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1. 发明申请

WO2023089661A1 電力半導体装置および制御システム审中-公开
公开(公告)号：WO2023089661A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/JP2021/042072
申请日：2021-11-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山本　剛司
IPC分类号： H03K17/00 , H03K17/08
摘要：本開示に係る電力半導体装置は、リードフレームと、前記リードフレーム上に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の温度を検出する第１感温素子と、前記リードフレーム上に設けられた制御回路と、前記制御回路の温度を検出する第２感温素子と、を備え、前記制御回路は、前記第１感温素子で検出される前記スイッチング素子の第１温度と、前記第２感温素子で検出される前記制御回路の第２温度と、の差分が予め定められた差分閾値よりも大きくなると、前記スイッチング素子に流れる電流を低下させる。

2. 发明申请

WO2023067985A1 スイッチの過電流検出装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023067985A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/JP2022/035499
申请日：2022-09-22
申请人：株式会社デンソー
发明人：浅野　敦紀 , 林　慶徳
IPC分类号： H02M1/00 , H02M7/48 , H03K17/08 , H03K17/082
摘要：過電流検出装置は、駆動対象スイッチ（ＳＷＨ，ＳＷＬ）の一対の主端子のうち高電位端子側に第１端が接続された電気経路（Ｌ１，Ｌ２）と、カソードを高電位端子側に向けた状態で電気経路に設けられたダイオード（４２）と、電気経路の第２端に接続された過電流検出部（５４～５６）と、を備える。過電流検出部は、駆動対象スイッチに対する指令がオン指令に切り替えられた後、一対の主端子間の電圧を電気経路を介して検出し、検出した電圧が過電流閾値を超えた場合、一対の主端子間に過電流が流れていると判定する。過電流検出装置は、所定周波数域におけるインピーダンスが、所定周波数域以外の周波数域におけるインピーダンスよりも相対的に高い特性を有するダンピング素子（４３Ａ～４３Ｆ）を備える。所定周波数域は、駆動対象スイッチの駆動状態の切り替えに伴って発生する一対の主端子間の電圧のリンギング周波数域を含む。

3. 发明申请

WO2023281891A1 電流センサ审中-公开
公开(公告)号：WO2023281891A1
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：PCT/JP2022/017357
申请日：2022-04-08
申请人：ローム株式会社
发明人：真砂　健一
IPC分类号： G01R15/00 , H03K17/00 , H03K17/08 , H03K17/0814 , H03K17/693 , H03K19/0175 , G01R19/00
摘要：電流センサは、センス抵抗の両端が接続可能に構成された第１及び第２入力端子と、第１及び第２入力端子に接続され、センス抵抗の両端間電圧に比例する振幅を有する方形波信号を生成可能に構成された方形波生成回路と、方形波信号に基づきセンス抵抗に流れる電流に応じた電流検出信号を出力可能に構成された電流検出信号出力回路と、を備える。

4. 发明申请

WO2022271209A1 PROTECTION DEVICE FOR CONVERTER OUTPUT SWITCH OF IMAGE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022271209A1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：PCT/US2022/016791
申请日：2022-02-17
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人： KIM, Jaewan , JUNG, Hongki
IPC分类号： H02H7/125 , H02H7/20 , B41J25/00 , H03K17/08
摘要： An image forming apparatus including a primary circuit including a first switch to convert an input AC power into a DC power and to switch the converted DC power, and a primary circuit to transfer the converted DC power; a secondary circuit including a second switch to turn on when the first switch is turned off, and a temperature sensor in a region adjacent to the second switch to detect a temperature of the second switch, the secondary circuit to receive the converted DC power from the primary circuit and output the converted DC power transferred from the primary circuit based on switching of the second switch; and a processor to reduce a load current flowing through the second switch based on the temperature of the second switch detected by the temperature sensor exceeding a threshold temperature.

5. 发明申请

WO2022270279A1 給電制御装置、給電制御方法、及びプログラム审中-公开
公开(公告)号：WO2022270279A1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：PCT/JP2022/022707
申请日：2022-06-06
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社
发明人：中口　真之介 , 加藤　雅幸 , 小田　康太
IPC分类号： H02H7/20 , B60R16/02 , H02H7/18 , H02J7/00 , H03K17/08
摘要：給電制御装置（１）は、第１スイッチ（１１）と第２スイッチ（１２）と制御部（３０）とを備える。制御部（３０）は、第１スイッチ（１１）をオン状態する第１制御を行い、異常検出部によって前記異常が検出された場合に、第２スイッチ（１２）をオン状態とオフ状態とに交互に切り替えるオンオフ制御を行う。

6. 发明申请

WO2022270020A1 電子制御装置、電子制御装置の制御方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022270020A1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：PCT/JP2022/009523
申请日：2022-03-04
申请人：日立Ａｓｔｅｍｏ株式会社
发明人：荒川　慶
IPC分类号： B60R16/02 , H03K17/00 , H03K17/08 , H03K17/695
摘要：複数の誘導性負荷が並列接続される電子制御装置において、逆電流検知用の追加回路を必要とせず、ＧＮＤ断線時の逆電流を未然に防止可能な信頼性の高い電子制御装置を提供する。第１の外部負荷に対してバッテリー電源を導通させる第１のハイサイドスイッチ素子と、前記第１の外部負荷に対してグランドと導通させる第１のローサイドスイッチ素子と、第２の外部負荷に対して前記バッテリー電源を導通させる第２のハイサイドスイッチ素子と、前記第１のローサイドスイッチ素子と共通のグランドに接続され、前記第２の外部負荷に対してグランドと導通させる第２のローサイドスイッチ素子と、を備え、前記第１の外部負荷への目標電流が所定の閾値より大きい期間は、前記第１のハイサイドスイッチ素子と前記第１のローサイドスイッチ素子とをＯＮ，ＯＦＦ制御する同期整流制御を実施し、前記第１の外部負荷への目標電流が前記所定の閾値以下の期間は、前記第１のローサイドスイッチ素子をＯＦＦとして、前記第１のハイサイドスイッチ素子をＯＮ,ＯＦＦ制御する還流制御を実施することを特徴とする。

7. 发明申请

WO2022236665A1 半导体器件审中-公开
公开(公告)号：WO2022236665A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/CN2021/093006
申请日：2021-05-11
申请人：罗姆股份有限公司 , 王天宇
发明人：王晛
IPC分类号： H03K17/08 , H01L23/28
摘要：本公开提供一种半导体器件。所述半导体器件包括封固体、第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管包括控制极、第一端子和第二端子；所述第一晶体管用于在其控制极的电位的控制下，使得电流能够从所述第一端子流向所述第二端子；所述第二晶体管的第一电极与所述第一晶体管的控制极电连接，所述第二晶体管的第二电极与所述第一晶体管的第二端子电连接；所述第一晶体管和所述第二晶体管被同一所述封固体封固，所述第一晶体管的控制极与第一控制极引脚电连接，所述第二晶体管的控制极与第二控制极引脚电连接。本公开能够保证较好的钳位效果，并简化布线。

8. 发明申请

WO2022190680A1 インテリジェントパワーモジュールおよびパワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2022190680A1
公开(公告)日：2022-09-15
申请号：PCT/JP2022/002614
申请日：2022-01-25
申请人：富士電機株式会社
发明人：藤井　優孝
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/08 , H03K17/567
摘要：温度ワーニングが過電流によるものではないときは動作周波数の低減をしないようにする。　ＩＧＢＴ（２１）をドライブする制御ＩＣ（３０）は、ＩＧＢＴ（２１）をドライブする入力信号（Ｖｉｎ）を分周して動作周波数を低減する分周回路（３１）と、ＩＧＢＴ（２１）の過電流を検出する過電流検出用比較器（３４）と、ＩＧＢＴ（２１）の過熱を検出する過熱保護ワーニング用比較器（３５）および過熱保護アラーム用比較器（３６）と、分周回路（３１）の分周機能を制御する論理回路（３７）とを備えている。過電流検出用比較器（３４）が過電流を検出していなくて過熱保護ワーニング用比較器（３５）がワーニング信号を出力している条件のときだけ、論理回路（３７）は、分周回路（３１）の分周機能を有効にするイネーブル信号を出力し、それ以外の条件では動作周波数の低減をしない。

9. 发明申请

WO2022121324A1 IGBT驱动电路及电力转换设备审中-公开
公开(公告)号：WO2022121324A1
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/CN2021/108136
申请日：2021-07-23
申请人：珠海格力电器股份有限公司 GREE ELECTRIC APPLIANCES, INC. OF ZHUHAI [CN]/[CN]
发明人：杨博 YANG, Bo , 黄猛 HUANG, Meng , 王京 WANG, Jing , 俞贤桥 YU, Xianqiao , 张珊 ZHANG, Shan , 方明照 FANG, Mingzhao
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/08
摘要：本公开涉及IGBT驱动电路及电力转换设备，其中IGBT驱动电路包括：驱动芯片(10)，具有第一驱动信号端口(Vo)；驱动电阻调节电路(20)，连接于第一驱动信号端口(Vo)与IGBT的栅极(G)之间，驱动电阻调节电路(30)形成的驱动电阻大小可调；尖峰电压检测电路(30)，连接于与第一驱动信号端口(Vo)导通的IGBT的栅极(G)，尖峰电压检测电路(20)被配置为在IGBT关断时监测是否出现尖峰电压；和电阻调节控制电路(40)，连接于尖峰电压检测电路(20)与驱动电阻调节电路(30)之间，被配置为在IGBT关断监测到尖峰电压时，使驱动电阻调节电路(30)形成的电阻减小。

10. 发明申请

WO2022107416A1 電子装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022107416A1
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：PCT/JP2021/032370
申请日：2021-09-02
申请人：日立Ａｓｔｅｍｏ株式会社
发明人：松本　昌大 , 小田部　晃 , 佐藤　尭生
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/0814 , H03K19/003
摘要：電源電圧よりも数Ｖ高い過電圧が出力端子に印加された場合でも、電源端子への逆流電流を防止することが可能な電子装置を提供する。電子装置１００は、電源端子４と、出力端子７と、電源端子４及び出力端子７に接続されたＰ型出力トランジスタ３と、グラウンド及び出力端子７に接続されたＮ型出力トランジスタ１２と、Ｐ型出力トランジスタ３と出力端子７との間に接続され、Ｐ型出力トランジスタ３と出力端子７との導通を遮断する遮断トランジスタ５と、出力端子７の電圧と電源電圧との電圧差を監視し、当該電圧差が所定値以上であることを検出する検出トランジスタ６を備える。検出トランジスタ６は、当該電圧差が当該所定値以上である場合、遮断トランジスタ５のゲートに出力端子７の電圧を供給する。

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