专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2019132318A1 광흡수층용 전구체, 이를 이용한 유-무기 복합 태양전지 제조방법 및 유-무기 복합 태양전지 审中-公开
公开(公告)号：WO2019132318A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/KR2018/015607
申请日：2018-12-10
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김용남 , 함윤혜 , 김종석 , 박상준 , 김세용
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/42 , H01L31/0256
CPC分类号： H01L31/0256 , H01L51/00 , H01L51/42
摘要： 본 명세서는 페로브스카이트 전구체; 및 상기 페로브스카이트 전구체 대비 0.005wt% 내지 0.5wt%의 불소계 유기화합물을 포함하는 것인 광흡수층용 전구체 및 이를 이용한 유-무기 복합 태양전지 제조방법에 관한 것이다.

2. 发明申请

WO2019127765A1 稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液和改性太阳能电池的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019127765A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/CN2018/073548
申请日：2018-01-20
申请人：青岛大学
发明人：王薇 , 李磊 , 唐建国 , 王瑶 , 黄林军 , 沈文飞 , 刘继宪 , 焦吉庆 , 王彦欣 , 王久兴 , 杜中林 , 王世超 , 李国鹏 , 李付霞
IPC分类号： H01L51/48 , H01L51/42
CPC分类号： H01L51/0003 , H01L51/0034 , H01L51/42 , Y02E10/549
摘要：本发明公开了一种稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液和改性太阳能电池的制备方法，稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液的制备方法包括以下步骤：（1）将两种有机共轭小分子分别作为第一配体和第二配体，第一配体和第二配体与稀土氯化物溶液混合反应，得到稀土络合物溶液；（2）在稀土络合物溶液中滴加硅酸酯进行反应，得到稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液。改性太阳能电池的制备方法包括将稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液旋涂在太阳能电池的PET基底上，制备成具有稀土络合物掺杂二氧化硅微球的改性太阳能电池。利用稀土络合物的荧光特性以及二氧化硅增加散射的特点增大太阳能电池的光吸收强度，提高太阳能电池的光电转化效率。

3. 发明申请

WO2019098315A1 光電変換素子および固体撮像装置审中-公开
公开(公告)号：WO2019098315A1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：PCT/JP2018/042417
申请日：2018-11-16
申请人：ソニー株式会社 , ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：内野　直喜 , 村上　洋介 , 君島　美樹 , 西　寿朗
IPC分类号： H01L51/42 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10 , H01L51/42
摘要：【解決手段】本開示の一実施形態の光電変換素子は、第１電極と、第１電極に対向配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられると共に、層内に一の有機半導体材料のドメインを有する有機光電変換層とを備え、一の有機半導体材料のドメインは、有機光電変換層を膜厚方向に縦断するパーコレーション構造を有すると共に、有機光電変換層の平面方向のドメイン長が有機光電変換層の膜厚方向のドメイン長よりも小さい。

4. 发明申请

WO2019045269A1 신규 캐소드 버퍼층 소재 및 이를 포함하는 유기광전소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2019045269A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/KR2018/008084
申请日：2018-07-17
申请人： 한국화학연구원
发明人： 윤성철 , 이창진 , 이재민 , 엄승훈
IPC分类号： C07D471/06 , H01L51/00 , H01L51/42 , H01L31/0256
CPC分类号： C07D471/06 , H01L31/0256 , H01L51/00 , H01L51/42
摘要： 본 발명은 신규 캐소드 버퍼층 소재 및 이를 포함하는 유기광전소자에 관한 것으로, 본 발명의 신규 화합물을 유기광전소자, 예를 들어 유기태양전지 또는 유기포토다이오드의 캐소드 버퍼층에 적용할 경우, 상기 신규 화합물의 높은 쌍극자모멘트를 통해 전자 수송층의 표면 특성을 개선하여, 광활성층으로부터 캐소드 전극으로의 전자 추출이 용이하게 되고, 직렬 저항(series resistance) 및 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 효과를 나타내어, 제작되는 유기광전소자(유기태양전지, 유기포토다이오드 등)의 성능을 현저히 향상시킬 수 있는 바, 산업적으로 유용한 효과가 있다.

5. 发明申请

WO2018219153A1 一种钙钛矿薄膜后处理设备及使用方法和应用审中-公开
公开(公告)号：WO2018219153A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：PCT/CN2018/087354
申请日：2018-05-17
申请人：杭州纤纳光电科技有限公司
发明人：姚冀众 , 颜步一
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： H01L51/05 , H01L51/42
摘要：本发明涉及一种钙钛矿薄膜后处理设备，包括溶液喷涂清洗部分和/或溶剂沉积部分，溶液喷涂清洗部分包括第一传送装置、第一密闭腔室以及溶液喷涂装置、高压气体喷嘴装置和高温干燥装置，高压气体喷嘴装置设置在溶液喷涂装置和高温干燥装置之间，第一传送装置横跨第一密闭腔室。溶剂沉积部分包括传动轴装置、第二密闭腔室以及加热装置和溶剂蒸发装置，溶剂蒸发装置靠近溶液喷涂清洗部分，传动轴装置的转动轴从上下设置的加热装置和溶剂蒸发装置之间通过。本发明还涉及一种钙钛矿薄膜后处理设备的使用方法和应用。本发明对已制备了钙钛矿薄膜基片进行后续清洗和退火处理，对钙钛矿薄膜的缺陷进行修补处理，进一步提高钙钛矿薄膜的质量。

6. 发明申请

WO2018124044A1 撮像素子、撮像装置、カメラ、及び撮像方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018124044A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/JP2017/046588
申请日：2017-12-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉田　典巧
IPC分类号： H04N5/353 , H01L27/146 , H01L51/42 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC分类号： H01L27/146 , H01L51/42 , H04N5/353 , H04N5/374 , H04N5/378 , Y02E10/549
摘要：撮像素子（１０）は、第１周期で繰り返される露光期間毎に、露光期間中に受光することで電荷を生成する光電変換部材（１１１）と、光電変換部材（１１１）によって生成された電荷を画素単位で集電する複数の画素回路（２１）と、複数の画素回路（２１）のそれぞれに蓄積されている電荷量を読み出す読み出し回路（１３０）と、読み出し回路（１３０）によって読み出された電荷量に基づく画像を出力する出力回路（１４０）とを備え、読み出し回路（１３０）は、第１周期と異なる第２周期で上記読み出しを繰り返し行う。

7. 发明申请

WO2018020977A1 有機光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置审中-公开
标题翻译：有机光电转换装置，固态成像装置和电子装置
公开(公告)号：WO2018020977A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/JP2017/024826
申请日：2017-07-06
申请人：ソニー株式会社
发明人：篠原　和行
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： H01L51/42 , Y02E10/549
摘要：画質や信頼性を更に向上させることを実現できる有機光電変換素子を提供すること。　第１電極と、第１バッファ層と、光電変換層と、第２バッファ層と、第２電極とが、この順で積層され、第１バッファ層が第１有機半導体材料を含み、光電変換層が第２有機半導体材料を含み、第１有機半導体材料が第１有機結晶を有し、第２有機半導体材料が第２有機結晶を有し、第１有機結晶の面間隔と第２有機結晶の面間隔との比が、０．５５：１～１：０．５５であり、第１有機結晶の方位と第２有機結晶の方位とが略一致している、有機光電変換素子。
摘要翻译：提供了能够进一步提高图像质量和可靠性的有机光电转换元件。依次堆叠第一电极，第一缓冲层，光电转换层，第二缓冲层和第二电极，第一缓冲层包含第一有机半导体材料，光电转换层包括第二有机半导体材料，第一有机半导体材料具有第一有机晶体，第二有机半导体材料具有第二有机晶体，其中第一有机晶体和第二有机晶体的晶面间距晶格常数与晶格间距的比率为0.55:1至1:0.55，并且第一有机晶体的取向基本上与第二有机晶体的取向一致。

8. 发明申请

WO2017208965A1 光電変換素子、二次元センサ、画像センサおよび撮像装置审中-公开
标题翻译：光电转换元件，二维传感器，图像传感器和成像装置
公开(公告)号：WO2017208965A1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：PCT/JP2017/019547
申请日：2017-05-25
申请人：キヤノン株式会社
发明人：西出　洋祐 , 山田　直樹 , 大類　博揮 , 岩脇　洋伸 , 塩原　悟 , 山口　智奈 , 高橋　哲生 , 板橋　真澄 , 宮下　広和 , 鎌谷　淳
IPC分类号： C07D307/93 , C07D333/78 , C07D409/06 , C07D409/12 , C07D491/048 , C07D495/04 , H01L27/146 , H01L51/42
CPC分类号： C07D307/93 , C07D333/78 , C07D409/06 , C07D409/12 , C07D491/048 , C07D495/04 , H01L27/146 , H01L51/42 , Y02E10/549
摘要：本発明は、請求項に記載の一般式［１］で表されることを特徴とする有機化合物を提供する。一般式［１］において、Ａｒ１およびＡｒ２は、炭素原子数６以上１８以下のアリール基、炭素原子数３以上１５以下のヘテロアリール基からそれぞれ独立に選ばれる。一般式［１］において、Ｒ１乃至Ｒ３は、水素原子または置換基であり、Ｒ４は電子吸引性の置換基である。Ｘ１は、酸素または硫黄である。Ｙ１乃至Ｙ３は、炭素原子及び窒素原子からそれぞれ独立に選ばれる。
摘要翻译：本发明提供了一种有机化合物，其特征在于由权利要求中描述的通式[1]表示。在通式[1]中，Ar <子> 1 和Ar <子> 2 是更少碳原子数为6〜18的芳基，具有3至15个碳原子的杂芳基每个独立地选自。在通式[1]中，R <子> 1 至R <子> 3 是一个氢原子或取代基，R <子> 4 是吸电子是一个取代基。 X 1是氧或硫。 Y 1至Y 3独立地选自碳原子和氮原子。

9. 发明申请

WO2017193412A1 一种消反射异质结复合涂层及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017193412A1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：PCT/CN2016/082290
申请日：2016-05-17
申请人：江南大学
发明人：石刚 , 李赢 , 倪才华 , 东为富 , 张胜文 , 白绘宇
IPC分类号： B01J21/06 , B01J35/02 , H01L51/42 , H01L51/44
CPC分类号： B01J21/06 , B01J35/02 , H01L51/42 , H01L51/44 , Y02E10/549
摘要：一种消反射异质结复合涂层及其制备方法，首先以碱液各向异性刻蚀单晶硅，得到微米尺寸的锥形结构；然后，通过软模板印刷技术，将硅锥结构转移到表面附有过渡金属氧化物的刚性基底表面，得到锥形过渡金属氧化物；最后，通过原位氧化物法，在锥形过渡金属氧化物表面生长导电高分子纳米粒子，形成刚性基底为载体的过渡金属氧化物、导电高分子复合涂层。由于该复合涂层具有微纳多级结构，因而具有优异消反射性能，同时过渡金属氧化物和导电高分子组装的界面处形成p-n异质结，赋予复合涂层高效分离光生电荷的能力，提高光电转化效率。该复合涂层高效利用入射光，作为光电材料具有较高的应用前景。

10. 发明申请

WO2017163923A1 光電変換素子およびその測定方法、固体撮像素子、電子機器、並びに太陽電池审中-公开
标题翻译：光电转换元件及其测量方法
公开(公告)号：WO2017163923A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/JP2017/009666
申请日：2017-03-10
申请人：ソニー株式会社
发明人：兼田　有希央 , 新井　龍志 , 森脇　俊貴
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/146 , H01L51/42 , Y02E10/549
摘要：本技術は、有機半導体材料の光電変換層を用いた光電変換素子において、量子効率をさらに向上させることができるようにする光電変換素子およびその測定方法、固体撮像素子、電子機器、並びに太陽電池に関する。光電変換素子は、陽極（１１）と陰極（１４）を構成する２つの電極と、２つの電極の間に配置された、少なくとも一層の電荷ブロッキング層（１３、１５）と、２つの電極の間に配置された光電変換層（１２）とを有する。少なくとも一層の電荷ブロッキング層は、電子ブロッキング層（１３）または正孔ブロッキング層（１５）であり、電荷ブロッキング層の作るポテンシャルが曲がっている。本技術は、例えば、光電変換素子を有する固体撮像素子、太陽電池等に適用できる。
摘要翻译：技术领域本发明涉及一种光电转换元件，其能够进一步提高使用有机半导体材料的光电转换层的光电转换元件中的量子效率，其测量方法，固态成像装置，电子设备和太阳能电池。光电转换元件具有构成阳极（11）和阴极（14）的两个电极，设置在两个电极之间的至少一个电荷阻挡层（13,15），并且两个电极和设置在基板上的光电转换层（12）。至少一个电荷阻挡层是电子阻挡层（13）或空穴阻挡层（15），并且电荷阻挡层的电势被弯曲。本技术可以应用于例如具有光电转换元件，太阳能电池等的固态成像装置。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式