专利检索_阻抗网络例如谐振电路谐振器（测量试验入G01R产生混响或回声装置入G10K15/08由分布阻抗例如波导型组成的阻抗网络或谐振器入H01P放大的控制例如放大器的带宽控制入H03G调谐谐振电路例如调谐耦合谐振电路入H03J改善通信系统频率特性的网络入H04B）专利检索_阻抗网络例如谐振电路谐振器（测量试验入G01R产生混响或回声装置入G10K15/08由分布阻抗例如波导型组成的阻抗网络或谐振器入H01P放大的控制例如放大器的带宽控制入H03G调谐谐振电路例如调谐耦合谐振电路入H03J改善通信系统频率特性的网络入H04B）专利检索查询_阻抗网络例如谐振电路谐振器（测量试验入G01R产生混响或回声装置入G10K15/08由分布阻抗例如波导型组成的阻抗网络或谐振器入H01P放大的控制例如放大器的带宽控制入H03G调谐谐振电路例如调谐耦合谐振电路入H03J改善通信系统频率特性的网络入H04B）专利检索查询分析平台

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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	弹性波元件、分波器以及通信装置	CN202280058977.1	2022-08-31	CN117917005A	2024-04-19	伊藤干
弹性波元件具有由压电晶体构成的压电层、和位于压电层的上表面并具备多个电极指的I DT电极。若将多个电极指的重复间隔定义为p，将所述压电层的厚度定义为D1，则压电层的标准化厚度D1/p与所述I DT电极的占空比d是由0.166≤d×D1/p≤0.241(1)表示的关系。
2	一种机械采油机组智能选型方法和系统	CN202410129474.X	2024-01-31	CN117668433B	2024-04-19	张贺琳; 童超; 刘柳; 李萌苏; 王凯华
本发明请求保护一种机械采油机组智能选型方法和系统，包括：1.构建Lawson‑RLS 算法的代价函数，依据所述代价函数获取选型权向量和选型误差，基于Lawson范数构造特征矩阵，通过采油处理前机组和采油处理后机组对所述特征矩阵进行参数预设；2.设定所述特征矩阵初值，对机械研磨增益矩阵进行求解，得到机械研磨增益向量；3.依据所述机械研磨增益向量和特征矩阵得到所述选型权向量的迭代公式；更新所述特征矩阵，继续重复以上1到3满足迭代次数条件后，得到采油机组与采油对象的选型值。其实现了采油对象多径的稳健选型，提高了对抗脉冲噪声的鲁棒性且算法具有良好的稳态误差及收敛速率，试验数据验证了方法有效性。
3	一种TC-SAW 谐振器及制造方法	CN202011500791.6	2020-12-18	CN112653407B	2024-04-19	李红浪; 许欣; 柯亚兵
本发明涉及一种TC‑SAW 谐振器及其制造方法，该谐振器包括：高声速材料的衬底层、位于高声速材料衬底层之上的压电材料为单晶36°YX LiTaO3或42°YX LiTaO3的厚度为λ的压电层、设在压电层上的电极、在压电层上覆盖的厚度为0.2λ的LGS层，LGS的欧拉角为(0°,90°,90°)。其中，λ是电极激发的声波波长。本发明的TC‑SAW谐振器具有高频高Q值低TCF值的特点，且其制造工艺步骤简单，良率高。
4	一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件	CN202311695566.6	2023-12-11	CN117897035A	2024-04-16	欧欣; 柯新建; 黄凯
本申请涉及一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件，该压电异质衬底结构包括功能衬底层和设置在功能衬底层上的压电复合层；压电复合层包括沿远离功能衬底层的方向上依次设置的介质层、界面层和压电薄膜层，界面层存在预设元素分布，其中，预设元素的浓度大于预设阈值，界面层用于对叉指电极所激发的体声波进行散射处理，利用本申请提供的技术方案可以减少对体声波的反射，进而可避免由于体声波的反射而对声表面波进行干扰的情况发生，从而可提高声波器件的性能。
5	一种工频信号的过滤方法、装置、电子设备及存储介质	CN202211223223.5	2022-10-08	CN117895919A	2024-04-16	竺红卫; 王庆
本申请提供了一种工频信号的过滤方法、装置、电子设备及存储介质，获取包含多个不同频率的工频信号以及电弧信号的初始源信号，利用根据各个工频信号的信号周期确定出的多个锁相通道，标记出初始源信号中的工频信号，对标记后的每个工频信号进行相位偏移后，确定出多个偏移信号，将多个偏移信号反相处理后与初始源信号叠加，以滤除多个工频信号。这样，通过根据对各个工频信号的信号周期，确定的多个锁相通道，对初始源信号中的周期性的工频信号进行标记，然后经过移相后，得到移相信号，将移相信号反相后与初始源信号叠加，在不影响非周期性的电弧信号的情况下，将工频信号从初始源信号中滤除，有助于提升工频信号滤除的准确性。
6	一种基于缺陷地负群时延单元的滤波器群时延均衡装置	CN202410096324.3	2024-01-24	CN117895918A	2024-04-16	万发雨; 宋润陶; 顾韬琛
本发明提供一种基于缺陷地负群时延单元的滤波器群时延均衡装置，包括介质基板以及设于介质基板的第一谐振耦合结构、第二谐振耦合结构、第一DGS开路谐振器、第二DGS开路谐振器、第一开路短截线谐振器、第一端口、第二端口、第四开路短截线谐振器、第五开路短截线谐振器，电阻R1和电阻R2；第一DGS开路谐振器包括第二开路短截线谐振器和第一缺陷地负群时延单元；第二DGS开路谐振器包括第三开路短截线谐振器和第二缺陷地负群时延单元；第一缺陷地负群时延单元位于第二开路短截线谐振器的左侧；第二缺陷地负群时延单元位于第三开路短截线谐振器的右侧；第一缺陷地负群时延单元用于对左侧的群时延波峰进行均衡；第二缺陷地负群时延单元用于对右侧的群时延波峰进行均衡。通过采用本设计中所提出的缺陷地负群时延结构和开路短截线结构对滤波器进行群时延均衡，降低滤波器的带内群时延波动，达到提高器件带内线性度的设计目标。
7	一种利用感性补偿模块的电压采样式传导电磁干扰抑制电路	CN202410082581.1	2024-01-19	CN117895913A	2024-04-16	孟鑫; 穆罕默德·阿布·侯兰; 周永兴; 王云; 苏鼎; 孙昰行; 陈文洁
本发明提供了一种利用感性补偿模块的电压采样式传导电磁干扰抑制电路的电路结构，包括电压采样式模块，电压处理模块和感性补偿模块。本发明传导电磁干扰采样方法通过采样电感磁芯的第三绕组构成的电压互感器采样得到电压信号，精度不受第三绕组的负载影响，采样精度更高，采样效果更稳定，同时有源滤波电路中的参数设计更自由，使得对原无源电路等效阻抗的影响可以大大地减小。而且感性补偿模块中补偿电流仅取决于补偿电感L4，而第三电容C3只是为了隔离直流和滤除补偿电流中的一些低频干扰信号，其容值大小基本不影响电流补偿的效果，本发明可以将有源滤波电路与无源滤波元件进行了高效的组合。
8	一种BAW 滤波器晶圆级封装方法	CN202410066659.0	2024-01-17	CN117579015B	2024-04-16	魏彬; 邹洁; 唐供宾
本申请公开了一种BAW滤波器晶圆级封装方法，该方法包括：将提供的第一BAW晶圆的第一表面和第二BAW晶圆的第一表面贴合后，进行晶圆级键合，对晶圆级键合后的BAW晶圆的第一表面进行刻蚀形成硅通孔，使晶圆级键合后的金属焊垫暴露出来，在BAW晶圆的第一表面的非硅通孔区域沉积金属种子层后，在硅通孔中电镀铜后，在形成的铜表面电镀凸点，形成晶圆级封装的BAW滤波器；电镀凸点的过程进行回流焊。其中，通过将作为发送端的第一BAW晶圆和作为接收端的第二BAW晶圆键合在一起，实现三维堆叠，使得占用的面积直接减小一半，便于芯片集成和使用，实现芯片小型化和轻量化。
9	滤波器装置	CN201980085485.X	2019-11-19	CN113228509B	2024-04-16	长田淳仁; 中桥宪彦
提供一种能在不导致公共连接的一个带通型滤波器的滤波器特性的劣化的情况下抑制由瑞利波造成的响应对另一个带通型滤波器的通带的影响且滤波器特性优异的滤波器装置。滤波器装置(10)具备：公共连接端子(3)；第1带通型滤波器(1)，与公共连接端子(3)连接，具有电感器(L)；第2带通型滤波器(2)，与公共连接端子(3)连接，通带位于比第1带通型滤波器(1)靠低频侧。滤波器装置(10)利用SH波。第1带通型滤波器(1)是梯型滤波器。串联臂谐振器(S1～S4)及并联臂谐振器(P1～P4)分别具有IDT 电极。在第1带通型滤波器(1)的并联臂谐振器(P1～P4)之中IDT电极的电极指间距最小的并联臂谐振器(P1)串联连接有电感器(L)。
10	弹性波装置	CN201980061538.4	2019-09-18	CN112823473B	2024-04-16	永友翔
弹性波装置(1)利用纵波型弹性波，具备：压电体层(10)，具有相互对置的第1主面以及第2主面；IDT 电极(110)，直接或间接地形成在上述第1主面上；以及高声速构件(20)，直接或间接地形成在上述第2主面上，包含4H‑型或6H‑型的晶体多型碳化硅。
11	谐振装置	CN201980054142.7	2019-08-28	CN112585870B	2024-04-16	后藤雄一; 河合良太
本发明提供一种谐振装置，能够抑制电容的不平衡。谐振装置(1)具备：谐振器(10)，其包含上部电极(125A～125D)、下部电极(129)、以及形成在上部电极(125A～125D)与下部电极(129)之间的压电薄膜(F3)；上盖(30)，其设置为第一面与谐振器(10)的上部电极(125A～125D)对置；电源端子(ST1)，其设置于上述基板的第二面，与上部电极(125B、125C)电连接；电源端子(ST2)，其设置于上盖(30)的第二面，与上部电极(125A、125D)电连接；以及接地端子(GT)，其设置于上盖(30)的第二面，与下部电极(129)电连接，电源端子(ST1)的面积与电源端子(ST2)的面积不同，以便在电源端子(ST1)与接地端子(GT)之间产生的电容与在电源端子(ST2)与接地端子(GT)之间产生的电容近似。
12	体声波谐振器的制造方法	CN201910658520.4	2019-07-19	CN112039461B	2024-04-16	罗海龙
本发明提供一种体声波谐振器的制造方法，在支撑层中的空腔内形成至少一个支撑柱，由此可以在支撑柱形成之后至支撑柱去除之前的工艺阶段中，一直利用支撑柱来支撑空腔上方的体声波薄膜(包括依次堆叠在空腔上方的第二电极层、压电层和第一电极层)，防止体声波薄膜在支撑柱被去除之前的工艺中变形下压以及破裂的问题，最大化保护空腔在支撑柱被去除之前不受伤害，进而在去除支撑柱后能够获得性能良好的空腔，由此提高器件性能。
13	压电滤波器	CN201980007145.5	2019-01-18	CN111557076B	2024-04-16	幸田直树
在收纳有两个压电滤波器元件的封装体的内面，形成有与各压电滤波器元件的各压电基板的输入电极及输出电极这两个电极对置的屏蔽电极，将压电基板的两个电极与封装体的内面的屏蔽电极之间的对置间隙设为100μm以上。
14	安装结构体的制造方法及其中所使用的片材	CN201880080263.4	2018-12-13	CN111480227B	2024-04-16	野村英一; 宫本豊; 桥本卓幸
安装结构体的制造方法具备下述工序：准备安装构件的工序，所述安装构件具备第1电路构件和搭载于第1电路构件上的多个第2电路构件；配置工序，将热固化性片材与热塑性片材按照热固化性片材介于热塑性片材与第1电路构件之间的方式配置于安装构件上；第1密封工序，将热固化性片材与热塑性片材的层叠体向第1电路构件按压，同时加热层叠体而密封第2电路构件，使热固化性片材固化而转变成固化层；及除去工序，从固化层上除去热塑性片材。多个第2电路构件中的至少1个为具备在与第1电路构件之间形成的空间的中空构件，在第1密封工序中，在维持空间的同时密封多个第2电路构件。
15	声学谐振器封装结构及其制备方法	CN201910964439.9	2019-10-11	CN110868190B	2024-04-16	李亮; 商庆杰; 梁东升; 赵洋; 王利芹; 丁现朋; 刘青林; 冯利东; 张丹青; 崔玉兴; 张力江; 刘相伍; 杨志; 李宏军; 钱丽旭; 李丽; 卜爱民; 王强; 蔡树军; 付兴昌
本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
16	具有多种膜片厚度的横向激发薄膜体声学谐振器和制造方法	CN202280053854.9	2022-07-25	CN117882296A	2024-04-12	克里斯·奥布莱恩; 安德鲁·凯; 阿尔伯特·卡多纳; 温切斯拉夫·扬捷切夫; 帕特里克·特纳; 罗伯特·B·哈蒙德; 迪伦·凯利
公开了制造滤波器设备的方法。将具有第一厚度的压电板的背表面附接到基板。选择性地蚀刻压电板的前表面，以将压电板的一部分从第一厚度减薄至小于第一厚度的第二厚度。在基板中形成空腔，使得压电板的多个部分形成跨越相应空腔的多个膜片。在前表面上形成导体图案。该导体图案包括：第一叉指换能器(IDT)，在具有第一厚度的第一膜片上具有交织的指状物；以及第二IDT，在具有第二厚度的第二膜片上具有交织的指状物。
17	基于改进卡尔曼滤波的磁罗盘传感器自适应信号滤波方法	CN202410277052.7	2024-03-12	CN117879540A	2024-04-12	唐宝权; 郭缘; 彭根斋
本发明公开了一种基于改进卡尔曼滤波的磁罗盘传感器自适应信号滤波方法，属于信号处理领域，其方法为在常规卡尔曼滤波方程的基础上，增设系统协方差矩阵修正参数#imgabs0#，并优选增设条件阈值#imgabs1#和系统特性修正系数#imgabs2#；本发明的方法在滤波过程中能够根据当前测量值的情况而自适应调整数字滤波器卡尔曼增益#imgabs3#，达到保证传感器数据具有较高滤波精度的基础上，满足磁罗盘实时解算输出姿态角的功能需求，有效降低传统滤波时滞的效果。
18	压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件	CN202311829226.8	2023-12-27	CN117879532A	2024-04-12	欧欣; 柯新建; 黄凯
本发明公开了一种压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件，所述压电异质衬底从上到下包括压电薄膜层、金属层、功能层以及目标衬底；功能层为氧化硅层或由声阻材料堆叠形成的布拉格反射层结构；其中，压电薄膜层与金属层之间设置有界面层，所述界面层的材料和所述压电薄膜层的材料相同；且所述界面层中离子浓度不同于所述压电薄膜层中离子浓度；通过在压电材料与金属材料的界面添加与压电薄膜材料中相同离子种类的界面层，既不会引入多余的杂质，也可以在界面处形成活性元素的阻挡层，从而提高了压电异质衬底的质量。
19	一种盖板异质集成无源器件的薄膜体声波器件及其制备方法	CN202410099585.0	2024-01-24	CN117879529A	2024-04-12	刘刚; 钟高峰; 邹锦林
本发明公开了一种盖板异质集成无源器件的薄膜体声波器件，包括薄膜体声波器件和封装盖板，该薄膜体声波器件包括衬底、压电震荡堆、第一空腔和放置窗口，其中，该压电震荡堆位于衬底上，该第一空腔位于压电震荡堆和衬底间，该放置窗口是通过在压电震荡堆的压电层和位于所述压电层底部的衬底开设窗口得到；该封装盖板覆盖在薄膜体声波器件上，所述封装盖板包括盖板衬底和集成在盖板衬底底部的无源器件，所述无源器件位于放置窗口顶部。该薄膜体声波器件尽量避免对无源器件的损伤，良品率较高，且实现了小型化。本发明还公开了一种盖板异质集成无源器件的薄膜体声波器件的制备方法。
20	滤波器装置	CN202311321425.8	2023-10-12	CN117879527A	2024-04-12	长田淳仁
本发明提供一种能够提高耐电力性的滤波器装置，其具备：压电性基板；至少一个串联臂谐振器，构成在压电性基板；多个并联臂谐振器，构成在压电性基板；以及封装基板，至少具有与压电性基板接合的第1封装层、层叠在第1封装层的第2封装层、以及层叠在第2封装层的第3封装层，第1封装层具有与压电性基板接合方第1面和与第1面对置的第2面，在第2面层叠有第2封装层，滤波器装置还具备：布线电极，设置在第1封装层的第1面或第2面，多个并联臂谐振器中的谐振频率最高的并联臂谐振器的至少一部分位于压电性基板的中央区域，布线电极具有：重叠部，在俯视下与多个并联臂谐振器中的谐振频率最高的并联臂谐振器位于中央区域的部分重叠。

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