专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

US20150186575A1 MODELING RANDOM DOPANT FLUCTUATIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
标题翻译：建立半导体器件中的随机多普勒波动
公开(公告)号：US20150186575A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：US14146114
申请日：2014-01-02
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Samarth Agarwal , Abhisek Dixit , Jeffrey B. Johnson
IPC分类号： G06F17/50 , G06F17/18
CPC分类号： G06F17/5018
摘要： In one embodiment, the invention comprises: defining a first volume in a layer of a semiconductor device; calculating a probability of finding at least one dopant atom in the first volume, based on a dopant distribution of the layer; in the case that the calculated probability is equal to or greater than a pre-determined threshold, defining at least one additional volume in the layer substantially equal to the first volume; and in the case that the calculated probability is less than the pre-determined threshold: aggregating the first volume with a second volume adjacent the first volume, the second volume being substantially equal to the first volume; and recalculating a probability of finding at least one dopant atom in the aggregated first and second volumes, based on the dopant distribution of the layer.
摘要翻译：在一个实施例中，本发明包括：在半导体器件的层中限定第一体积; 基于所述层的掺杂剂分布计算在所述第一体积中发现至少一种掺杂剂原子的概率; 在所计算的概率等于或大于预定阈值的情况下，在所述层中限定基本上等于所述第一体积的至少一个附加体积; 并且在所计算的概率小于所述预定阈值的情况下：将所述第一体积与邻近所述第一体积的第二体积聚集，所述第二体积基本上等于所述第一体积; 以及基于所述层的掺杂剂分布重新计算在聚集的第一和第二体积中发现至少一个掺杂剂原子的概率。

2. 发明授权

US09064976B1 Modeling charge distribution on FinFET sidewalls 有权
标题翻译：在FinFET侧壁上建模电荷分布
公开(公告)号：US09064976B1
公开(公告)日：2015-06-23
申请号：US14557578
申请日：2014-12-02
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Samarth Agarwal , Mohit Bajaj , Terence B. Hook
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/845 , H01L27/1203 , H01L29/7853
摘要： A method is provided for modeling charge distribution on FinFET sidewalls for estimating variability in device performance. The method includes: inputting structure parameters and simulation parameters for a FinFET structure; identifying a semiconductor-oxide interface in the structure, the interface including a plurality of atomic steps and a plurality of trapped charges; distributing charges at the interface; and performing device simulations and current-voltage analysis upon generating all samples of given number of devices.
摘要翻译：提供了一种用于建模FinFET侧壁上的电荷分布的方法，用于估计器件性能的变异性。该方法包括：输入FinFET结构的结构参数和仿真参数; 识别所述结构中的半导体 - 氧化物界面，所述界面包括多个原子台阶和多个被俘获的电荷; 在界面分配费用; 并且在产生给定数量的设备的所有样本时执行设备模拟和电流 - 电压分析。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式