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1. 发明授权

US08407449B1 Non-volatile semiconductor memory storing an inverse map for rebuilding a translation table 有权
标题翻译：存储用于重建翻译表的反向映射的非易失性半导体存储器
公开(公告)号：US08407449B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：US12714350
申请日：2010-02-26
申请人： Kevin M. Colon , Charles P. Rainey, III
发明人： Kevin M. Colon , Charles P. Rainey, III
IPC分类号： G06F12/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要： A non-volatile semiconductor memory is disclosed comprising a non-volatile memory array including a plurality of blocks, each block comprising a plurality of memory segments each assigned a physical address. A logical address is read from a first block, wherein the logical address corresponds to a physical address of one of the memory segments. When the memory segment corresponding to the logical address is valid, a translation table is updated using the logical address, wherein the translation table for mapping logical addresses to physical addresses. When the memory segment corresponding to the logical address is invalid, a dirty table is updated using the logical address. The dirty table is used to perform a garbage collection operation, wherein invalid memory segments are erased without being relocated.
摘要翻译：公开了一种非易失性半导体存储器，其包括包括多个块的非易失性存储器阵列，每个块包括多个存储器段，每个存储器段分配了物理地址。从第一块读取逻辑地址，其中逻辑地址对应于存储器段之一的物理地址。当对应于逻辑地址的存储段有效时，使用逻辑地址更新转换表，其中用于将逻辑地址映射到物理地址的转换表。当与逻辑地址相对应的存储段无效时，使用逻辑地址更新脏表。脏表用于执行垃圾收集操作，其中无效的内存段被擦除而不被重新定位。

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