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    • 5. 发明申请
    • 電子源の製造方法
    • 制造电子源的方法
    • WO2014041714A1
    • 2014-03-20
    • PCT/JP2013/001506
    • 2013-03-08
    • パナソニック株式会社
    • 村井 章彦福島 博司櫟原 勉椿 健治
    • H01J9/02
    • H01J9/025B82Y10/00H01J1/312
    •  本発明に係る電子源の製造方法は、準備工程と、添加工程と、陽極酸化処理工程と、絶縁膜形成工程と、第2電極形成工程と、を含む。前記準備工程では、第1電極と前記第1電極を覆うp形多結晶半導体層とを用意する。前記添加工程では、前記p形多結晶半導体層の所定領域に前記p形多結晶半導体層の構成元素よりも価電子数が1つ少ない不純物原子を添加する。前記陽極酸化処理工程では、前記所定領域を陽極酸化処理することにより、前記所定領域において隣り合うグレイン間に前記p形多結晶半導体層の厚さ方向に並ぶ半導体微結晶を形成する。前記絶縁膜形成工程では、前記半導体微結晶の表面に絶縁膜を形成する。前記第2電極形成工程では、前記所定領域上に第2電極を形成する。
    • 该制造电子源的方法包括制备步骤,添加步骤,阳极氧化步骤,绝缘膜形成步骤和第二电极形成步骤。 在制备步骤中,制备覆盖第一电极的第一电极和p型多晶半导体层。 在添加步骤中,将具有比p型多晶半导体层的构成元素小的电子数的杂质原子添加到p型多晶半导体层的规定区域。 在阳极氧化步骤中,通过对规定区域进行阳极氧化,在规定区域的相邻晶粒之间形成在p型多晶半导体层的厚度方向排列的半导体微晶。 在绝缘膜形成步骤中,在半导体微晶的表面上形成绝缘膜。 在第二电极形成步骤中,在规定区域上形成第二电极。
    • 9. 发明申请
    • カーボンナノチューブの加工方法及び加工装置
    • 用于处理碳纳米管的方法和装置
    • WO2013024644A1
    • 2013-02-21
    • PCT/JP2012/067431
    • 2012-07-09
    • 東京エレクトロン株式会社松本 貴士秋山 長之
    • 松本 貴士秋山 長之
    • C01B31/02B82Y40/00H01J9/02
    • C01B32/168B82Y30/00B82Y40/00C01B32/16C01B32/176H01J9/025
    •  カーボンナノチューブが形成されたウエハWをエッチング装置100の処理容器1内のステージ3上に載置する。シャワーリング57から処理容器1内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、平面アンテナ33に導き、透過板39を介して処理容器1内に導入する。このマイクロ波により、プラズマ生成ガスをプラズマ化し、プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス(例えばO 2 ガス)又は還元性ガス(例えばH 2 ガスやNH 3 ガス)を処理容器1内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハW上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。
    • 将其上形成有碳纳米管的晶片(W)放置在阶段(3)的顶部位于蚀刻装置(100)的处理容器(1)内。 将等离子体产生气体从淋浴环(57)引入处理容器(1),由微波产生单元(35)产生的微波被引导到平面天线(33)并导入处理容器(1) 通过传输板(39)。 微波将等离子体产生气体转化为等离子体,并将氧化气体(例如,O 2气体)或还原气体(例如,H 2气体或NH 3气体)引入处理容器(1),并在此时转化为等离子体 当等离子体点燃时。 通过作用于晶片(W)上的碳纳米管,由此形成的低电子温度等离子体使得从长度方向的远端侧向基端侧进行蚀刻。