H01L31/0392
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/66636
摘要： A method for fabricating a semiconductor device comprises: performing a thermal process to expanding a local doped region formed between gate patterns on a semiconductor substrate; and etching a central region of an expanded local doped region so that the expanded local doped region remains at the total area of sidewalls of floating bodies isolated from each other.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：执行热处理以扩展形成在半导体衬底上的栅极图案之间的局部掺杂区域; 并且蚀刻扩展的局部掺杂区域的中心区域，使得扩展的局部掺杂区域保持在彼此隔离的浮体的侧壁的总面积上。

5. 发明申请

US20110175162A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：US20110175162A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：US13009182
申请日：2011-01-19
申请人： Joong Sik KIM
发明人： Joong Sik KIM
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/475
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L27/10802 , H01L29/42368 , H01L29/7841
摘要： A method for fabricating a semiconductor memory device includes: forming a trench in a substrate; forming a gate insulation layer along the trench, wherein the gate insulation layer is thicker at an upper region of the trench than at a lower region thereof; forming a gate pattern on the gate insulation layer to fill the trench; forming a first active region over a first region of the gate pattern to overlap the gate pattern at the thicker region of the gate insulation layer; and forming a second active region formed over a second region of the gate pattern and spaced apart from the first active region by a floating body formed therebetween, wherein the second region is vertically lower than the first region.
摘要翻译：一种制造半导体存储器件的方法包括：在衬底中形成沟槽; 沿着所述沟槽形成栅极绝缘层，其中所述栅极绝缘层在所述沟槽的上部区域比在其较低区域处更厚; 在所述栅极绝缘层上形成栅极图案以填充所述沟槽; 在所述栅极图案的第一区域上形成第一有源区，以在所述栅极绝缘层的较厚区域处与所述栅极图案重叠; 以及形成在所述栅极图案的第二区域上形成的第二有源区，并且通过在其间形成的浮体与所述第一有源区间隔开，其中所述第二区域垂直地低于所述第一区域。

6. 发明授权

US07727826B2 Method for manufacturing a semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US07727826B2
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：US12327362
申请日：2008-12-03
申请人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
发明人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/84
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802
摘要： Disclosed herein is a method for manufacturing a semiconductor device that includes forming a gate pattern on a substrate having a stacked structure including a lower silicon layer, an insulating layer, and an upper silicon layer. The method further includes forming spacers on sidewalls of the gate pattern. Still further, the method includes etching the upper silicon layer using the gate pattern as a mask to form a floating body and expose a portion of the insulating layer. The method further includes depositing a conductive layer over the gate pattern and exposed insulating layer, and performing a thermal process on the conductive layer to form a source/drain region in the floating body.
摘要翻译：本文公开了一种半导体器件的制造方法，其包括在具有下硅层，绝缘层和上硅层的层叠结构的基板上形成栅极图案。该方法还包括在栅极图案的侧壁上形成间隔物。此外，该方法包括使用栅极图案作为掩模蚀刻上硅层，以形成浮体并暴露绝缘层的一部分。该方法还包括在栅极图案和暴露的绝缘层上沉积导电层，以及在导电层上执行热处理以在浮体中形成源极/漏极区域。

7. 发明申请

US20100006939A1 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20100006939A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：US12495702
申请日：2009-06-30
申请人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
发明人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device comprises including a insulating pattern and a silicon film over a SOI substrate, thereby increasing a reduced volume of a floating body after forming a floating body fin transistor so as to secure a data storage space. The method comprises: forming a insulating pattern and a first silicon film over an upper silicon film of a SOI substrate; and forming a fin structure in the first silicon film.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括在SOI衬底上包括绝缘图案和硅膜，从而在形成浮体鳍式晶体管之后增加浮体的体积减小以确保数据存储空间。该方法包括：在SOI衬底的上硅膜上形成绝缘图案和第一硅膜; 以及在所述第一硅膜中形成翅片结构。

8. 发明申请

US20120061760A1 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20120061760A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：US13296919
申请日：2011-11-15
申请人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
发明人： Joong Sik Kim , Sung Woong Chung
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device comprises including a insulating pattern and a silicon film over a SOI substrate, thereby increasing a reduced volume of a floating body after forming a floating body fin transistor so as to secure a data storage space. The method comprises: forming a insulating pattern and a first silicon film over an upper silicon film of a SOI substrate; and forming a fin structure in the first silicon film.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括在SOI衬底上包括绝缘图案和硅膜，从而在形成浮体鳍式晶体管之后增加浮体的体积减小以确保数据存储空间。该方法包括：在SOI衬底的上硅膜上形成绝缘图案和第一硅膜; 以及在所述第一硅膜中形成翅片结构。

9. 发明申请

US20110210394A1 Semiconductor Device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：US20110210394A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：US13091860
申请日：2011-04-21
申请人： Joong Sik Kim
发明人： Joong Sik Kim
IPC分类号： H01L29/788
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/66636
摘要： A method for fabricating a semiconductor device comprises: performing a thermal process to expanding a local doped region formed between gate patterns on a semiconductor substrate; and etching a central region of an expanded local doped region so that the expanded local doped region remains at the total area of sidewalls of floating bodies isolated from each other.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：执行热处理以扩展形成在半导体衬底上的栅极图案之间的局部掺杂区域; 并且蚀刻扩展的局部掺杂区域的中心区域，使得扩展的局部掺杂区域保持在彼此隔离的浮体的侧壁的总面积上。

10. 发明授权

US07951655B2 Method for fabricating a semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US07951655B2
公开(公告)日：2011-05-31
申请号：US12326285
申请日：2008-12-02
申请人： Joong Sik Kim
发明人： Joong Sik Kim
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/84
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/66636
摘要： A method for fabricating a semiconductor device comprises: performing a thermal process to expanding a local doped region formed between gate patterns on a semiconductor substrate; and etching a central region of an expanded local doped region so that the expanded local doped region remains at the total area of sidewalls of floating bodies isolated from each other.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：执行热处理以扩展形成在半导体衬底上的栅极图案之间的局部掺杂区域; 并且蚀刻扩展的局部掺杂区域的中心区域，使得扩展的局部掺杂区域保持在彼此隔离的浮体的侧壁的总面积上。

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