1.一种溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，包括：保温硬毡、石英筒保温层、籽晶吊杆、保温软毡、坩埚、线圈移动装置、感应线圈、石墨籽晶托、牵动台、不锈钢托盘、坩埚旋转装置、石墨环、籽晶升降旋转装置；
所述籽晶吊杆的下端连接所述石墨籽晶托，所述石墨籽晶托的下端固定有碳化硅籽晶，所述籽晶吊杆的上端连接所述籽晶升降旋转装置，以实现所述碳化硅籽晶的升降移动和旋转功能；
所述保温硬毡设有上部保温硬毡、下部保温硬毡，且所述保温硬毡的外侧设有保温软毡和石英筒保温层，所述石英筒保温层的外侧设有感应线圈，所述石英筒保温层用于固定所述保温硬毡和所述保温软毡，并阻止所述保温软毡接触所述感应线圈；
所述感应线圈连接所述线圈移动装置，所述线圈移动装置的下方固定在所述牵动台上，以实现所述感应线圈的升降调节；
所述坩埚放置于所述下部保温硬毡的空位内，用于放置原料；所述坩埚设有坩埚盖子，所述坩埚盖子设置有允许所述籽晶吊杆和所述石墨籽晶托通过的孔径；所述下部保温硬毡置于所述不锈钢托盘上，所述不锈钢托盘的下端连接所述坩埚旋转装置，以实现所述坩埚的旋转功能；
所述坩埚的底部设有石墨环，所述石墨环的中心带孔，用于增加轴向温度梯度。
2.根据权利要求1所述的溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，所述籽晶吊杆的直径为25‑50mm。
3.根据权利要求1所述的溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，所述碳化硅籽晶选择为离角4°的4H‑SiC或6H‑SiC碳化硅，碳化硅籽晶的直径小于坩埚的内径20‑90mm，厚度为0.2‑1mm。
4.根据权利要求1所述的溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，所述坩埚为石墨坩埚，且所述石墨坩埚的壁厚度为10‑25mm，底部厚度为15‑25mm，内径为150‑250mm，外径为
180‑280mm，所述石墨坩埚中含有的石墨纯度不小于99.9999％。
5.根据权利要求1所述的溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，所述保温硬毡的侧壁厚度不小于60mm，所述保温软毡的厚度不小于30mm。
6.根据权利要求1所述的溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，所述感应线圈为钢制感应加热线圈，所述钢制感应加热线圈的高度为40‑60cm。
7.根据权利要求1所述的溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，所述石墨环的厚度为5‑10mm，且所述石墨环的孔径与所述坩埚的内径比例为0.6‑0.8。
8.一种溶液法生长碳化硅单晶的方法，所述方法采用权利要求1‑7任一所述的设备进行单晶生长，包括以下步骤：
(1)将一定比例的多晶硅和金属颗粒M均匀混合，其中硅的摩尔比为40‑80％；将均匀混合的物料置于坩埚中；将坩埚放置于生长腔体的保温硬毡内；
将0.35mm厚的碳化硅籽晶通过粘结剂粘贴到连接有籽晶吊杆的石墨籽晶托上；计算液面高度，通过籽晶升降旋转装置将籽晶吊杆和石墨籽晶托下降到物料上方30‑50mm处；
(2)使用机械泵和分子泵抽真空至气压小于0.5Pa，升温至700‑1000℃进行预加热处理，向生长腔体内通入氩气气体，至大气压在0.5‑1atm，利用感应线圈对坩埚进行加热至
1600‑2000℃，并进行保温，以将包含硅和金属单质的原料熔化成硅合金助溶液；
(3)在1600‑2000℃保温期间，通过原材料密度与坩埚内径计算硅合金助溶液高度，控制籽晶升降旋转装置使碳化硅籽晶下降至硅合金助溶液液面高度，接触液面后操作籽晶吊杆下降至液面以下0.1‑0.25mm处，进行晶体表面腐蚀回熔；
设置籽晶升降旋转装置的转速为0‑40rpm，坩埚旋转装置的转速为0‑40rpm，碳化硅籽晶与坩埚旋转方向相同或相反；
(4)利用籽晶升降旋转装置提拉碳化硅籽晶至液面0.2‑0.5mm处形成弯月面，缓慢提拉碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，提拉速度为50‑200μm/h；
生长过程中，通过控制感应线圈的功率保持SiC生长温度，调节感应线圈的高度以维持熔体内热场不随溶液中Si消耗而变化，生长时间为10‑100h；
(5)生长结束后，将籽晶吊杆快速提拉晶体至脱离液面并关闭旋转系统，控制感应线圈逐渐降低溶液温度，完成碳化硅单晶的生长。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤(2)中硅合金助溶液为Si和金属M的混合物，所述金属M为Fe、Cr、Ti、Al中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤(4)通过推动感应线圈升降装置保持感应线圈以50‑200μm/h的速度下降。