基本信息:
- 专利标题： 一种AlN晶体的制备方法
- 申请号：CN201210093222.3 申请日：2012-03-31
- 公开(公告)号：CN102618930B 公开(公告)日：2015-09-09
- 发明人： 韩杰才 , 宋波 , 赵超亮 , 张幸红 , 张化宇 , 张宇民
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理人： 韩末洙
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; C30B23/00
摘要：
一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
公开/授权文献:
- CN102618930A 一种AlN晶体的制备方法 公开/授权日：2012-08-01