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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	一种基于电隔离隧道磁阻敏感元件的氢气传感器	CN201910817744.5	2019-08-30	CN110412118B	2024-04-26	詹姆斯·G·迪克; 周志敏
本发明实施例公开了一种基于电隔离隧道磁阻敏感元件的氢气传感器，包括：位于X‑Y平面的衬底，位于衬底上的隧道磁阻传感器以及位于隧道磁阻传感器上的氢敏感层，氢敏感层和隧道磁阻传感器之间相互电隔离，氢敏感层包含[钯金属层/铁磁层]n的多层薄膜结构，其中，n为大于或等于1的整数；钯金属层用于吸附空气中的氢气以引起铁磁层的各向异性磁场在X‑Z平面内X轴方向的偏转角的变化，隧道磁阻传感器用于感测氢敏感层的磁场信号并根据该磁场信号确定氢气浓度信息。本发明实施例的氢气传感器，保证了测量安全性。
2	一种基于扩展卡尔曼滤波的姿态解算方法	CN202310343630.8	2023-04-03	CN116817896B	2024-04-16	梁媛媛; 李佳美; 杨逸芬; 邓晓露; 包兴鹏; 缪韵华; 唐菁雯; 周雯; 周军; 柏树春; 盛燕; 朱霖; 杨玲玲
本发明公开了一种基于扩展卡尔曼滤波的姿态解算方法，包括在线磁强计校正模块、状态变量确定模块、外推方程构建模块，加速度计与磁力计估计模块、姿态偏置状态外推模块和姿态偏置状态更新模块；本发明属于导航技术领域，尤其涉及惯性导航领域，具体是指本发明提供一种基于扩展卡尔曼滤波的姿态解算方法，本发明的优点为：可将磁强计误差和畸变矫正与姿态解算方法同时进行，考虑了传感器误差和由磁强计安装引起的磁扰动，并考虑到了与惯性传感器的轴对齐问题，进而使位姿估计更加准确；使用扩展卡尔曼滤波，使估计结果越来越可靠；将过程噪声协方差矩阵和测量误差协方差矩阵设为常值矩阵，在满足实时性要求的同时获得精度较高的结果。
3	一种Z轴磁场传感器	CN202410276486.5	2024-03-12	CN117872235A	2024-04-12	宋晨; 徐杰; 郭海平
本发明提供一种Z轴磁场传感器，包括至少一个Z轴磁感应单元。该Z轴磁感应单元，包括：在基板所在平面成对称封闭区域的磁通聚集器，串联或并联的2N个磁阻单元，N为正整数。磁阻单元均匀地分布在所述磁通聚集器内侧、邻近所述磁通聚集器的部分内侧边缘。2N个磁阻单元的灵敏方向统一朝向磁通聚集器的内侧或外侧、均垂直磁通聚集器某一内侧边缘分段的切线方向。2N个磁阻单元分为N个磁感应对，同一个磁感应对的两个磁阻单元的灵敏系数相同、灵敏方向相反，且所在位置的Z轴磁场的转换磁场大小相同、方向相反。本发明的Z轴磁场传感器结合磁通聚集器设计和磁阻单元位置布局、连接方式，具有良好的抗水平磁场干扰的能力、灵敏度和准确度。
4	磁敏传感器及其制备方法、电子设备	CN202410051691.1	2024-01-12	CN117872232A	2024-04-12	韩秀峰; 王翼展; 陈鹏; 丰家峰; 万蔡华; 刘厚方; 魏红祥; 于国强
本发明涉及磁敏传感器及其制备方法、电子设备。根据一实施例，一种磁敏传感器可包括：磁性多层膜结构，包括依次形成在衬底上的自由磁层、中间层和参考磁层，所述自由磁层在第一面内方向上具有比所述参考磁层更大的长度；绝缘层，形成在所述衬底上，并且覆盖所述磁性多层膜结构的侧壁以及所述自由磁层的未被所述参考磁层覆盖的部分的上表面；以及磁通聚集层，形成在所述绝缘层上，并且通过所述绝缘层与所述磁性多层膜结构间隔开。
5	一种基于FP腔的具有温度补偿的光纤液晶磁场传感器	CN202311610523.3	2023-11-29	CN117805702A	2024-04-02	汪超; 杨宏坤; 尹勇; 杨世亮; 朱展枢; 黄国钢
本发明属于光纤传感器技术领域，公开了一种基于FP腔的具有温度补偿的光纤液晶磁场传感器，包括宽带光源、光纤环形器、光谱分析仪和光纤液晶传感头，所述光纤环形器设有光输入端口、光输出端口和光返回端口，宽带光源与光输入端口相连接，光谱分析仪与光返回端口相连接，光纤液晶传感头与光输出端口相连接；本发明利用液晶游标效应放大光学信号，液晶具有磁性效应的特点和双折射形成的游标放大效应使得结构在磁场中表现出高灵敏度，补偿液晶磁性弱特点。因此本发明的液晶游标效应的磁场传感器同时能对磁场和温度进行测量。
6	磁场感测装置	CN202211265149.3	2022-10-17	CN117783968A	2024-03-29	高须贺馨; 张刚硕
本发明提供一种磁场感测装置。磁场感测装置包括磁阻传感器、霍尔传感器以及运算电路。磁阻传感器感测磁场以提供磁阻感测值。霍尔传感器感测磁场以提供霍尔感测值。运算电路依据磁阻感测值来提供权重值，并依据权重值以及霍尔感测值以产生第一运算值，依据权重值以及磁阻感测值以产生第二运算值。运算电路对第一运算值、第二运算值以及磁阻感测值进行运算以产生具有输出值的输出信号。输出值相关于磁场的强度。
7	一种基于霍尔探头的磁场自校准监控装置、方法及存储介质	CN202311771886.5	2023-12-21	CN117741525A	2024-03-22	常孟飞; 张小虎; 赵晶晶; 董赫; 胡雪静; 徐思; 张良
本发明的基于霍尔探头的磁场自校准监控装置包括探头固定组件和检测组件。检测组件包括核磁共振探头、第一霍尔探头和第二霍尔探头，核磁共振探头、第一霍尔探头和第二霍尔探头分别与控制模块电性连接；探头固定组件包括固定支架、核磁共振探头固定件、第一霍尔探头固定件和第二霍尔探头固定件，核磁共振探头装设于固定支架上并通过核磁共振探头固定件固定，第一霍尔探头装设于固定支架上并通过第一霍尔探头固定件固定，第二霍尔探头装设于固定支架上并通过第二霍尔探头固定件固定。本发明解决了现有技术中磁场精度较差导致的不能确保磁场能够准确达到质子治疗系统的照射条件的问题。
8	基于磁感应传感器的硬压板监测方法、系统、终端及介质	CN202311707834.1	2023-12-12	CN117741523A	2024-03-22	汪杨凯; 曾宏宇; 郭海生; 许涛; 杨冰; 曹亮; 张勇; 许悦; 刘晓华; 吴有俊
本发明公开了一种基于磁感应传感器的硬压板监测方法、系统、终端及介质，所述方法包括：当操作票中的所有操作指令执行完毕后，采集屏柜内所有磁感应传感器的检测数据；拍摄屏柜内的设备图像，根据所述设备图像获得屏柜内各个硬压板的第一状态，所述设备图像中至少包括屏柜内所有硬压板的图像；根据所述硬压板的第一状态确定与所述硬压板相对应的磁感应传感器的模式；基于所述磁感应传感器的模式，根据所述检测数据对所述磁感应传感器进行故障判定；当判定磁感应传感器故障时，生成报警信息并发送至监控后台。能够对根据磁感应传感器信号得到的硬压板状态进行核对和确认，防止由于误判而产生误动作或误报警。
9	一种用于弱电磁屏蔽内的高精度无磁平面扫描装置及方法	CN202311503485.1	2023-11-13	CN117233670B	2024-03-19	王子轩; 张宁; 于婷婷; 郭嘉; 刘青; 马政
本发明公开了一种用于弱电磁屏蔽内的高精度无磁平面扫描装置及方法，本发明针对弱电磁屏蔽环境内样品进行高精度检测的位移和定位需求，通过引入套筒式无磁转轴即传动轴和套筒，利用弱电磁屏蔽环境内器件无磁化设计等方法，增加了弱电磁屏蔽系统内样品的位移轴，减小了弱电磁屏蔽系统上的开口大小并降低了弱电磁屏蔽环境内的磁噪声干扰；并基于传动轴以及套装在传动轴上的套筒和内部无磁平动位移模块的引入，实现了弱电磁屏蔽环境内检测样品的多轴高精度位移和定位，提升了弱电磁屏蔽环境内检测样品的扫描范围。本发明为弱电磁屏蔽内样品的检测研究提供使用便捷、精度高、普适性强的高精度多轴位移装置。
10	磁传感器装置及其制造方法、以及旋转动作机构	CN202011416901.0	2020-12-07	CN113495230B	2024-03-08	望月慎一郎

11	一种测量电磁体磁场空间位型分布的方法	CN202410126095.5	2024-01-30	CN117647762A	2024-03-05	彭涛; 刘少波; 陈金桥; 尚会东; 王爽; 葛翱铭; 潘子迎; 黄一航; 李亮
本发明属于电磁测量技术领域，具体公开了一种测量电磁体磁场空间位型分布的方法，该方法包括以下步骤：向电磁体中通入电流产生待测磁场；分别测量电磁体外和/或电磁体内至少一个点位处的第一磁感应强度；获取被测点位处对应的第一磁感应强度与第一磁感应强度相关的工作电流间的第一比值；基于第一比值获取待测磁场的空间位型分布。本发明能实现电磁体磁场空间位型的精确测量。
12	软磁写磁头、器件、数据系统及写磁头制造方法	CN202311065528.2	2023-08-23	CN117630771A	2024-03-01	金英西; 大卫加藤; 周志敏; 薛松生
本申请提供了一种软磁写磁头、器件、数据系统及写磁头、写入线圈制造方法，包括：用于Z轴磁电阻传感器的晶圆上的Z桥臂所对应的Z磁电阻传感单元阵列钉扎层磁矩的写入；软磁写磁头包括：衬底，以及设置在衬底上的磁极阵列和写入线圈阵列；磁极阵列中的磁极和第一软磁屏蔽层均为软磁材料；写入线圈阵列包括：原线圈；任一磁极作为磁芯穿过唯一对应的一个原线圈，且磁极的磁极写入端正对一个Z桥臂；写入时，原线圈中通过直流电流，磁极写入端在Z桥臂的钉扎层中产生包含Z向分量直流写入磁场，使钉扎层磁矩转向Z方向。本发明具有结构简单、写入效率高的优点。
13	一种减小感应电压变化对临界电流测量精度影响的数据处理方法	CN202311637230.4	2023-12-01	CN117630768A	2024-03-01	马红军; 张舒庆; 张京峰; 徐鹏; 刘方; 刘华军; 施毅
本发明公开了一种减小感应电压变化对临界电流测量精度影响的数据处理方法。采用变压器进行大电流导体临界电流测试时，样品电流呈指数变化，电流变化率不恒定，对于电感大的样品将产生较大的感应电压变化，从而影响临界电流测量精度。本发明提出一种数据处理方法及流程，解决了采用变压器进行大电流导体临界电流测试时，感应电压变化引起测量误差的问题。该数据处理方法具有操作方便、精度高等特点。
14	一种数字全桥式巨磁阻抗传感器	CN202311328708.5	2023-10-14	CN117554871A	2024-02-13	胡继超
本发明公开了一种数字全桥式巨磁阻抗型传感器，所述传感器包括：非晶线、感应线圈、参考线圈、桥式MOSFET驱动、由FPGA实现的脉冲信号发生器和延时电路、模拟开关和以及差分放大器。脉冲发射器产生高频激励脉冲电流序列，施加在非晶线上，非晶线的阻抗表现出随着外部磁场的敏感变化；磁场的变化通过感应线圈和参考线圈的电压检测出来；因为激励脉冲的上升沿在感应线圈和参考线圈产生峰值，激励脉冲的下降沿在感应线圈和参考线圈产生反向峰值，正负峰值输出到差分放大器；激励脉冲交替驱动桥式电路，一个周期内产生2对正负峰值信号，信号叠加；感应线圈和参考线圈之间的基线相隔30mm，从而产生梯度，对感应线圈和参考线圈输出值做差分。
15	一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法	CN202010366784.5	2020-04-30	CN113671425B	2024-02-13	曹博; 汪尧进; 袁国亮
本发明涉及一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法。所述耐高温的柔性磁电传感器包括磁致伸缩材料层，压电材料层，其中磁致伸缩材料层是Terfenol‑D单晶薄片，压电材料层是BiScO3‑PbTiO3压电陶瓷薄片。磁致伸缩材料层与压电材料层之间使用高温银胶粘结，从而得到耐高温的柔性磁电传感器。本发明所制备的磁电传感器具有高灵敏度、小型化、柔性、高温工作、功耗低、成本低的突出综合性能优势，在国防安全、智能交通、先进制造等涉及高温的领域具有广泛的应用前景。
16	非闭合磁路磁场感应取电测试装置及方法	CN202011202405.5	2020-11-02	CN112327224B	2024-02-13	黄强; 路永玲; 王真; 张国江; 胡成博; 秦剑华; 陶风波; 张军; 徐江涛; 贾骏; 刘子全; 朱雪琼; 汪俊; 雷家容; 周恒恒
本发明提供一种非闭合磁路磁场感应取电测试装置及方法，该装置包括交流变压器和若干路并联的感应取电电路，感应取电电路包括电流调节电路、激励线圈和非闭合磁芯，电流调节电路与激励线圈串联，非闭合磁芯的一端置于激励线圈内，非闭合磁芯的另一端置于被检测装置的次级线圈内，被检测装置的次级线圈与被检测装置的负载连接，交流变压器的输入端与市电连接，交流变压器的输出端与电流调节电路和激励线圈的串联电路连接。本发明采用非闭合磁芯，直接将被检测装置放入磁芯上，自然垂落到本装置上，位置相对固定不会产生偏移，磁芯为非闭合，无需弯折一致性非常好。同时设计多路激励线圈并联，可以一次检测多个被检测装置，生产或检测效率大大提高。
17	一种基于磁通门的电流传感器	CN202311487570.3	2023-11-09	CN117538596A	2024-02-09	徐长宝; 辛明勇; 王秀境; 冯起辉; 高吉普; 冉江涛; 王宇; 林呈辉; 徐玉韬; 祝健杨; 罗华林; 何雨旻; 李鑫卓; 古庭赟; 陈敦辉; 代奇迹; 毛钧毅; 张后谊; 唐赛秋; 张缘圆
本发明公开了一种基于磁通门的电流传感器，涉及电流传感器技术领域，包括电流传感器单元，所述电流传感器单元包括电流传感器安装外壳和设置在电流传感器安装外壳内部的连接移动块，所述连接移动块的外部连接有传动连杆，且传动连杆的一端连接有转动连接座，所述转动连接座的内部连接有调节组件；中间连接单元，所述中间连接单元包括第一连接件和连接在第一连接件一侧的第二连接件，所述第二连接件包括第一安装圆板和连接在第一安装圆板上的固定连接杆，且固定连接杆的一端连接有第二安装圆板；磁通门探头单元；解决了现有的电流传感器在使用时，不能对连接的磁通门探头的空间位置进行调节，需要手动配置，使用非常繁琐的问题。
18	一种基于压电隧道效应的MEMS 磁场传感器及测量磁场方法	CN202111344254.1	2021-11-15	CN114062978B	2024-02-02	陈洁; 颜子尧; 张中锦; 单婉婷; 黄旭庭
本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS 磁场传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al2O3、磁致伸缩层FeCoB和电极。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节电荷传输行为，即绝缘层隧穿势垒的高度和宽度被调制，从而调制隧穿运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。
19	三维磁场测量装置及磁场测绘系统	CN202280035504.X	2022-05-06	CN117460966A	2024-01-26	崔弘洙; 黄俊善; 金珍渶; 阿韦斯·阿赫麦德; 萨尔马德·艾哈迈德·阿巴西
本发明涉及一种包括多个模块的三维磁场测量装置，其中，每个模块被配置为在x轴、y轴和z轴方向上可延伸，由此可在不移动所述装置的情况下实时测量三维空间中的磁场数据，可容易地扩大和减小测量区域，可提高电源效率，并且可减小所述装置的尺寸和重量。
20	环形线圈及其制造方法、磁共振系统	CN202311380119.1	2023-10-23	CN117438170A	2024-01-23	魏子栋
本发明涉及环形线圈及其制造方法、磁共振系统。该环形线圈包括：第一线圈，开设有第一缺口和第二缺口，第一线圈包括对应于第一缺口的第一线端和第二线端、对应于第二缺口的第三线端和第四线端；第二线圈，第二线圈开设有第三缺口，第三缺口与第二缺口位于同一周向位置，第二线圈包括对应于第三缺口的第五线端和第六线端；第一连接桥，第三线端通过第一连接桥电连接于第六线端；以及第二连接桥，第四线端通过第二连接桥电连接于第五线端；沿第一线圈的轴向，第二连接桥与第一连接桥间隔设置。该环形线圈能够灵敏地识别信号。

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