1.一种半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，包括：
提供碳化硅晶圆片；
在所述碳化硅晶圆片的上表面和下表面分别设置至少一个电极；
对所述电极施加高频高压电脉冲，使得位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，在所述碳化硅晶圆片中形成空位和复杂点缺陷，得到半绝缘碳化硅晶圆片。
2.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，所述高频高压电脉冲的电压范围为1000V‑8000V，脉冲宽度范围为0.1us‑3us，脉冲重复频率范围为300Hz‑2000 Hz，高频高压电脉冲的施加时间范围为3min‑30min。
3.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，所述电极为两个，两个电极分别位于所述碳化硅晶圆片的上表面和下表面。
4.根据权利要求3所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，两个电极之间的距离为所述碳化硅晶圆片的厚度，所述碳化硅晶圆片的厚度范围为300μm‑400μm。
5.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，所述电极的材料为金属。
6.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，每个所述电极和碳化
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硅晶圆片表面的接触面积范围为1cm‑30cm。
7.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆片的
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电阻率范围为10 Ω·cm‑10 Ω·cm，所述半绝缘碳化硅晶圆片的电阻率为10 Ω·cm以上。
8.根据权利要求1所述的半绝缘碳化硅的制备方法，其特征在于，还包括：
利用预定退火温度对形成的半绝缘碳化硅晶圆片进行退火处理，使得消除不稳定的缺陷。
9.一种根据权利要求1‑8任一项所述的半绝缘碳化硅的制备方法制备得到的半绝缘碳化硅晶圆片。
10.一种包含根据权利要求1‑8任一项所述的半绝缘碳化硅的制备方法制备得到的半绝缘碳化硅晶圆片的半导体器件。