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    • 1. 发明授权
    • Integrated circuits with metal-insulator-metal (MIM) capacitors and methods for fabricating same
    • 具有金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路及其制造方法
    • US09450042B2
    • 2016-09-20
    • US13567853
    • 2012-08-06
    • Matthias Lehr
    • Matthias Lehr
    • H01L21/02H01L21/8242H01L49/02H01L23/522
    • H01L28/75H01L23/5223H01L2924/0002H01L2924/00
    • Integrated circuits with metal-insulator-metal (MIM) capacitors and methods for fabricating such integrated circuits are provided. In an embodiment, an integrated circuit includes a dielectric material layer overlying a semiconductor substrate. A surface conditioning layer overlies the dielectric material layer. Further, a metal layer is formed directly on the surface conditioning layer. A MIM capacitor is positioned on the metal layer. The MIM capacitor includes a first conductive layer formed directly on the metal layer with a smooth upper surface, an insulator layer formed directly on the smooth upper surface of the first conductive layer, and a second conductive layer formed directly on the insulator layer with a smooth lower surface.
    • 提供了具有金属 - 绝缘体 - 金属(MIM)电容器的集成电路和用于制造这种集成电路的方法。 在一个实施例中,集成电路包括覆盖半导体衬底的电介质材料层。 表面调理层覆盖在介电材料层上。 此外,在表面调理层上直接形成金属层。 MIM电容器位于金属层上。 MIM电容器包括直接在金属层上形成的具有平滑上表面的第一导电层,直接形成在第一导电层的平滑上表面上的绝缘体层,以及直接形成在绝缘体层上的平滑的第二导电层, 下表面。