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1. 发明申请

WO2023091629A2 IMPROVEMENTS IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS 审中-公开
公开(公告)号：WO2023091629A2
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/US2022/050351
申请日：2022-11-18
申请人： CVD EQUIPMENT CORPORATION
发明人： LINSS, William S. , FERACA, John B.
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/687 , H01J37/32 , C23C16/509 , C23C16/44
摘要： Chemical Vapor Deposition (CVD) systems with DC, RF, IF (intermediate frequency) and/or microwave plasma have processing chambers incorporate structure to provide improved temperature control, uniform distribution of the process gas, and plasma distribution between the positive electrode and grounded wafer. The temperature of a rotating wafer chuck during a chemical vapor deposition process may be controlled by a programmable logic controller that includes algorithms for controlling a temperature of the rotating wafer chuck.

2. 发明申请

WO2023082855A1 一种往复旋转升降的气相沉积设备审中-公开
公开(公告)号：WO2023082855A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/CN2022/120468
申请日：2022-09-22
申请人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
发明人：宋维聪 , 解文骏
IPC分类号： C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/44 , C23C14/56
摘要：一种往复旋转升降的气相沉积设备，包括气相沉积腔体、基座台、基座轴、可伸缩组件、被动升降旋转部件、旋转机构及升降机构，其中，旋转机构与可伸缩组件固定连接以驱动可伸缩组件作往复旋转运动，进而依次带动基座台、基座轴及被动升降旋转部件作往复旋转运动；升降机构与被动升降旋转部件旋转式滑动连接以驱动被动升降旋转部件作升降运动，进而带动基座轴及基座台作升降运动，其中，可伸缩组件随基座台的上升而伸长，随基座台的下降而缩短。该装置同时满足晶圆基座升降与旋转协同工作的同时互不影响，往复式旋转可防止电气线缠绕损毁，设备可达到绝对的物理超高真空状态，并可防止强磁场对腔体内部沉积环境和外界环境的影响。

3. 发明申请

WO2023070111A1 ROTARY REACTOR FOR DEPOSITION OF FILMS ONTO PARTICLES 审中-公开
公开(公告)号：WO2023070111A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/US2022/078554
申请日：2022-10-21
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BURROWS, Brian Hayes , KRISHNASAMY, Sekar , RARAVI, Ayyanagouda , MUDALKAR, Monika , DESAI, Govindraj , RAJU, Hemantha Kumar , PATTANSHETTY, Basavaraj , ISHIKAWA, David Masayuki , SIVARAMAKRISHNAN, Visweswaren , SWAMINATHAN, Shrikant , CAMBRON, Mario , NAVASCA, Robert , WANG, Miaojun , FRANKEL, Jonathan
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , B01J19/00 , B01J3/02 , B01J4/00
摘要： A reactor for coating particles includes a rotatable reactor assembly including a drum configured to hold a plurality of particles to be coated, an inlet tube, and an outlet tube, a stationary gas inlet line coupled to the inlet tube by a rotary inlet seal, a stationary gas outlet line coupled to the outlet tube by a rotary outlet seal, and a motor to rotate the rotatable reactor assembly.

4. 发明申请

WO2023069924A1 VALVE MANIFOLD FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING 审中-公开
公开(公告)号：WO2023069924A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/US2022/078262
申请日：2022-10-18
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： MILLER, Aaron Blake , BHIMARASETTI, Gopinath
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52
摘要： A valve manifold for use in a semiconductor processing tool comprises a manifold body, a purge gas inlet, a process gas inlet, a manifold outlet, a divert outlet, a first valve interface, a second valve interface, and a third valve interface. The first valve interface and the third valve interface each includes a first port, and a second port. The second valve interface includes a first port, a second port, a third port, and a fourth port.

5. 发明申请

WO2023064267A1 DEVICES WITH IMPROVED ANTIBACTERIAL SURFACE 审中-公开
公开(公告)号：WO2023064267A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/US2022/046272
申请日：2022-10-11
申请人： PULSE IP, LLC
发明人： AMINI, Shahram
IPC分类号： A61L31/08 , A61L27/04 , A61L27/06 , C23C16/06 , C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： A medical device includes a substrate structure with a surface. The surface is laser treated to define at least one protrusion and/or at least one void extending relative to the surface. A coating having antibacterial, antimicrobial and/or drug eluding properties is applied to the substrate structure such that the coating engages within or along a surface portion of one or more of the protrusions and/or voids.

6. 发明申请

WO2023041844A1 A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND A METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2023041844A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/FI2022/050612
申请日：2022-09-12
申请人： PICOSUN OY
发明人： KUITUNEN, Antti , BLOMBERG, Tom , KIVIOJA, Jani , POUTIAINEN, Juho , ALAKOSKI, Heikki
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/452 , H01J37/32 , B01J3/00
摘要： A substrate processing apparatus (100), comprising a reaction chamber (20) for processing at least one substrate, and a deformable in-feed assembly (85) comprising an upper (70)and a lower (80) portion movable with respect to each other, the deformable in-feed assembly (85) being configured to deform between a vertically extended state facilitating a reactant flow towards the reaction chamber (20), and a vertically retracted state allowing substrate loading, and a resilient tubular conduit (150) coupled to the upper portion (70) of the deformable in-feed assembly (85).

7. 发明申请

WO2023035784A1 一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备审中-公开
公开(公告)号：WO2023035784A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/CN2022/106854
申请日：2022-07-20
申请人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
发明人：程洋 , 王俊 , 肖啸 , 郭银涛
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备，半导体生长设备包括：反应室；生长主管道，所述生长主管道的一端与所述反应室连接；放空主管道；第一混合主管道至第M混合主管道，M为大于或等于1的整数；第一反应气源组至第N反应气源组，N为大于或等于2的整数；第一切换阀组至第N切换阀组，第k切换阀组适于控制第k反应气源组中的气体向第j混合主管道的传输；k为大于等于1且小于等于N的整数；j为大于等于1且小于等于M的整数；第一生长放空切换阀至第M生长放空切换阀，第j生长放空切换阀适于将第j混合主管道中的气体向生长主管道或放空主管道切换。采用该半导体生长设备有利于提高半导体结构生长过程中界面的陡峭性。

8. 发明申请

WO2023033067A1 耐プラズマ積層体、その製造方法、ならびにプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023033067A1
公开(公告)日：2023-03-09
申请号：PCT/JP2022/032839
申请日：2022-08-31
申请人：京セラ株式会社
发明人：梅原　幹裕 , 藤田　航 , 石川　和洋
IPC分类号： H05H1/00 , H01L21/31 , C23C14/06 , C23C16/44
摘要：本開示の耐プラズマ積層体は、基体と、前記基体上に形成された膜電極と、前記膜電極上に形成された誘電体層とを備え、基体はサファイアを含み、誘電体層は、イットリウムを含む酸化物を含み、膜電極は、活性金属、または基体もしくは前記誘電体層の構成元素、またはそれらの積層からなる。

9. 发明申请

WO2023027262A1 파우더용 원자층 증착 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2023027262A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/KR2021/018982
申请日：2021-12-14
申请人： (주)아이작리서치
发明人： 김재웅 , 송수한 , 박형상
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44
摘要： 본 발명의 파우더용 원자층 증착 장치는, 내부에 분말이 수용될 수 있는 분말 수용 공간이 형성되는 원통형상의 리액터; 상기 리액터의 중심축을 기준으로 회전가능하도록 형성되는 구동축부와 상기 분말을 교반시킬 수 있도록 상기 구동축부에 형성된 교반부를 포함하는 교반 장치; 상기 분말의 외부 누출을 방지하도록 상기 리액터의 하부에 결합되는 하부 메쉬 구조체; 상기 하부 메쉬 구조체와 소정 거리 이격되어 가스 유동 공간이 형성되도록 상기 하부 메쉬 구조체의 상부에 형성되고, 상기 분말의 다져짐 현상을 방지하도록 상기 구동축부의 하부에 결합되어 상기 구동축부의 회전에 따라 회전되는 보조 메쉬 구조체; 및 상기 하부 메쉬 구조체의 하방에 배치되되, 원료가스, 퍼지가스 및 반응가스 중 어느 하나 이상을 하방에서 상방으로 공급하여 상기 가스 유동 공간에 제공하도록 상기 리액터 하부에 겹합되는 샤워헤드;를 포함할 수 있다.

10. 发明申请

WO2023018045A1 박막 두께 실시간 측정 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2023018045A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/KR2022/010522
申请日：2022-07-19
申请人： 정경환
发明人： 정경환 JEONG, Kyung Hwan
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/44 , C23C16/40 , G01B21/08 , G01N15/10
摘要： 본 발명은 박막 두께 측정 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 두께 측정 장치는 박막 증착이 수행되는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내의 기체 상태의 부산물을 측정하는 질량분석기 및 상기 질량분석기에 의해 측정된 데이터에 기초하여 박막 두께를 계산하는 연산부를 포함할 수 있다.

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