专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2019112282A1 지문인식 기능을 구비한 디스플레이 审中-公开
公开(公告)号：WO2019112282A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/KR2018/015225
申请日：2018-12-04
申请人： 주식회사 비욘드아이즈
发明人： 남동욱 , 민병일 , 박광수 , 김봉석
IPC分类号： H01L23/04 , H01L23/12 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/04 , H01L23/12 , H01L25/07
摘要： 반도체 패키지는, 반도체 칩이 실장되는 공간을 둘러싸는 벽부를 포함하는 케이스 및 프리즘 산 및 골을 포함하는 프리즘 면 및 상기 프리즘 면에 대향하는 평면을 가지고, 상기 프리즘 면은 상기 반도체 칩을 향하고 상기 평면은 커버에 부착되며, 상기 프리즘 면에는 상기 프리즘 산의 연장 방향과 상이한 연장 방향으로 댐이 형성될 수 있다.

2. 发明申请

WO2019097685A1 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2019097685A1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：PCT/JP2017/041524
申请日：2017-11-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松本　貴之 , 林田　幸昌
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/13 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/28
CPC分类号： H01L23/12 , H01L23/13 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/28
摘要：絶縁基板（１）の上に金属パターン（２）が設けられている。金属パターン（２）の上にソルダーレジスト（４）が設けられている。ソルダーレジスト（４）の開口部において金属パターン（２）の上に半導体チップ（５）が実装されている。金属パターン（２）、ソルダーレジスト（４）及び半導体チップ（５）は封止材（１０）により封止される。ソルダーレジスト（４）の一部に溝（８）で囲まれた吸着領域（９）が設けられている。

3. 发明申请

WO2019092938A1 半導体基板、半導体基板積層体および内視鏡审中-公开
公开(公告)号：WO2019092938A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：PCT/JP2018/028695
申请日：2018-07-31
申请人：オリンパス株式会社
发明人：足立　理
IPC分类号： H01L27/146 , A61B1/04 , G02B23/24 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： A61B1/04 , G02B23/24 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/146
摘要：外部からの影響を防止しつつ、さらなる小型化を図ることができる半導体基板、半導体基板積層体および内視鏡を提供する。半導体基板１００は、機能素子１０１が形成されてなるシリコンウエハ層１０２と、層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に積層されてなり、機能素子１０１と電気的に接続された第１のメタル配線層１０４と、第１の表面保護膜１０６と、第１のメタル配線層１０４と接続し、第１のメタル配線層１０４の裏面から層間絶縁膜１０４およびシリコンウエハ層１０２の裏面まで貫通して形成され、機能素子１０１の周囲を囲むように壁状に設けられてなるＴＳＶ１０７と、ＴＳＶ１０７と接続し、シリコンウエハ層１０２の裏面に積層された第２のメタル配線層１０８と、第２の表面保護層１１０と、を備える。

4. 发明申请

WO2019085442A1 高强度整流桥器件审中-公开
公开(公告)号：WO2019085442A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/CN2018/087757
申请日：2018-05-22
申请人：苏州固锝电子股份有限公司
发明人：何洪运 , 程琳 , 刘玉龙
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：本实用新型公开一种高强度整流桥器件，其第一、第二二极管芯片各自的正极与L形正极输入引脚上表面电连接，第三、第四二极管芯片各自的负极与L形负极输出引脚上表面电连接，第一二极管芯片的负极、第四二极管芯片的正极均通过第一连接片与第一Z形输入引脚电连接，第二二极管芯片的负极、第三二极管芯片的正极均通过第二连接片与第二Z形输入引脚电连接；所述第一连接片、第二连接片各自的中心处两侧均开有一第一半圆孔，所述L形正极输入引脚和L形负极输出引脚各自的芯片支撑区外侧均开有一第一缺口部，所述L形正极输入引脚和L形负极输出引脚各自的芯片支撑区中间处两侧均开有一第二缺口部。本实用新型增加外部引脚面积和增加本体边缘环氧强度的作用，增加了边缘环氧的强度和减小结构应力和减小环氧注胶过程中对内部结构冲击力的作用。

5. 发明申请

WO2019053942A1 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2019053942A1
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：PCT/JP2018/018378
申请日：2018-05-11
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：大森　弘貴
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/48 , H01L25/18 , H02M7/48
CPC分类号： H01L23/04 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H02M7/48 , H01L2924/00014
摘要：半導体モジュールは、基板と、補助端子部品と、主端子部品と、を備える。第１部品は、基板側に位置する第１端部と、基板から離れた側に位置する第２端部と、を含む。第２部品は、基板側に位置する第３端部と、基板から離れた側に位置する第４端部と、を含む。主面に垂直な方向において、第１端部と第３端部との高さが異なる状態、および平面視において、基板の外縁のうち第１端部および第３端部に対向する領域での外縁の延在方向における第１端部と第３端部との間の距離が、第２端部と第４端部との間の距離よりも大きい状態のうち少なくともいずれか一方が実現されている。

6. 发明申请

WO2018229816A1 パワーモジュールの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018229816A1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：PCT/JP2017/021606
申请日：2017-06-12
申请人：新電元工業株式会社
发明人：及川　貴大
IPC分类号： H01C13/00 , G01R15/00 , H01L25/00 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： G01R15/00 , H01C13/00 , H01L25/00 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：パワーモジュールの製造方法は、複数のリードを有するリードフレームに電子部品を実装して構成され、電力制御を行うパワーモジュールの製造方法であって、板厚方向に直交する方向に互いに間隔をあけて配された二つのリードに、抵抗部品を接合することで、前記抵抗部品により二つの前記リードを電気接続する接合工程と、接合された前記抵抗部品の抵抗値を調整する抵抗値調整工程とを備える。

7. 发明申请

WO2018159152A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2018159152A1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：PCT/JP2018/001799
申请日：2018-01-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人： ▲高▼畠　麻緒 , 釣本　崇夫 , 林田　幸昌 , 塩田　裕基 , 田尻　邦彦
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：高電圧電極の周辺の部材に一部剥離が生じても部分放電の発生を抑制することができる半導体装置を提供する。半導体装置（１）は、絶縁性を有する絶縁基板（４）と、絶縁基板（４）の一方の表面に設けられた第１部材（３）と、第１部材（３）の絶縁基板（４）と対向する表面とは反対側の表面に配置された半導体チップ（２）と、絶縁基板（４）の他方の表面に設けられた第２部材（５）と、第１部材（３）の外周端部を覆う第１コーティング層（１１）と、第１部材（３）の反対側の表面から第１コーティング層（１１）の表面および絶縁基板（４）の一方の表面まで覆う第２コーティング層（１２）と、絶縁基板（４）、第１部材（３）、半導体チップ（２）、第２部材（５）、第１コーティング層（１１）および第２コーティング層（１２）を封止する封止材（７）とを備える。第１コーティング層（１１）の誘電率は、第２コーティング層（１２）の誘電率よりも高い。第１コーティング層（１１）と第２コーティング層（１２）との間の接着力が、第１コーティング層（１１）と第１部材（３）との間の接着力よりも高い。

8. 发明申请

WO2018131301A1 パワー半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2018131301A1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：PCT/JP2017/042515
申请日：2017-11-28
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：島津　ひろみ , 松下　晃
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
CPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
摘要：本発明の課題は、金属製ケースの変形工程における絶縁性樹脂のはく離を防止し、放熱性能の劣化を防止し、信頼性の高いパワー半導体装置を提供することにある。　本発明に係るパワー半導体装置は、パワー半導体素子を有する回路体と、前記回路体を収納するケースと、を備え、前記ケースは、前記回路体を挟む第１ベース部及び第２ベース部と、当該ケースの収納空間に繋がる開口部を形成する枠部と、当該枠部と当該第１ベース又は当該第２ベースを接続するとともに、当該第１ベース及び当該第２ベースよりも薄く形成される接続部と、を有し、前記接続部は、前記枠部の前記開口部の近い側の第１接続部と、前記枠部の前記開口部の遠い側の第２接続部と、を有し、前記第１接続部は、前記第２接続部よりも剛性を小さくするように形成された。

9. 发明申请

WO2018088292A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2018088292A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：PCT/JP2017/039495
申请日：2017-11-01
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：保田　雄亮
IPC分类号： H01L25/07 , B22F1/00 , B22F7/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L25/18
CPC分类号： B22F1/00 , B22F7/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014
摘要：複数の半導体素子が焼結金属により基板上に接合される半導体装置において、焼結金属による接合部の接合信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。複数の半導体素子が焼結金属によりベース基板上に接合される半導体装置であって、前記ベース基板は、第１のベース基板と、前記第１のベース基板に隣接する第２のベース基板からなり、前記第１のベース基板上に第１の焼結金属層を介して接合された第１の半導体素子と、前記第２のベース基板上に第２の焼結金属層を介して接合された第２の半導体素子と、を備え、前記第１のベース基板と前記第２のベース基板は、各々の側面同士を接合することで一体化されていることを特徴とする。
摘要翻译：
多个在半导体器件中的半导体元件的键合通过烧结金属在基底上，提供了一个接合可靠性高的半导体装置中由烧结金属接头的制造方法，其。一种半导体器件，其中多个半导体元件利用烧结金属接合到基础衬底，其中所述基础衬底包括第一基础衬底和与所述第一基础衬底相邻的第二基础衬底第一半导体元件，其经由第一烧结金属层接合到第一基础基板，并且第二半导体元件经由第二烧结金属层接合到第二基础基板以及第二半导体元件，其中，第一基底基板和第二基底基板通过将它们各自的侧表面彼此接合而一体化。

10. 发明申请

WO2018061982A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2018061982A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/JP2017/034112
申请日：2017-09-21
申请人：デクセリアルズ株式会社
发明人：森　大地
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：積層配置された半導体チップ群を熱圧着ツールにて押圧した際の硬化遅延を抑制し、良好な接合性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。最上層の第１半導体チップ下に配置された第１熱硬化性接着剤から最下層の第ｍ（ｍは３以上の整数）半導体チップ下に配置された第ｍ熱硬化性接着剤までの半導体チップ群をインターポーザ上に配置する。第１熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度が、第２～第ｍ熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度以上であり、第２～第ｍ熱硬化性接着剤のうち少なくとも１つの熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度が、第１熱硬化性接着剤の最低溶融粘度到達温度よりも低い。
摘要翻译：提供了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件能够在用热压接合工具按压堆叠的半导体芯片组时获得抑制固化延迟并且获得良好的接合性能。从位于最上层的第一半导体芯片下方的第一热固性粘合剂到位于第m（m为3或更大的整数）半导体芯片下方的第m热固性粘合剂的半导体在中介片上放置芯片。第一热固性粘合剂的最低熔融粘度达到的温度等于或高于第二至第m热固性粘合剂和第二至第m热固性粘合剂中的至少一种的最低熔融粘度达到的温度所述热固性粘合剂的最低熔融粘度达到的温度低于所述第一热固性粘合剂的最低熔融粘度达到的温度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式