1.一种只读存储器，所述只读存储器包括：
半导体基板，所述半导体基板包括扩散区，所述扩散区被配置为形成第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极；
金属层，所述金属层邻近所述扩散区，所述金属层被配置为包括位线引线，所述位线引线跨所述扩散区延伸；
第一漏极通孔，所述第一漏极通孔位于所述位线引线的上半部内，所述第一漏极通孔被配置为从所述位线引线的所述上半部耦合到所述第一晶体管的所述漏极；和第二漏极通孔，所述第二漏极通孔位于所述位线引线的下半部内，所述第二漏极通孔被配置为从所述位线引线的所述下半部耦合到所述第二晶体管的所述漏极。
2.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为跨第一位单元的宽度延伸，所述第一位单元具有从下位单元边界延伸的位单元高度，并且其中所述金属层被进一步配置为包括第一接地引线，所述第一接地引线具有与所述下位单元边界基本对齐的中心纵向轴线。
3.根据权利要求2所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为包括所述第一晶体管和所述第二晶体管的共享源极，所述只读存储器还包括：
第一列局部互连件，所述第一列局部互连件耦合到所述共享源极；和
第一接地通孔，所述第一接地通孔被配置为耦合在所述第一接地引线与所述第一列局部互连件之间。
4.根据权利要求3所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为包括第二接地引线，所述第二接地引线具有与所述位单元高度的上边界基本对齐的中心纵向轴线，所述只读存储器还包括：
第二接地通孔，所述第二接地通孔被配置为耦合在所述第二接地引线与所述第一列局部互连件之间。
5.根据权利要求3所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：
第二列局部互连件，所述第二列局部互连件耦合到所述第一晶体管的所述漏极，其中所述第一漏极通孔被配置为在所述位线引线的所述上半部与所述第二列局部互连件之间延伸。
6.根据权利要求5所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：
第三列局部互连件，所述第三列局部互连件耦合到所述第二晶体管的所述漏极，其中所述第二漏极通孔被配置为在所述位线引线的所述下半部与所述第三列局部互连件之间延伸。
7.根据权利要求4所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为跨第二位单元的宽度延伸，并且在所述第二位单元内包括第三晶体管的漏极和第四晶体管的漏极，并且其中所述第三晶体管的所述漏极和所述第四晶体管的所述漏极两者均与所述位线引线电隔离。
8.根据权利要求7所述的只读存储器，其中，所述扩散区被进一步配置为跨第三位单元的宽度延伸，并且在所述第三位单元内包括第五晶体管的漏极和第六晶体管的漏极，所述只读存储器还包括：
第三漏极通孔，所述第三漏极通孔位于所述位线引线的所述上半部内，所述第三漏极通孔被配置为从所述位线引线的所述上半部耦合到所述第五晶体管的所述漏极。
9.根据权利要求8所述的只读存储器，其中，所述第六晶体管的所述漏极与所述位线引线电隔离。
10.根据权利要求8所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：
第四漏极通孔，所述第四漏极通孔位于所述位线引线的所述下半部内，所述第四漏极通孔被配置为从所述位线引线的所述下半部耦合到所述第六晶体管的所述漏极。
11.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述扩散区是n型掺杂的，并且其中每个第一晶体管和每个第二晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
12.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述扩散区是p型掺杂的，并且其中每个第一晶体管和每个第二晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
13.根据权利要求1所述的只读存储器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是厚栅氧化层晶体管。
14.一种只读存储器，所述只读存储器包括：
多个位单元，所述多个位单元在位单元高度内布置成一行，所述多个位单元中的每个位单元包括第一晶体管和第二晶体管；
扩散区，所述扩散区被配置为跨所述行延伸，所述扩散区被配置用于所述多个位单元中的每个位单元，以形成所述位单元的第一晶体管的漏极，并且形成所述位单元的第二晶体管的漏极；和
金属层，所述金属层邻近所述扩散区，所述金属层被配置为包括位线引线，所述位线引线跨所述行延伸；其中所述多个位单元的第一子集中的每个位单元被配置为包括：第一漏极通孔，所述第一漏极通孔位于所述位线引线的下半部上，并且从所述位线引线的所述下半部耦合到所述位单元的第一晶体管的所述漏极；和第二漏极通孔，所述第二漏极通孔位于所述位线引线的上半部上，并且从所述位线引线的所述上半部耦合到所述位单元的第二晶体管的所述漏极，并且其中所述多个位单元的第二子集中的每个位单元被配置为将所述位单元的第一晶体管的所述漏极和所述位单元的第二晶体管的所述漏极两者与所述位线引线电隔离。
15.根据权利要求14所述的只读存储器，其中，所述多个位单元的第三子集中的每个位单元被配置为包括第一漏极通孔，所述第一漏极通孔位于所述位线引线的下半部上，并且从所述位线引线的所述下半部耦合到所述位单元的第一晶体管的所述漏极，并且其中所述位单元被配置为将所述位单元的第二晶体管的所述漏极与所述位线引线电隔离。
16.根据权利要求15所述的只读存储器，其中，所述多个位单元中的第四位单元被配置为包括第四通孔，所述第四通孔耦合在所述第四位单元的第二晶体管的所述漏极与所述位线引线的所述上半部之间，其中所述第四位单元的第一晶体管的所述漏极被配置为与所述位线引线隔离。
17.根据权利要求14所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为包括第一接地引线，所述第一接地引线具有与所述位单元高度的上边界基本对齐的中心纵向轴线，并且其中所述多个位单元中的每个位单元包括第一接地通孔，所述第一接地通孔耦合在所述第一接地引线与所述位单元的第一晶体管和第二晶体管的共享源极之间。
18.根据权利要求17所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为包括第二接地引线，所述第二接地引线具有与所述位单元高度的下边界基本对齐的中心纵向轴线，并且其中所述多个位单元中的每个位单元包括第二接地通孔，所述第二接地通孔耦合在所述第二接地引线与所述位单元的第一晶体管和第二晶体管的所述共享源极之间。
19.一种操作只读存储器的方法，所述方法包括：
断言耦合到第一晶体管的栅极的第一字线的电压，所述第一晶体管与第二晶体管一起在位单元高度内布置成一行，以使所述第一晶体管通过第一接地通孔将电荷从第一漏极通孔传导到地，所述第一漏极通孔位于位线引线的上半部上，所述第一接地通孔位于第一接地引线上，所述第一接地引线具有与所述位单元高度的上边界基本对齐的中心纵向轴线；
以及
断言耦合到所述第二晶体管的栅极的第二字线的电压，以使所述第二晶体管通过第二接地通孔将电荷从第二漏极通孔传导到地，所述第二漏极通孔位于所述位线引线的下半部上，所述第二接地通孔位于第二接地引线上，所述第二接地引线具有与所述位单元高度的下边界基本对齐的中心纵向轴线。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：
响应于断言所述第一字线的所述电压，检测所述位线引线的第一放电，以从所述第一晶体管的漏极编程读取第一位。
21.根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括：
响应于断言所述第二字线的所述电压，检测所述位线引线的第二放电，以从所述第二晶体管的漏极编程读取第二位。
22.一种只读存储器，所述只读存储器包括：
扩散区，所述扩散区被配置为从位单元的第一侧延伸到所述位单元的第二侧；
第一虚拟栅极，所述第一虚拟栅极与所述位单元的所述第一侧对齐；
第二虚拟栅极，所述第二虚拟栅极与所述位单元的所述第二侧对齐；
第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的所述栅极邻近所述第一虚拟栅极，并且被配置为从所述位单元的下边界跨所述扩散区延伸到所述位单元的上边界；
第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的所述栅极布置在所述第一晶体管的所述栅极与所述第二虚拟栅极之间，其中所述扩散区被进一步配置为形成所述第一晶体管的漏极、所述第一晶体管和所述第二晶体管的共享源极和所述第二晶体管的漏极，所述第一晶体管的所述漏极位于所述第一虚拟栅极与所述第一晶体管的所述栅极之间，所述共享源极位于所述第一晶体管的所述栅极与所述第二晶体管的所述栅极之间，所述第二晶体管的所述漏极位于所述第二晶体管的所述栅极与所述第二虚拟栅极之间；
金属层，所述金属层邻近所述扩散区，所述金属层被配置为形成具有一定高度的位线引线，所述金属层被进一步配置为形成第一接地引线，所述第一接地引线具有与所述位单元的所述高度的所述上边界基本对齐的中心纵向轴线；和
第一通孔，所述第一通孔位于所述位线引线的所述高度的第一半部上，并且耦合到所述第一晶体管的所述漏极，其中所述第二晶体管的漏极与所述位线引线隔离。
23.根据权利要求22所述的只读存储器，所述只读存储器还包括：
第一接地通孔，所述第一接地通孔耦合在所述共享源极与所述第一接地引线之间。
24.根据权利要求23所述的只读存储器，其中，所述金属层被进一步配置为形成第二接地引线，所述第二接地引线具有与所述位单元的所述高度的所述下边界基本对齐的中心纵向轴线，所述只读存储器还包括：
第二接地通孔，所述第二接地通孔耦合在所述共享源极与所述第二接地引线之间。