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首页 / 专利分类库 / 基本电子电路 / 使用工作于非开关状态的有源元件电路,直接或经频率变换产生振荡;由这样的电路产生噪声(特别用于电子乐器的发生器入G10H;微波激射器或激光器入H01S;等离子体振荡的产生入H05H)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 一种超声雾化片工作控制电路声波电子 CN201810232570.1 2018-03-21 CN110299905B 2024-04-23 刘建福; 钟科军; 郭小义; 黄炜; 于宏; 代远刚; 尹新强; 易建华; 潘君; 周永权
发明公开了一种超声雾化片工作控制电路声波电子烟,其中超声雾化片工作控制电路包括第一供电电路、第二供电电路、控制器、MOS管开关电路和LC振荡电路,其中第一供电电路与控制器的电源端电连接,第二供电电路与LC振荡电路的电源端电连接,控制器的输出端依次通过MOS管开关电路、LC振荡电路与超声雾化片电连接,还包括与超声雾化片电连接的第一吸收电路、与LC振荡电路电连接的第二吸收电路、与LC振荡电路电连接的泄放电路。本发明能够防止MOS管因超声雾化片热插拔而损坏,能够使高电压脉冲峰值变得平缓,有利于保护MOS管不被高压击穿,避免MOS管因空载工作而被高压击穿,延长使用寿命,降低使用成本。
2 一种超声雾化片工作控制电路声波电子 CN201810232569.9 2018-03-21 CN110299904B 2024-04-23 刘建福; 钟科军; 郭小义; 黄炜; 于宏; 代远刚; 尹新强; 易建华; 潘君; 周永权
发明公开了一种超声雾化片工作控制电路声波电子烟,其中超声雾化片工作控制电路包括第一供电电路、第二供电电路、控制器、MOS管开关电路和LC振荡电路,其中第一供电电路与控制器的电源端电连接,第二供电电路与LC振荡电路的电源端电连接,控制器的输出端依次通过MOS管开关电路、LC振荡电路与超声雾化片电连接,还包括与LC振荡电路电连接的吸收电路、与LC振荡电路电连接的泄放电路。本发明能够使高电压脉冲峰值变得平缓,有利于保护MOS管不被高压击穿,避免MOS管因空载误操作工作而被高压击穿,延长使用寿命,降低使用成本;同时结构简单、占用空间小。
3 晶体振荡器晶体振荡器的控制方法、设备及存储介质 CN202211263585.7 2022-10-11 CN117914264A 2024-04-19 程聪
申请公开了一种晶体振荡器晶体振荡器的控制方法、设备及存储介质,晶体振荡器包括:外部晶体,与所述外部晶体连接的电容调谐阵列,与所述外部晶体和所述电容调谐阵列连接的输出缓冲器;所述电容调谐阵列,用于在所述外部晶体产生振荡,且接收到数字频率控制字之后,根据所述数字频率控制字进行奇数偶数行列译码,生成时钟信号,通过所述输出缓冲器输出所述时钟信号,以根据输出的所述时钟信号调整所述振荡对应的频率。本申请实现了晶体振荡器能提供高精度的信号。
4 压电振动器件 CN201980007397.8 2019-03-20 CN111566931B 2024-04-19 吉冈宏树
发明的压电振动器件包括:压电振子,具有多个外部连接端子及多个安装用电极;及集成电路元件,具有连接于多个安装用电极的多个安装端子,且安装于压电振子;其中连接于外部连接端子的安装用电极的至少一个安装用电极在集成电路元件的安装区域中具有延伸至较集成电路元件的安装端子更内部的布线图案。
5 一种交叉耦合输入的自混频二倍频器 CN202311811983.2 2023-12-26 CN117879498A 2024-04-12 易翔; 洪阿灌; 朱浩慎; 秦培; 车文荃; 薛泉
发明公开了一种交叉耦合输入的自混频二倍频器,包括交叉耦合输入的二倍频电路单元、巴伦和输入匹配网络以及输出匹配网络,二倍频电路单元用于接收差分基频信号并产生二次谐波信号;巴伦和输入匹配网络用于将单端基频信号转化为差分基频信号;输出匹配网络用于提取二次谐波信号,滤除不需要的基频和其他高次谐波信号;巴伦和输入匹配网络与二倍频电路单元输入端相连,输出匹配网络与二倍频电路单元输出端相连;二倍频电路单元包括第一晶体管、第二晶体管,第一晶体管的栅极与第二晶体管的源极连接,同样的,第二晶体管的栅极与第一晶体管的源极连接,构成交叉耦合的输入端口;第一晶体管和第二晶体管的漏极短接,构成二次谐波信号输出端口。
6 具有宽频带频率温漂补偿的数控振荡器、芯片及通信终端 CN202211358768.7 2022-11-01 CN115996024B 2024-04-12 胡锦瑞; 杨磊; 李立; 王东旺; 王韩; 杜洪立; 马洪祥; 吕晓鹏; 方舒悦
发明公开了一种具有宽频带频率温漂补偿的数控振荡器、芯片及通信终端。该数控振荡器包括振荡器电路、调谐电容阵列和补偿电容阵列。其中,调谐电容阵列和补偿电容阵列分别与振荡器电路的两个差分输出端并联连接。本发明通过采用OTW控制码检测电路和参考电压控制阵列,以及PTAT模和温补电压控制阵列两个部分,共同控制补偿电容陈列的端电压值从而得到补偿电容值的技术方案,实现了在宽频带范围内,高精度补偿数控振荡器输出频率随温度变化引起的频率漂移,在宽频带范围内提高了数控振荡器输出频率的稳定性
7 温度补偿晶体振荡器 CN201710914920.8 2017-09-30 CN107733369B 2024-04-12 牟端
发明公开了一种温度补偿晶体振荡器,包含两个同样切型的晶体谐振器,它们的参考点温度不同分别为T01、T02,其中T01<T02,在温度小于设定温度Ts时,用晶体谐振器A输出频率F1,温度大于设定温度Ts时,用晶体谐振器B输出频率F1。频率F1通过基于相环技术的频率合成器生成频率F2。基于锁相环技术的频率合成器可选择压控振荡器VCO或压控晶体振荡器VCXO。用1PPS信号对频率F1、频率F2的老化进行补偿。本发明极大提高了系统的精度和长期可靠性。
8 一种基于谐波电流选择实现谐波调谐的谐波振荡器 CN202311123493.3 2023-09-01 CN117081504B 2024-04-05 吴亮; 康泽辉; 于陈
发明公开了一种基于谐波电流选择实现谐波调谐的谐波振荡器,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一电感L1~第五电感L5、第一可变电容C1、第二可变电容C2、第一固定电容C3、第二固定电容C4和开关电容阵列SCA。本发明通过抑制二次谐波电流和促进三次谐波电流,该设计避免了同时需要两种谐波阻抗而带来的设计复杂性。同时塑造了一个较为平坦的三次谐波阻抗,使得基频调谐时,三次谐波的幅度和相位在振荡器调谐范围内基本无变化,利用三次谐波电压实现优良综合性能的同时不需要对三次谐波阻抗手动调谐也能够在调谐范围内维持稳定的振荡器综合性能。
9 烘箱控制的MEMS振荡器以及用于校准MEMS振荡器的系统和方法 CN201880062284.3 2018-05-23 CN111133675B 2024-04-05 维莱·卡亚卡里
提供了一种用于烘箱控制的MEMS振荡器的校准系统。该校准系统包括控制电路系统,该控制电路系统分别选择预先确定的目标设定点值并且基于所选择的目标设定点值中的每一个来控制烘箱控制的MEMS振荡器内的加热器,以调整烘箱控制的MEMS振荡器的设定点。该系统还包括振荡测量电路,该振荡测量电路测量在与所选择的预先确定的目标设定点值中的每一个对应的每个调整的设定点处的相应振荡频率。所测量的振荡频率然后可以被用于确定用于烘箱控制的MEMS振荡器的目标设定点操作值,该目标设定点操作值可以被用于校准烘箱控制的MEMS振荡器。
10 一种基于DDS的LEU用C6信号产生装置 CN201710570773.7 2017-07-13 CN107332515B 2024-04-05 居礼; 李晓光; 诸葛晓钟; 王勇; 蒋耀东; 唐俊; 徐先良; 潘雷
发明涉及一种基于DDS的LEU用C6信号产生装置,包括DDS芯片、I‑V信号转换电路、有源放大器、FPGA,所述的DDS芯片的输入端与FPGA连接,所述的DDS芯片的输出端与I‑V信号转换电路的输入端连接,所述的I‑V信号转换电路的输出端与所述的有源放大器的输入端连接。与现有技术相比,本发明能够提供更加准确稳定、可靠无误的C6信号,使得与LEU连接的有源应答器能将能量传递给信标,进而正确地激活信标。
11 双通道毫米波高线性上变频集成装置和毫米波高线性功率放大器的测试系统 CN202311832323.2 2023-12-27 CN117811505A 2024-04-02 蔡宗棋; 吕安如; 陈义强; 黄健城; 张小龙; 唐莎; 方栓柱; 方来旺; 刘昌; 李幸
申请提供一种双通道毫米波高线性上变频集成装置和毫米波高线性功率放大器的测试系统,其中,双通道毫米波高线性上变频集成装置包括第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器、功分器、第一倍频放大链路、第二倍频放大链路、第一混频器、第二混频器、第一滤波放大链路和第二滤波放大链路。本申请的双通道毫米波高线性上变频集成装置用于为待测毫米波高线性功率放大器提供可用于测试IM3、ACPR及EVM指标的输入信号。进一步地,本申请的双通道毫米波高线性上变频集成装置至少具有可降低测试成本、提高测试准确性的优点。
12 一种宽带增强型注入定四倍频器 CN201811555037.5 2018-12-19 CN109510597B 2024-03-29 唐攀; 宋柏; 章圣长; 吴沁阳; 陈小浪; 刘秋实
申请涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种应用于毫米波雷达、通信等系统中的宽带增强型注入定四倍频器,包含两个注入锁定压控振荡器和两个谐波发生器,所述谐波发生器和所述注入锁定振荡器通过变压器网络实现连接和注入,通过宽带匹配网络选频后输出最终频率。本专利采用压控振荡器电路结构,利用晶体管非线性特性和注入锁定技术实现倍频功能,本申请的电路功耗大幅低于传统结构、芯片面积更小,具有低成本、低功耗、高集成度优势,更适合用于毫米波雷达、通信等系统中的高集成度SOC芯片。
13 低成本低温漂高电源抑制比振荡电路 CN202311785320.8 2023-12-22 CN117748945A 2024-03-22 胡辉勇; 付子杰; 舒斌; 王利明; 张宁宁; 苗田; 林大松; 吴颖颖
发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路,包括:温度补偿电流产生电路、共源共栅镜像电路、充放电控制电路、放电判别电路、以及复位置位RS触发器,第一电流源。其通过温度补偿电流产生电路和共源共栅镜像电路,产生具有与电容充放电电压差具有相同的温度系数的补偿电流,降低温度漂移,其工艺及结构简单,能够在实现较高的温度系数和电源抑制比的同时,降低电路面积和成本,具有更广阔的应用前景。
14 一种毫米波治疗振荡器装置 CN202311452350.7 2023-11-03 CN117177509B 2024-03-22 张雪; 张黄河
发明涉及医疗设备领域,提供一种毫米波治疗振荡器装置,包括毫米波治疗仪主框架和振荡器主体,所述振荡器主体的两侧设置有平保护结构,所述振荡器主体的底部设置有支撑结构;本发明将受到的冲击分散为竖直方向和水平方向进行处理,减少冲击力对振荡器主体造成损伤的同时,使振荡器主体具有自然复位的效果,避免冲击力造成振荡器主体分裂破损;本发明的振荡器主体在受到冲击后仍然能回到稳定点进行工作,提升了毫米波治疗仪应对外部冲击的能力,有利于后续的运输和推广使用;本发明使装置在后续维护中更加便捷,出现损坏时短时间内不会影响振荡器主体的正常工作,提高了毫米波治疗仪的工作稳定性
15 用于毫米波装置的二倍频器的方法、设备及系统 CN201811384197.8 2018-11-20 CN109951157B 2024-03-22 阿贝拉特·贝拉尔; 亚若·巴拉萨伯拉马尼彦
申请涉及用于毫米波装置的二倍频器的方法、设备及系统,提供一种用于执行毫米波信号的倍频的装置。该装置包括第一差分电路,其能够接收输入信号的0°相位分量及具有第一频率的该输入信号的180°相位分量。该第一差分电路提供第一输出信号,该第一输出信号是该频率的两倍并基于该输入信号的该0°及该180°相位分量呈同相(0°)。该装置还包括第二差分电路,其能够接收该输入信号的90°相位分量及该输入信号的270°相位分量,并提供第一输出信号,该第一输出信号是该频率的两倍并且呈异相(180°)。该装置还包括差分变压器,其经配置成接收该第一输出信号及该第二输出信号。该差分变压器经配置成提供具有第二频率的差分输出信号,该第二频率是该第一频率的两倍。
16 一种基于变压器耦合的堆叠压控振荡器 CN202111039952.0 2021-09-06 CN113746429B 2024-03-19 孙辉; 汪浩; 傅海鹏
发明提供了一种基于变压器耦合的堆叠压控振荡器,包括核心振荡电路,核心振荡电路包括两组对称设置的差分对管,差分对管由具有差分对结构的NMOS管M1、NMOS管M2组成,NMOS管M1的栅极和NMOS管M2的栅极之间连接有两组电感L1;核心振荡电路分别连接有选频电路和用于将两路差分信号转换成单路输出差分信号巴伦电路;核心振荡电路还连接有用于隔离核心振荡电路和巴伦电路的输出环冲电路,输出缓冲电路包括NMOS管M3、NMOS管M4,NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极之间连接有两组电感L2;两组电感L1与两组电感L2形成磁耦合变压器。本发明有效解决了传统的太赫兹基波压控振荡器输出功率低、相噪性能差等问题,从而实现高性能太赫兹基波压控振荡器。
17 一种自偏置振荡电路 CN202311265666.5 2023-09-27 CN117254775B 2024-03-08 傅科成; 周高翔
18 一种自偏置的压控振荡器电路 CN202311011771.6 2023-08-11 CN116961585B 2024-03-08 周玉镇; 庄志青; 胡红明; 张希鹏
19 振动器件的制造方法 CN202110125119.1 2021-01-29 CN113206641B 2024-03-08 川内修; 志村匡史; 佐佐木奖悟
20 可实现误差消除的RC张弛振荡器电路 CN202311496707.1 2023-11-10 CN117650768A 2024-03-05 杨世恒; 潘宇; 刘悦多; 廖佳慧; 刘佳欣; 张红帅
发明公开了一种可实现误差消除的RC张弛振荡器电路,通过在负偏置比较器中引入负偏置电压来平衡偏置电压的方式实现了偏置电压的消除以及通过设置斩波电路来实现针对内部电容的分段充电加速,实现了比较器的偏置电压消除,进而降低了温度系数,实现了提升电路输出稳定性的效果,最后通过减少施密特触发器内设置的晶体管数量的方式实现了降低了电路功耗,解决了现有技术当中由于比较器输入端的工艺偏差和失配,导致了会产生不确定的偏置电压,而在对偏置电压进行抑制时会造成功耗上升以及温度稳定性下降,造成输出误差上升的问题,提升了电路输出的稳定性。