基本信息:
- 专利标题： 在具有多个沟槽的半导体基板上形成层的方法
- 专利标题（英）：Method of forming a layer on a semiconductor substrate having a plurality of trenches
- 申请号：CN201010578003.5 申请日：2010-12-02
- 公开(公告)号：CN102347212A 公开(公告)日：2012-02-08
- 发明人： 郑钟秀 , 吴士豪 , 许志贤 , 钟嘉麒 , 曾伟岳
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京市德恒律师事务所
- 代理人： 陆鑫; 熊须远
- 优先权： 12/845,531 2010.07.28 US
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本申请描述了一种制造半导体器件的方法。提供具有多个沟槽的基板。该多个沟槽包括具有不同宽度的沟槽。在包括多个沟槽的基板上形成第一层。第一层的形成在叠加在沟槽(例如，宽沟槽)上的区域中在第一层中产生凹陷。在凹陷中形成第二层。第一层被蚀刻，同时第二层保留在凹陷中。该第二层可以防止凹陷区域的厚度进一步减小。在一个实施例中，第一层是多晶硅并且第二层是光刻胶的BARC。
摘要（英）：
A method of fabricating a semiconductor device is illustrated. A substrate having a plurality of trenches is provided. The plurality of trenches include trenches having differing widths. A first layer is formed on the substrate including in the plurality of trenches. Forming the first layer creates an indentation in the first layer in a region overlying a trench (e.g., wide trench). A second layer is formed in the indentation. The first layer is etched while the second layer remains in the indentation. The second layer may protect the region of indentation from further reduction in thickness. In an embodiment, the first layer is polysilicon and the second layer is BARC of photoresist.
公开/授权文献:
- CN102347212B 在具有多个沟槽的半导体基板上形成层的方法 公开/授权日：2014-11-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |