1.一种金刚石成膜方法，包括如下工序：
基底层形成工序，通过利用了第一原料气体的CVD法形成基底层，该第一原料气体包含选自铱、铂、铑、钛和钨中的至少一种金属；以及
金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在所述基底层上形成单晶的金刚石层。
2.根据权利要求1所述的金刚石成膜方法，其中，在所述基底层形成工序中，通过利用了包含所述金属与碳键合而成的有机金属化合物的所述第一原料气体的CVD法形成混入了所述碳的所述基底层，
在所述金刚石层形成工序中，以混入到所述基底层的所述碳为核形成所述金刚石层。
3.根据权利要求1或2所述的金刚石成膜方法，其中，包括如下工序：
夹层形成工序，通过利用了所述第一原料气体的CVD法在所述金刚石层上形成夹层；以及
第二金刚石层形成工序，通过利用了所述第二原料气体的CVD法在所述夹层上形成与所述金刚石层即第一金刚石层不同的第二金刚石层，该第二金刚石层形成工序与所述金刚石层形成工序即第一金刚石层形成工序不同。
4.根据权利要求1或2所述的金刚石成膜方法，其中，在所述金刚石层形成工序中，通过在所述第二原料气体中混合所述第一原料气体，在所述金刚石层中混入所述金属。
5.一种金刚石成膜装置，具备：
腔室；
第一原料气体供给部，将包含选自铱、铂、铑、钛和钨中的至少一种金属的第一原料气体供给到所述腔室内；
第二原料气体供给部，将包含烃气体的第二原料气体供给到所述腔室内；
能量供给部，对由所述第一原料气体供给部供给到所述腔室内的所述第一原料气体给予能量而在所述腔室内形成基底层或夹层，对由所述第二原料气体供给部供给到所述腔室内的所述第二原料气体给予能量而在所述基底层上或所述夹层上形成金刚石层。
6.根据权利要求5所述的金刚石成膜装置，其中，所述第一原料气体供给部具备：
收纳部，收纳溶解有所述金属与碳键合而成的有机金属化合物的溶剂；以及气体生成部，通过使收纳于所述收纳部的所述溶剂蒸发来生成所述第一原料气体。
7.一种程序，用于使计算机执行如下步骤：
基底层形成步骤，通过利用了第一原料气体的CVD法形成基底层，该第一原料气体包含选自铱、铂、铑、钛和钨中的至少一种金属；以及
金刚石层形成步骤，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在所述基底层上形成单晶的金刚石层。
8.一种金刚石材料，具备：
基底层，包含选自铱、铂、铑、钛和钨中的至少一种金属；
第一金刚石层，形成于所述基底层上；
夹层，形成于所述第一金刚石层上，且包含与所述基底层相同的所述金属；以及第二金刚石层，形成于所述夹层上，且与所述第一金刚石层不同。
9.根据权利要求8所述的金刚石材料，其中，所述第一金刚石层和/或所述第二金刚石层以与所述基底层相同的所述金属的成分扩散的状态形成。