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    • 9. 发明授权
    • Error correction for memory systems
    • 内存系统错误更正
    • US09037948B2
    • 2015-05-19
    • US13799986
    • 2013-03-13
    • International Business Machines Corporation
    • Edgar R. CorderoMarc A. GollubGirisankar PaulrajDiyanesh B. Vidyapoornachary
    • G11C29/00G06F11/14
    • G06F11/1469G06F11/073G06F11/0793G06F11/1048
    • According to one embodiment, a method for error correction in a memory module having ranks is provided where each rank has memory devices. The method includes determining a first mark condition for a first rank of the memory module, the first mark condition based on one or more uncorrectable error occurring in a first memory device in the first rank, placing a first mark in the first memory device, determining a second mark condition for the first rank, the second mark condition based on one or more uncorrectable error occurring in a second memory device in the first rank, placing a second mark in a third memory device in a second rank of the memory module and configuring the first memory device to respond to commands directed to the second rank, wherein configuring the first memory device is based on placing of the first mark and the second mark.
    • 根据一个实施例,提供了一种具有等级的存储器模块中的纠错方法,其中每个等级具有存储器件。 该方法包括基于在第一等级的第一存储器件中发生的一个或多个不可校正错误来确定存储器模块的第一等级的第一标记条件,第一标记条件,将第一标记放置在第一存储器件中,确定 第一等级的第二标记条件,基于在第一等级中的第二存储器件中发生的一个或多个不可校正错误的第二标记条件,将第二标记放置在存储器模块的第二等级中的第三存储器件中,并且配置 用于响应指向第二等级的命令的第一存储器设备,其中配置第一存储器设备基于放置第一标记和第二标记。