下变频混频器相关的专利数据

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	下变频混频器	CN200610116709.3	2006-09-29	CN101154922B	2010-05-12	黄颋; 项斌
本发明公开了下变频混频器，由四个NMOS开关管和不带运放的电流-电压转换器组成，具有镜频抑制的功能。经过前端低噪声放大器(LNA)放大的差分射频信号VRFP和VRFN通过电容C1和C2耦合到开关管的源极，四个开关管的栅极分别接到本振信号的正交四相时钟，漏极两两线与，构成镜频抑制下变频混频器。本发明通过上述结构，保留了传统无源下变频混频器的高线性度，并且获得较高的噪声性能，很好地抑制低频噪声，特别是闪烁噪声。
2	下变频混频器	CN201080068774.8	2010-12-21	CN103081353A	2013-05-01	B·P·金斯伯格; V·B·伦塔拉; S·M·拉马斯瓦米; B·S·哈龙; E·赛奥克
可调节阻抗网络耦合到隔离端口（其通常被终止），以在非常高的频率范围内显著地增加调谐范围并且扩展正交混频器的带宽。正交混频器200从RF信号（VRF）和本地振荡器信号（VLO）产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。跨导电路（202）和开关电路（204-1，204-2）以类似方式共同地操作为一对Gilbert单元混频器，其输出同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。混和耦合器（100）对从跨导电路（202）输出的信号进行相移，而同一本地振荡器信号（VLO）被施加到两个开关电路（204-1，204-2）以产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。
3	下变频混频器	CN200610116709.3	2006-09-29	CN101154922A	2008-04-02	黄颋; 项斌
本发明公开了下变频混频器，由四个NMOS开关管和不带运放的电流－电压转换器组成，具有镜频抑制的功能。经过前端低噪声放大器(LNA)放大的差分射频信号VRFP和VRFN通过电容C1和C2耦合到开关管的源极，四个开关管的栅极分别接到本振信号的正交四相时钟，漏极两两线与，构成镜频抑制下变频混频器。本发明通过上述结构，保留了传统无源下变频混频器的高线性度，并且获得较高的噪声性能，很好地抑制低频噪声，特别是闪烁噪声。
4	下变频混频器	CN201080068774.8	2010-12-21	CN103081353B	2016-10-05	B·P·金斯伯格; V·B·伦塔拉; S·M·拉马斯瓦米; B·S·哈龙; E·赛奥克
可调节阻抗网络耦合到隔离端口（其通常被终止），以在非常高的频率范围内显著地增加调谐范围并且扩展正交混频器的带宽。正交混频器200从RF信号（VRF）和本地振荡器信号（VLO）产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。跨导电路（202）和开关电路（204‑1，204‑2）以类似方式共同地操作为一对Gilbert单元混频器，其输出同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。混和耦合器（100）对从跨导电路（202）输出的信号进行相移，而同一本地振荡器信号（VLO）被施加到两个开关电路（204‑1，204‑2）以产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。
5	CMOS下变频混频器	CN201310237459.9	2013-06-17	CN104242825A	2014-12-24	刘国军; 朱红卫; 赵郁炜
本发明公开了一种CMOS下变频混频器，包括射频差分输入电路和开关电路，开关电路的正相和反相输出端和电源电压之间连接有由电阻和PMOS管并联形成的负载电路，负载电路的PMOS管的栅极都连接由控制电压从而能调节负载电路的负载阻抗。射频差分输入电路的两个NMOS跨导管的漏极都分别连接一恒流源，源极共同连接一LC并联电路。本发明能提高增益并实现增益可调，能提高线性度和噪声性能，能降低工作电压。
6	CMOS下变频混频器	CN201310237459.9	2013-06-17	CN104242825B	2017-12-05	刘国军; 朱红卫; 赵郁炜
本发明公开了一种CMOS下变频混频器，包括射频差分输入电路和开关电路，开关电路的正相和反相输出端和电源电压之间连接有由电阻和PMOS管并联形成的负载电路，负载电路的PMOS管的栅极都连接由控制电压从而能调节负载电路的负载阻抗。射频差分输入电路的两个NMOS跨导管的漏极都分别连接一恒流源，源极共同连接一LC并联电路。本发明能提高增益并实现增益可调，能提高线性度和噪声性能，能降低工作电压。
7	一种下变频混频器	CN201710084199.4	2017-02-16	CN107017846A	2017-08-04	吴华灵; 谭洪舟; 路崇; 陆许明; 徐永键
本发明涉及一种下变频混频器，至少包括一条变频支路，所述变频支路包括：射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路，用于接收射频输入信号j，并将输入信号j转换成电流形式的输入信号k；开关电路，用于对电流形式的输入信号k完成下变频功能，得到输入信号m；电流到电压转换及增益控制电路，用于将输入信号m转换成电压形式的输入信号n；然后对输入信号n进行增益控制，得到幅度合适的低频电压信号。
8	一种下变频混频器	CN201710084199.4	2017-02-16	CN107017846B	2020-05-12	吴华灵; 谭洪舟; 路崇; 陆许明; 徐永键
本发明涉及一种下变频混频器，至少包括一条变频支路，所述变频支路包括：射频输入阻抗匹配及电压到电流转换电路，用于接收射频输入信号j，并将输入信号j转换成电流形式的输入信号k；开关电路，用于对电流形式的输入信号k完成下变频功能，得到输入信号m；电流到电压转换及增益控制电路，用于将输入信号m转换成电压形式的输入信号n；然后对输入信号n进行增益控制，得到幅度合适的低频电压信号。
9	一种下变频混频器	CN201710293939.5	2017-04-28	CN107196607A	2017-09-22	张为; 赵启越
本发明涉及一种下变频混频器，包括：输入跨导单元、开关单元、电流注入单元、交叉耦合有源负载单元和尾电流源单元，其中，尾电流源基于电流镜结构为输入跨导单元提供直流偏置；输入跨导单元将射频电压信号转换为射频电流信号，利用交叉耦合跨导增强技术提高电路等效跨导值提高增益，同时在跨导单元的两条支路之间增加LC谐振回路降低闪烁噪声；开关单元对输入跨导单元输出的射频电流信号通过电流换向进行调制；交叉耦合有源负载单元用PMOS管交叉耦合对作为输出负载；差分中频输出电压信号从开关单元和交叉耦合有源负载单元之间输出。
10	多输入下变频混频器	CN201911278584.8	2019-12-13	CN111327275B	2023-09-29	B·沙因曼
本发明题为“多输入下变频混频器”。公开了在中频或基带域中具有输入切换的多输入下变频混频器、系统和方法。一个例示性混频器实施方案包括：多个差分晶体管对和多个开关对。每个差分晶体管对具有：由差分参考信号驱动的它们的基极或栅极；连接到共同节点的它们的发射极或源极，该共同节点具有基于多个接收信号中的相应一个而驱动的电流或电压；以及它们的集电极或漏极，该集电极或漏极提供该差分参考信号与该多个接收信号中的相应一个的乘积。该开关对中的每对将差分输出节点选择性地耦合到多个差分对中的相应一对的该集电极或该漏极，使得该差分输出节点传送输出信号，该输出信号是来自该多个差分对中的所选择的对的乘积的总和。
11	多输入下变频混频器	CN201911278584.8	2019-12-13	CN111327275A	2020-06-23	B·沙因曼
本发明题为“多输入下变频混频器”。公开了在中频或基带域中具有输入切换的多输入下变频混频器、系统和方法。一个例示性混频器实施方案包括：多个差分晶体管对和多个开关对。每个差分晶体管对具有：由差分参考信号驱动的它们的基极或栅极；连接到共同节点的它们的发射极或源极，该共同节点具有基于多个接收信号中的相应一个而驱动的电流或电压；以及它们的集电极或漏极，该集电极或漏极提供该差分参考信号与该多个接收信号中的相应一个的乘积。该开关对中的每对将差分输出节点选择性地耦合到多个差分对中的相应一对的该集电极或该漏极，使得该差分输出节点传送输出信号，该输出信号是来自该多个差分对中的所选择的对的乘积的总和。
12	带IM2对消的下变频混频器	CN200680040114.2	2006-08-30	CN101297474B	2012-01-25	M·陈; Y·吴
一种带IM2对消的下变频混频器，包括混频器、IM2发生器、和比例定标单元。此混频器用LO信号将输入RF信号下变频并产生输出基带信号。此IM2发生器包括接收此输入RF信号并产生具有IM2畸变的中间信号的第一和第二场效应晶体管(FET)。此比例定标单元比例定标该中间信号以产生经比例定标的信号并进一步将此经比例定标的信号与上述输出基带信号组合以对消该输出基带信号中的IM2畸变。此IM2发生器可进一步包括分别耦合在上述第一和第二FET的源极与栅极之间的第一和第二放大器。通过对这些放大器使用不同的增益，可在上述中间信号中产生不同量的IM2畸变和不同的温度变化模式。
13	一种无电感下变频混频器	CN201811344489.9	2018-11-13	CN109639241A	2019-04-16	梁煜; 党艳杰; 张为
本发明涉及一种无电感下变频混频器，包括：设有输入跨导单元、交叉耦合电容单元、开关单元、电阻负载单元，输入跨导单元采用不同的衬底电压结构；交叉耦合电容单元，在开关单元源极形成负阻，以改善线性度；射频输入信号由输入跨导单元放大，通过交叉耦合电容单元抵消寄生电容，输出至开关单元与本振信号混频，开关单元的输出连接电阻负载单元，差分中频输出信号从开关单元和电阻负载单元之间输出。
14	一种无电感下变频混频器	CN201811344489.9	2018-11-13	CN109639241B	2021-03-26	梁煜; 党艳杰; 张为
本发明涉及一种无电感下变频混频器，包括：设有输入跨导单元、交叉耦合电容单元、开关单元、电阻负载单元，输入跨导单元采用不同的衬底电压结构；交叉耦合电容单元，在开关单元源极形成负阻，以改善线性度；射频输入信号由输入跨导单元放大，通过交叉耦合电容单元抵消寄生电容，输出至开关单元与本振信号混频，开关单元的输出连接电阻负载单元，差分中频输出信号从开关单元和电阻负载单元之间输出。
15	带IM2对消的下变频混频器	CN200680040114.2	2006-08-30	CN101297474A	2008-10-29	M·陈; Y·吴
一种带IM2对消的下变频混频器，包括混频器、IM2发生器、和比例定标单元。此混频器用LO信号将输入RF信号下变频并产生输出基带信号。此IM2发生器包括接收此输入RF信号并产生具有IM2畸变的中间信号的第一和第二场效应晶体管(FET)。此比例定标单元比例定标该中间信号以产生经比例定标的信号并进一步将此经比例定标的信号与上述输出基带信号组合以对消该输出基带信号中的IM2畸变。此IM2发生器可进一步包括分别耦合在上述第一和第二FET的源极与栅极之间的第一和第二放大器。通过对这些放大器使用不同的增益，可在上述中间信号中产生不同量的IM2畸变和不同的温度变化模式。
16	混频器和直接下变频接收器	CN200810225011.4	2008-10-23	CN101447793B	2013-07-24	刘瑞峰; 马欣龙; 王文申
本发明公开了一种混频器，包括：转换电路，其包括差分连接的开关管M1和开关管M2，用于把射频电压信号转换为电流信号；下变频电路，其包括差分连接的共源极开关管对M3和M4及共源极开关管对M5和M6，用于把由转换电路流出的电流信号下变频到中频或基带；负载电路，其包括差分连接的电阻R1和电阻R2，用于将下变频后的电流信号转变为电压信号；容性阻抗电路，用于抵消开关管对M3和M4的共源极A点和/或开关管对M5和M6的共源极B点的寄生电容。本发明在不引入额外功耗的前提下可以有效消除混频器的闪烁噪声。
17	混频器和直接下变频接收器	CN200810225011.4	2008-10-23	CN101447793A	2009-06-03	马欣龙; 王文申
本发明公开了一种混频器，包括：转换电路，其包括差分连接的开关管M1和开关管M2，用于把射频电压信号转换为电流信号；下变频电路，其包括差分连接的共源极开关管对M3和M4及共源极开关管对M5和M6，用于把由转换电路流出的电流信号下变频到中频或基带；负载电路，其包括差分连接的电阻R1和电阻R2，用于将下变频后的电流信号转变为电压信号；容性阻抗电路，用于抵消开关管对M3和M4的共源极A点和/或开关管对M5和M6的共源极B点的寄生电容。本发明在不引入额外功耗的前提下可以有效消除混频器的闪烁噪声。
18	一种宽带可重构下变频混频器	CN201110208020.4	2011-07-25	CN102332865A	2012-01-25	任俊彦; 张楷晨; 吴勤; 李巍; 李宁; 许俊; 叶凡
本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种宽带可重构下变频混频器。它由跨导级、频率转换级、负载输出级组成。在输入跨导级使用了尾电流源阵列拓展带宽技术和可重构跨导负载网络技术实现拓展带宽和工作频带可重构。本发明实现简单，占用芯片面积小，功耗可调，带宽覆盖范围大，工作频段可调，增加了电路实用性。该混频器可应用于1.8~10.6GHz的多模式接收器前端中。
19	一种宽带可重构下变频混频器	CN201110208020.4	2011-07-25	CN102332865B	2014-12-03	任俊彦; 张楷晨; 吴勤; 李巍; 李宁; 许俊; 叶凡
本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种宽带可重构下变频混频器。它由跨导级、频率转换级、负载输出级组成。在输入跨导级使用了尾电流源阵列拓展带宽技术和可重构跨导负载网络技术实现拓展带宽和工作频带可重构。本发明实现简单，占用芯片面积小，功耗可调，带宽覆盖范围大，工作频段可调，增加了电路实用性。该混频器可应用于1.8~10.6GHz的多模式接收器前端中。
20	一种超宽带的无源下变频混频器	CN202210462444.1	2022-04-28	CN114785286B	2023-11-28	王勇; 曾慧坤; 陈满健
本发明的目的在于提供一种超宽带的无源下变频混频器，属于混频器技术领域。本发明通过在无源混频器的射频输入级和本振输入级创新性地采用鲁塞夫巴伦，同时相应地设计了开关混频核心级的电路架构，从而极大地扩宽了无源混频器的工作带宽，其带宽为4.5～18GH z，分数带宽可达120％；采用了本振分布式放大器，拓宽了本振输入信号的带宽，降低了本振输入信号的输入电平；中频分布式放大器引入补偿了无源混频器所带来的损耗，减轻了后续链路的设计压力，实现了频段上0.3～1.8dB的增益。

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