1.一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，包括：
底层氮化硅层(100)，其位于氧化铝层(500)远离太阳能电池基底(400)的一侧，其中，所述底层氮化硅层(100)为太阳能电池基底(400)镀上氧化铝层(500)后在真空以及一定高温环境下通入一定时常的SiH4和NH3气体后制成，在此过程中，环境温度为C1，反应时常为T1，SiH4通入的流量为SCCM1，NH3通入的流量为SCCM2；
中间氮化硅层(200)，其位于所述底层氮化硅层(100)远离氧化铝层(500)的一侧，其中，所述中间氮化硅层(200)为底层氮化硅层(100)制成后在真空以及一定高温环境下通入一定时常的SiH4和NH3气体后制成，在此过程中，环境温度为C2，反应时常为T2，SiH4通入的流量为大于所述SCCM1的SCCM3，NH3通入的流量为小于所述SCCM2的SCCM4；
顶层氮化硅层(300)，其位于所述中间氮化硅层(200)远离所述底层氮化硅层(100)的一侧，其中，所述顶层氮化硅层(300)为中间氮化硅层(200)制成后在真空以及一定高温环境下通入一定时常的SiH4和NH3气体后制成，在此过程中，环境温度为C3，反应时常为T3，SiH4通入的流量为SCCM5，NH3通入的流量为SCCM6。
2.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述C1为450‑560℃，且所述C1、所述C2以及所述C3相同。
3.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述T1以及所述T2为150‑250s，所述T3为200‑350s。
4.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述SCCM1以及所述SCCM5为1000‑3000sccm，所述SCCM2以及所述SCCM6为6000‑
18000sccm。
5.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述SCCM3为1200‑3000sccm，所述SCCM4为5000‑16000sccm。
6.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述底层氮化硅在所述T1时间内形成的膜厚为D1，所述中间氮化硅在所述T2时间内形成的膜厚为D2，所述顶层氮化硅在所述T3时间内形成的膜厚为D3。
7.根据权利要求6所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述D1以及所述D2为20‑35nm，所述D3为30‑45nm。
8.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述底层氮化硅层(100)的折射率为M1，所述中间氮化硅层(200)的折射率为大于所述M1的M2，所述顶层氮化硅层(300)的折射率为M3。
9.根据权利要求8所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构，其特征在于，所述M1为1.80‑2.15，所述M2为1.85‑2.25，所述M3为1.80‑2.15。
10.一种如权利要求1‑9任一项所述的一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构的生成方法，其特征在于，具体步骤如下：
S1、将镀层有氧化铝层(500)的太阳能电池基底(400)放置在石墨舟内然后推入到石英炉管内；
S2、对炉内进行加热和辅热300‑700s，使炉内温度稳定在450‑560℃后对炉内进行抽真空120‑200s；
S3、通入1000‑3000sccm的SiH4气体以及6000‑18000sccm的NH3气体，此时炉腔内压强设定在100‑190Kpa，射频功率为13000‑20000，射频脉冲开关比调整为1:12‑1:25，且此过程持续时间为150‑250s，此时形成膜厚为20‑35nm的底层氮化硅层(100)，折射率为1.80‑
2.15；
S4、通入1200‑3000sccm的SiH4气体以及5000‑16000sccm的NH3气体，此时炉腔内压强设定在100‑190Kpa，射频功率为13000‑20000，射频脉冲开关比调整为1:12‑1:25，且此过程持续时间为150‑250s，此时形成膜厚为20‑35nm的中间氮化硅层(200)，折射率为1.85‑
2.25；
S5、通入1000‑3000sccm的SiH4气体以及6000‑18000sccm的NH3气体，此时炉腔内压强设定在100‑190Kpa，射频功率为13000‑20000，射频脉冲开关比调整为1:12‑1:25，且此过程持续时间为200‑350s，此时形成膜厚为30‑45nm的顶层氮化硅层(300)，折射率为1.80‑
2.15。